Search

As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass. Было установлено, что в пределах ширины запрещённой зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещённой зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы. Було встановлено, що в межах ширини забороненої зони квантової точки з селеніду цинку з'являється зона екситонних станів, розташована в нижній частині зони провідности. Було показано, що зменшення ширини забороненої зони цієї наносистеми зумовлене переходом електрона з квантово-розмірного рівня у валентній зоні квантової точки до рівнів зони екситонних станів. Залежність енергії основного стану екситона від радіюса квантової точки було одержано з використанням модифікованої методи ефективної маси.

In this review, the state-of-the-art of research of artificial atoms (superatoms or quasi-atomic nanoheterostructures) and more complex nanostructures based on them—synthetic molecules is discussed, a new model of an artificial atom, which satisfactorily explains its electronic properties, is proposed, and the prospects for development of the new scientific trend are mentioned. В этом обзоре обсуждается современное состояние исследований искусственных атомов (сверхатомов или квазиатомных наногетероструктур) и более сложных наноструктур на их основе — синтетических молекул, предложена новая модель искусственного атома, удовлетворительно объясняющая его электронные свойства, а также указаны перспективы для развития нового научного направления. В цьому огляді обговорюється сучасний стан досліджень штучних атомів (надатомів або квазиатомових наногетероструктур) і більш складних наноструктур на їх основі — синтетичних молекул, запропоновано новий модель штучного атома, що задовільно пояснює його електронні властивості, а також зазначено перспективи для розвитку нового наукового напряму.