Die heutige Halbleiter-Elektronik und Opto-Elektronik basiert fast ausschließlich auf der Ausnutzung der Coulomb-Wechselwirkung zwischen den Ladungen der Elektronen. Elektronen besitzen neben der Elementarladung aber auch noch den Spin als Teilchen-Eigenschaft. Der Elektronenspin als Eigen-Drehimpuls mit einer halbzahligen Quantenzahl hat kein klassisches Analogon. Er kann nur die beiden Zustände ? Spin-up? und ?Spin-down? annehmen. Fast 75 Jahre nach der Einführung des Elektronenspins durch Uhlenbeck und Goudsmith (1925) und seiner korrekten Beschreibung in der relativistischen Quantenmechanik im Jahre 1930 durch Dirac, hält diese Größe Einzug in die moderne Halbleiter- und Informationstechnologie. Auf der Basis von dünnen Metall-Schicht-Systemen sind bereits wichtige Entdeckungen auf dem Gebiet der ,,Magneto-Elektronik?, wie etwa des Riesenmagnetowiderstandes, zur Anwendung gekommen. Ebenso sind der spinabhängige Tunneleffekt, magnetisch steuerbare Widerstände, Magnetfeld-Sensoren und der ,,Magnetic Random Access Memory? Gegenstand der aktuellen Forschung. Alle diese Anwendungen nutzen die quantenmechanischen Eigenschaften des Spins aus, basieren jedoch ausschließlich auf Metallen. Eine Spin-Elektronik auf Halbleiterbasis hat dahingegen den Vorteil, dass sowohl die sehr gut entwickelte Halbleitertechnik der konventionellen Elektronik genutzt werden kann, als auch eine Verbindung mit der Opto-Elektronik möglich ist. Eine der Grundvoraussetzungen für das Betreiben einer Spin-Elektronik (?Spintronik?) in Halbleitern ist die Bereitstellung und Kontrolle von spinpolarisierten Elektronen. Durch die kohärente Kontrolle von zwei Laserstrahlen können spinpolarisierte Ströme in Halbleitern erzeugt werden. Diese Ströme beruhen auf der Interferenz von optischen Übergängen und sind eine makroskopische Manifestation von rein quantenmechanischen Phänomenen. Ein anderer Zugang zur Beeinflussung von Spin-Effekten in Halbleitern ist mit einer steuerbaren Symmetrie-Erniedrigung durch interne und externe elektrische Felder die Spin-Eigenschaften von Ladungsträgern im Leitungsband zu beeinflussen. Die Anisotropie-Effekte werden im Magnetfeld mit der Spin-Quantenschwebungs-Spektroskopie untersucht. Die Spin-Dephasierung von Elektron-Loch-Paaren mit paralleler Spinausrichtung, sogenannten ,,dunklen? Exitonen, in Halbleiter-Quantenpunkten werden untersucht. Halbleiter-Quantenpunkte werden aufgrund ihrer Eigenschaften bezüglich der langen Spin-Kohärenz-Zeiten oft als Kandidaten für eine zukünftige Quanten-Informationsverarbeitung mit Spins herangezogen. Die ,,dunklen'' Exitonen mit einem Gesamtdrehimpuls von J=2 werden durch Zwei-Photonen-Anregung erzeugt und die Umwandlung zu ,,hellen? Exitonen (J=1) mit zeitaufgelöster Ultrakurzzeit-Spektroskopie verfolgt. Im ersten Teil des Anhangs wird der Versuch vorgestellt, aus ferromagnetischen Eisen-Kontakten spinpolarisierte Elektronen über Tunnel-Prozesse in eine Halbleiter-Schichtstruktur zu injizieren. Dazu werden speziell für diesen Zweck prozessierte Dioden-Strukturen verwendet. Der zweite Teil beschäftigt sich mit der Biologie. Blaulicht-Rezeptoren steuern eine Vielzahl von hysiologischen Reaktionen bei Pflanzen, Pilzen und Mikro-Organismen und auch beim Menschen. Die chemischen Substanzen, die zum Beispiel Pflanzen das blaue Licht ,,sehen'' lassen, werden mit Ultrakurzzeit-Spektroskopie untersucht, um die Funktionsweise von lichtabhängigen Prozessen, wie etwa dem Phototropismus, das Wachsen der Pflanzen in Richtung des Lichts, aufzuklären., Today?s semiconductor-electronics and opto-electronics are mainly based on the Coulomb-interaction between the charge of electrons. But electrons own beneath their charge also the spin as an additonal property. The electron-spin is a pure quantum mechanical property which has no classical analogon. It can only be in one of the two states ?spin-up? or ?spin-down?, respectively. About 75 years after the introduction of the spin into physics by Goudsmith and Uhlenbeck in 1925 and its correct description in the relativistical quantum mechanics by Dirac in1930, the property ?spin? gets into the modern semiconductor and information technology. With