Search

We studied the decay of the frozen polarization of electroluminescent cells previously excited with a pulsed voltage, ascertaining that such a decay is ruled out by a kinetic equation of an order close to 2. The measured thermal activation energy of the process was found to be near 0.10 eV. Arguments are advanced which discredit, on the grounds of the present experimental results, the double injection model for the electroluminescence. Si è studiato il decadimento della polarizzazione persistente di celle elettroluminescenti preventivamente eccitate con una tensione ad impulsi, constatando che tale decadimento è determinato da un’equazione cinetica di ordine prossimo a 2. La misura dell’energia di attivazione termica del processo ha fornito un valore vicino a 0.10 eV. Vengono proposti degli argomenti che discreditano, sulla base dei presenti risultati sperimentali, il modello della doppia iniezione per l’elettroluminescenza. Мы исследовали распад эамороженной поляриэации злектролюмине сцентных злементов, предварительно воэбужденных импульсным напряжением, установив, что такой распад исключается, благодаря кинетическому уравнению, которое имеет порядок, блиэкий к 2. Было обнаружено, что иэмеренная знергия термической активации для зтого процесса составляет около 0.10 зВ. На основе настояших зкспериментальных реэультатов выдвигаются аргументы, которые подвергают сомнению модель двойной инжекции для злектролюминес ценции.

In this paper, a lately proposed model is used to explain some features of the a.c. electroluminescence process in Cu-doped ZnS. The model is based on the properties of stacking-fault-type linear defects lying in basal planes of hexagonal crystals. Theoretical kinetic equations are deduced to represent the behaviour of the mean value of brightness waves. These equations are compared with the observed initial building-up of luminescence. Particular attention is given to the effect of temperature. It is found, through a comparison between experimental and theoretical results, that the decrease of the mean brightness at low temperature is due to the increasing width of the forbidden-energy gap inside the linear defective regions. All the observed facts appear self-consistent if compared with the model. In questo articolo, alcune caratteristiche della elettroluminescenza a.c. nello ZnS drogato con Cu sono spiegate in base ad un modello proposto di recente. Il modello è basato sulle proprietà di difetti lineari giacenti nei piani basali dei cristalli esagonali e dovuti ad errori di impilaggio. Vengono dedotte equazioni teoriche per la cinetica, capaci di rappresentare il comportamento medio delle onde di brillanza. Queste equazioni sono messe a confronto con l’andamento iniziale delle onde di brillanza. Si trova, attraverso un paragone tra risultati sperimentali e teorici che la diminuzione di brillanza a bassa temperatura è dovuta all’accresciuta larghezza del intervallo di energia proibita all’interno della regione lineare difettosa. Tutti i fatti osservati appaiono in reciproco accordo se paragonati col modello. В зтой статье испольэуется недавно предложенная модель для общяснения некоторых особенностей процесса злектролюминес ценции под действием переменного тока в ZnS с присадкой Си. Эта модель основывается на свойствах линейных дефектов, типа дефектов упаковки, лежаших в баэисных плоскостях гексо-гональных кристаллов. Выводятся теоретические кинетические уравнения, чтобы представить поведение средней величины волн яркости. Эти уравнения сравниваются с наблюденной начальной эастройкой люминесценции. Особое внимание уделяется влиянию температуры. Иэ сравнения между зкспериментальными и теоретическими реэультатами получено, что уменьщение средней яркости при ниэкой температуре обусловлено увеличением щирины эапрешенной знергетической шели внутри областей линейных дефектов. Все наблюденные факты окаэываются само-согласованными, при сравнении их с рассматриваемой моделью.

We investigated the dependence of the spectral composition of the ZnS(Cu) electroluminescent light on the exciting frequency and temperature. We found that the ratio of the green- to the blue-band intensities decreases with the frequency in a way which becomes less marked when the temperature is lowered. At low frequencies, moreover, this ratio increases with the temperature, while it remains practically constant at high enough frequencies. The results are discussed by means of kinetic equations based on Prener and Williams’ model for the ZnS(Cu) luminescent centres. We succeeded in verifying that these equations fit the experiments concerning both the frequency and the temperature behaviour of the luminescent light’s spectral composition. Si é studiata la dipendenza della composizione spettrale della luce emessa dal ZnS(Cu) elettroluminescente dalla frequenza di eccitazione e dalla temperatura. Si é trovato che il rapporto delle intensitá delia banda verde e blu decresce in funzione della frequenza con un andamento che diventa meno pronunciato quando la temperatura vieue abbassata. A bassa frequenza, inoltre, questo rapporto cresce rispetto alla temperatura, mentre rimane praticamente costante a frequenze abbastanza alte. Si discutono i risultati trovati mediante equazioni cinetiche basate sul modello di Prener e Williams per i centri luminescenti del ZnS(Cu). Si è potuto verificare che queste equazioni si adattano tanto agli esperimenti che riguardano l’andamento della composizione spettrale della luce di luminescenza in funzione della frequenza quanto quello in funzione della temperatura. Мы исследовали завис имость спектральног о состава ЭлектроЛюми несЦентного света ZnS(Сu) от частоты возбужден ия и от температуры. Мы возбуждения и от темп ературы. Мы обнаружили, что отнош ение интенсивностей зеленой и голубой зон уменьшае тся с ростом частоты таки м образом, что станови тся менее заметным, когда темпе ратура уменьшается. Однако п ри малых частотах это отношение увеличивается в зави симости от температу ры, в то время как это о тношение остается пр актически постоянны м п как это отношение ост ается практически по стоянным при достато чно больших частотах. Полученные результа ты обсуждаются при достаточно больш их частотах. Полученн ые результаты обсужд аются результаты обсуждаю тся с помощью кинетическ их уравнений, основан ных на модели Пренера и Вильямса для центров люминесценции ZnS(Сu). Нам удалось ноказать, что эти уравнения соответст вуют экспериментам, к асающимся зависимости спектра льного состава люминесцент ного света от частоты и от темПрературы.

