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A new domain of growth experimentally observed in conditions of expected fast etching by HCl ensures growth rates of 50–60 μm/h without parasitic GaN deposit by using the suitable temperature profile. In these conditions, different thicknesses from 8 to 52 μm of GaN layers were obtained on MOCVD GaN templates varying only the time of growth. Reflectivity spectra performed at 4 K on the different samples reveal the three excitonic transitions attributed to the wurtzite structure, labelled A, B, and C. These signals attest the good optical quality of the HVPE layers investigated. Moreover, SEM images allow to observe the morphological quality of the layer surfaces and reveal different crack densities.

We study the influence of the reactor geometry and the control of the parasitic deposits on the growth of GaN by HVPE. Growth rates around 100 μm/h have been obtained with gas outlets close to the substrate and 16 μm/h with homogeneous vapour. The quality of the epitaxial layer deteriorates while the growth rate increases with decreasing distance between gas outlets and substrate, and the increase of the parasitic deposit. We predict by a model that in a homogeneous vapour and for a deposited mass on the quartz wall up to 0.86 g/h, the growth rate decreases drastically at high temperature down to etching. Adding HCl to the main nitrogen flow, the parasitic deposit decreases and the growth rate stays constant.

Nous avons utilisé la croissance cristalline à morphologie contrôlée pour l'élaboration de cristaux photoniques bidimensionnelles de matériaux III-V sur substrat III – V masqué. Appliquée sur GaAs cette méthode a démontré qu'il est possible de faire croître différentes formes de cristaux en jouant sur l'anisotropie de la vitesse de croissance des faces exposées du substrat. Les potentialités de cette technique sont très prometteuses car elle permet d'envisager une fabrication de masse des composants à base de cristaux photoniques.

Nous avons utilis? la croissance cristalline ? morphologie contr?l?e pour l'?laboration de cristaux photoniques bidimensionnelles de mat?riaux III-V sur substrat III ? V masqu?. Appliqu?e sur GaAs cette m?thode a d?montr? qu'il est possible de faire cro?tre diff?rentes formes de cristaux en jouant sur l'anisotropie de la vitesse de croissance des faces expos?es du substrat. Les potentialit?s de cette technique sont tr?s prometteuses car elle permet d'envisager une fabrication de masse des composants ? base de cristaux photoniques.