thin metallic film systems, there have been already succesfull developments in the field of magneto-electronics, e.g. the GMR- and TMR effects. Also the ?Magnetic Random Acces Memory? (MRAM) is subject to intense research. All these application make use of the quantum mechanical property ?spin?, but are base on metallic systems only. A semiconductor based spin-electronic (?Spintronic?) has the advantage of easy integration into the conventional electronics. Also a connection with opto-electronics is possible. One of the main prerequisites for spin-based electronic is the efficient and controlled injection of carrier spin currents. By coherent control of two laser light-fields spin-polarized currents can be generated in semiconductors. These currents are based on the interference of quantum mechanical (opical) transitions and are a makroscopic manifestation of a pure quantum mechanical phenomen, which is shown in this work. A different approach to influence spin-related effects in semiconductors is due a controllable symmetry reduction by internal or external applied electrical fields in semiconductor heterostructures. The resulting anisotropic spin-effects are measured by spin quantum beat spectroscopy in magnetic fields. The spin-depahsing mechanism electron-hole pairs with parallel spin-orientation, so called ?dark excitions? are investigated in semiconductor quantum dots. Those quantum dots are often suggested to play a role in a prosper quantum-computing technology, because of the long decoherece times of their carrier spins. Dark excitons are excited by two-photon absorption by an ultrashort laser pulse and the converion of the dark excitons (J=2) to bright excitons (J=1) is measured time-resolved under different conditions.Today?s semiconductor-electronics and opto-electronics are mainly based on the Coulomb-interaction between the charge of electrons. But electrons own beneath their charge also the spin as an additonal property. The electron-spin is a pure quantum mechanical property which has no classical analogon. It can only be in one of the two states ?spin-up? or ?spin-down?, respectively. About 75 years after the introduction of the spin into physics by Goudsmith and Uhlenbeck in 1925 and its correct description in the relativistical quantum mechanics by Dirac in1930, the property ?spin? gets into the modern semiconductor and information technology. With thin metallic film systems, there have been already succesfull developments in the field of magneto-electronics, e.g. the GMR- and TMR effects. Also the ?Magnetic Random Acces Memory? (MRAM) is subject to intense research. All these application make use of the quantum mechanical property ?spin?, but are base on metallic systems only. A semiconductor based spin-electronic (?Spintronic?) has the advantage of easy integration into the conventional electronics. Also a connection with opto-electronics is possible. One of the main prerequisites for spin-based electronic is the efficient and controlled injection of carrier spin currents. By coherent control of two laser light-fields spin-polarized currents can be generated in semiconductors. These currents are based on the interference of quantum mechanical (opical) transitions and are a makroscopic manifestation of a pure quantum mechanical phenomen, which is shown in this work. A different approach to influence spin-related effects in semiconductors is due a controllable symmetry reduction by internal or external applied electrical fields in semiconductor heterostructures. The resulting anisotropic spin-effects are measured by spin quantum beat spectroscopy in magnetic fields. The spin-depahsing mechanism electron-hole pairs with parallel spin-orientation, so called ?dark excitions? are investigated in semiconductor quantum dots. Those quantum dots are often suggested to play a role in a prosper quantum-computing technology, because of the long decoherece times of their carrier spins. Dark excitons are excited by two-photon absorption by an ultrashort laser pulse and the converion of the dark excitons (J=2) to bright excitons (J=1) is measured time-resolved under different conditions.