The luminescent emission from ZnS(Cu) crystals excited simultaneously with UV light and an oscillatory electric field has been investigated by using a synchronous detector whose reference input was fed by the exciting voltage. In this way, we succeeded in measuring the photoluminescent brightness as a function of the UV flux and of the applied voltage amplitude and frequency. The dependence on the flux was found to be merely a proportionality, while that on the voltage isB =B0[1 -θexp[V/V0]](Bbrightness;Vvoltage; B0,θand V0constant factors). The study of the behaviour against the frequency was a more laborious task, however the dependence turned out to be clearly decreasing. The results have been explained by assuming that UV excited holes drift according to the applied electric field, to recombine with electrons trapped within linear electroluminescent defects present in crystals. This readily allows for the above quoted brightness-voltage law. L’emissione luminescente di cristalli di ZnS(Cu) eccitati simultaneamente con luce UV e con un campo elettrico oscillante è stata studiata usando un rivelatore sincrono, il cui ingresso di riferimento era connesso alia tensione di eccitazione. In questo modo, si è riusciti a misurare la brillanza fotoluminescente in funzione del flusso di luce UV, della tensione applicata e della frequenza. La dipendenza dal flusso è risultata essere semplicemente una proporzionalità, mentre quella dal voltaggio èB =B0[1-θexp[-V/V0]](Bbrillanza;Vvoltaggio; B0,θe V0fattori costanti). Lo studio del comportamento in funzione della frequenza è risultato più difficile, tuttavia si è trovata una dipendenza nettamente decrescente. I risultati sono stati interpretati ammettendo che le buche eccitate dalla luce UV si spostino secondo la direzione del campo elettrico applicato, per ricombinarsi con elettroni intrappolati nei difetti elettroluminescenti lineari presenti nel cristallo. Ciò facilmente spiega la legge brillanza-tensione precedentemente riportata. Было исследовано люм инесцентное излучен ие кристаллов ZnS(Сu), облуче нных одновременно UV св етом и осциллирующим электрическим полем. При этом использо осциллирующим элект рическим полем. При эт ом использовался син хронный детектор, на в ход которого подавал ось возбуждающее нап ряжение. Таким образо м, использовался синхр онный детектор, на вхо д которого подавалос ь возбуждающее напря жение. Таким образом, н ам удалось измерить я ркость фотолюминесц енции, как функцию пот ока UV и амплитуды прило женного на подавалось возбужда ющее напряжение. Таки м образом, нам удалось измерить яркость фот олюминесценции, как ф ункцию потока UV и ампли туды приложенного на пряжения и частоты. За висимость от потока о казывается просто ли нейной, тогда как от на пряжения нам удалось измерить яркость фотолюминес ценции, как функцию по тока UV и амплитуды прил оженного напряжения и частоты. Зависимост ь от потока оказывает ся просто линейной, то гда как от напряжения функцию потока UV и ампл итуды приложенного н апряжения и частоты. З ависимость от потока оказывается просто л инейной, тогда как от н апряжения и частоты. Зависимост ь от потока оказывает ся просто линейной, то гда как от напряжения линейной, тогда как от напряжения В= В0[1 - В ехр [V/V0]] (В яркость; V напряжение; В0, В и V0постоянные множител и). Исследование завис имости от частоты пре дставляет наиболее т рудную задачу, частоты представляе т наиболее трудную за дачу, однако, эта зависимос ть очевидно является убывающей. Полученные результа ты объясняются, испол ьзуя предположение, ч то дырки, возбужденны е UV светом, предположение, что ды рки, возбужденные UV све том, дрейфуют в соответст вии с приложенным эле ктрическим полем и рекомбинирую т с электронами, захвач енными в линейных электролюминесцент ных дефектах, присутс твующих в кристаллах. При этом легко получа ется в кристаллах. При этом л егко получается выше укаэанный закон закон зависимости яркости от напряжения.