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2 results on '"Fogarassy, E."'

1. µ-structuration par ablation laser nanoseconde de couches minces de TiO2

Author

Mériche, F., Kremer, R., Boudrioua, A., Clauss, E., Mechiakh, R., Bensaha, R., Fogarassy, E., Laboratoire d'Etudes des Matériaux, Université Mohamed Seddik Ben Yahia [Jijel], T2, Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL)-CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Laboratoire de Physique des Lasers (LPL), Université Paris 13 (UP13)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IREPA Laser, Pole API-Parc d'innovation, Ceramics Laboratory, Université Mentouri Constantine [Algérie] (UMC), Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes (InESS), and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2008

2. ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER

Author

Broutet, F., Desoyer, J., Fogarassy, E., Siffert, P., Laboratoire de métallurgie physique (LMP), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Poitiers, Institut de Recherches Subatomiques (IReS), and Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Cancéropôle du Grand Est-Université Louis Pasteur - Strasbourg I-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
Abstract

Une étude du phénomène de diffusion induite par faisceau laser de différents dopants dans le silicium est menée par Microscopie Electronique. Des points communs sont établis entre les résultats obtenus par cette méthode et par implantation (concentration maximum en solution solide, coefficient de ségrégation, apparition d'instabilités, ...). Les paramètres expérimentaux sont choisis (épaisseur déposée, type de dopant, énergie du laser, ...) de manière à favoriser la bonne intégration du dopant dans la matrice, ou, au contraire, l'apparition de cellules de ségrégation dues aux instabilités de l'interface solide-liquide. L'étude porte sur quatre dopants (Sb, Ga, Bi, In), pour différentes épaisseurs déposées (50 à 150 A). Les résultats donnés par Microscopie sont en bon accord d'une part avec les résultats RBS, et d'autre part avec un modèle développé pour la diffusion induite par laser.

Published
1983
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