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An attempt is made to evaluate the polarizability of amorphous silicon. These evaluations are carried out for samples prepared by chemical vapour deposition (CVD) and glow-discharge (GD). Spectroscopic models like that of Wemple-Didomenico and Ance are employed for the purposes of calculation. This study may serve as a bridge between experimental results that follow from Raman or infra-red spectroscopy and those that are obtained from absorptance/reflectance studies. Es wird versucht, die Polarisierbarkeit von amorphem Silizium zu berechnen. Diese Rechnungen werden fur Proben durchgefuhrt, die mittels chemischer Dampfabscheidung (CVD) und Glimmentladung (GD) hergestellt werden. Spektroskopische Modelle, wie das von Wemple-Didomenico und Ance werden fur die Berechnung benutzt. Diese Untersuchung kann als Brucke zwischen experimentellen Ergebnissen, die aus Raman- oder Infrarotspektroskopie und denen, die aus Absorptions/Reflexionsuntersuchungen erhalten werden, dienen.

Ion implanted silicon with two types of impurities is studied using Raman scattering. The splitting of the localized modes into two pair modes is observed. In the case of 10B31P pairs the two modes are ω ∥ = 650 cm−1, ω ⊥ = 620 cm−1, and for 11B31P pairs, ω ∥ = 628 cm−1, ω ⊥ = 605 cm−1. Results for BAs pairs in silicon are also reported. It is believed that for the first time the second order Raman scattering by pair modes is observed. The second order spectrum gives information about the density of states of these modes. Mittels Ramanstreuung wird ionenimplantiertes Silizium mit zwei Arten von Storstellen untersucht. Die Aufspaltung der lokalisierten Moden in zwei Paarmoden wird beobachtet. Im Falle der 10B31P-Paare sind die beiden Moden ω ∥ = 650 cm−1, ω ⊥ = 620 cm−1 und fur 11B31P-Paare ω ∥ = 628 cm−1, ω ⊥ = 605 cm−1. Ergebnisse fur BAs-Paare in Silizium werden ebenfalls mitgeteilt. Es wird angenommen, das die Ramanstreuung zweiter Ordnung von Paarmoden erstmalig beobachtet wurde. Das Spektrum zweiter Ordnung ergibt Informationen uber die Zustandsdichte dieser Moden.