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International audience; -Le pré-imprégné lin/époxy testé est constitué de fils de lin torsadés provenant de l'industrie textile. Il est principalement utilisé dans le secteur du sport et loisir. La valeur ajoutée recherchée est la bonne capacité d'amortissement des vibrations. Une première étude a montré que le comportement du lin/époxy n'est pas seulement élastique et que sa résistance n'est pas optimale, on atteint au mieux 350 MPa là où la loi des mélanges laisse espérer le double ! L'objectif à terme du travail consiste à optimiser le pré-imprégné. On étudie l'influence de la torsion des mèches en comparant un TISSÉ comportant un fil de trame pour 19 fils de chaîne, avec un UD, un UD COUSU à 45 • et un MAT possédant une orientation privilégiée. Le meilleur résultat est obtenu pour le TISSÉ. On pense que la filature au mouillé rend optimale la séparation des fibres unitaires. On étudie l'influence du traitement textile en comparant un sergé 2/2 ÉCRU avec le même tissu LESSIVÉ, BLANCHI et MERCERISÉ. Le meilleur résultat est obtenu pour le tissu MERCERISÉ.

National audience; Un banc d'essai de micro-traction est utilisé pour tester la traction de fibres élémentaires de lin. Les champs de déplacements de la fibre sont calculés en temps réel par une technique de corrélation d'images numériques. Ceci permet de discriminer les essais visiblement défectueux. Les déformations longitudinales sont issues de ces champs de déplacements. On montre que la mesure des déformations par cette méthode locale est préférable à une mesure par méthode globale. Cette dernière surestime, dans notre cas, les déformations de 42% provoquant ainsi une sous-estimation du module d'Young moyen de 70%.

National audience; La société Lineo NV produit des pré-imprégnés lin/époxyde destinés à un renfort unidirectionnel. Les fils de lin utilisés proviennent de l'industrie textile traditionnelle. Les propriétés mécaniques des quatre premiers modèles de pré-imprégnés élaborés ont été étudiées. L'évolution de la production a pour but de diminuer l'épaisseur des pré-imprégnés en augmentant le titrage des fils utilisés. On montre que le comportement des pré-imprégnés n'est pas linéaire. La rigidité évolue du module d'Young initial vers une rigidité finale 40% plus faible. La rigidité et les paramètres de rupture sont proportionnels au pourcentage de fibres et inversement proportionnel au titrage

Among the III-V nitride alloys, InAlN has attracted great technological interest in recent years due to its wide band gap and lattice matching with GaN at 18% indium composition, with the application of better barrier for the next generation of high electron mobility transistors (HEMT). However, its crystal quality degrades with increasing thickness. With the help of numerical simulation using the empirical Stillinger-Weber potential, we have proposed a mechanism for the degradation of InAlN layers by phase segregation (InN cluster formation) based on stress relaxation due to the interaction between alloying elements (indium) and point defects. The most favorable cluster radius is of the order of 6 Å. The enlargement of the cluster size can also be explained by this stress relaxation mechanism. The same type of behavior in InGaN and AlGaN is also possible, but with less or no effect. These results are in agreement with the experimental observations., Parmi les alliages de nitrures III-V, l'InAlN a suscité un grand intérêt technologique ces dernières années en raison de sa large bande interdite et de sa concordance de réseau avec le GaN à une composition d'indium de 18%, avec comme application une meilleure barrière pour la prochaine génération de transistors à haute mobilité électronique (HEMT). Cependant, sa qualité cristalline se dégrade avec l'augmentation de l'épaisseur. A l’aide de la simulation numérique utilisant le potentiel empirique Stillinger-Weber, nous avons proposé un mécanisme de dégradation des couches InAlN par la ségrégation de phases (formation des clusters d’InN) basé sur la relaxation de contrainte due à l’interaction entre des éléments d’alliage (indium) et des défauts ponctuels. Le rayon de cluster le plus fovorable est de l’ordre de 6 Å. L’agrandissement de la taille de cluster peut être également expliqué par ce mécanisme de relaxation de contrainte. Le même type de comportement dans InGaN et AlGaN est aussi possible, mais avec un effet moins important voire nul. Ces résultats concordent avec les observations expérimentales.

For the fabrication of nitride-based power microwave transistors, the InAlN alloy is considered to be a better barrier than AlGaN thanks to the lattice match with GaN for an indium composition around 18%. Thus the two-dimensional electron gas (2DEG) is generated only by the spontaneous polarization at the AlInN/GaN heterointerface for a production of highest performance transistors. However, during its growth on GaN, its crystalline quality deteriorates with the thickness and V-defects are formed at the layer surface. To determine the sources of this behavior, we carried out a theoretical study by molecular dynamics and ab initio techniques to analyze the stability and the properties of alloys of nitride compounds, focusing particularly on InAlN. The analysis of the phase diagrams showed that this alloy has a wide zone of instability versus the indium composition and a different behavior with InGaN with amplified instability under high compressive strain. By determining the energetic stability of the nitrogen vacancy could be catalyst for forming clusters in this alloy. These InN clusters introduce deep donor levels inside the band gap. With regard to treading dislocations, our results show that they will also tend to capture indium atoms in their cores in order to minimize their energy. Thus, we have been able to provide a theoretical basis that show that the nitrogen vacancy participates in the spontaneous degradation of the AlInN layers and that the threading dislocations participate by attracting the indium atoms and thus reinforcing the separation of phase in their vicinity., Pour la fabrication des transistors hyperfréquences de puissance à base de nitrures, l’alliage InAlN est considéré comme une meilleure barrière qu’AlGaN grâce à l’accord de maille pour une composition en indium voisine de 18 %. Ainsi le gaz d'électrons à deux dimensions (2DEG) est-il généré seulement par la polarisation spontanée dans une hétérointerface InAlN/GaN sans contrainte résiduelle pour une fabrication de transistors aux performances optimales. Cependant, durant sa croissance sur GaN, sa qualité cristalline se dégrade avec l’épaisseur et il se forme des défauts V au niveau de l’interface. Afin de déterminer les sources de ce comportement, nous avons mené une étude théorique par dynamique moléculaire et techniques ab initio pour analyser la stabilité et les propriétés des alliages des composés nitrures en nous focalisant particulièrement sur InAlN. L’analyse des diagrammes de phase a permis de montrer que cet alliage présente une large gamme d’instabilité en composition d’indium et un comportement différent d’InGaN sous compression avec une instabilité amplifiée sous forte pression. En déterminant la stabilité énergétique de la lacune d’azote en interaction avec l’indium, nous avons montré que ce défaut ponctuel autour duquel des atomes d’indium tendent à retrouver une longueur de liaison voisine de celle dans InN pouvait être un catalyseur pour la formation de clusters dans cet alliage. Ces clusters d’InN introduisent des niveaux donneurs profonds dans la bande interdite. En ce qui concerne les dislocations traversantes, nos résultats montrent qu’elles auront aussi tendance à capturer des atomes d’indium dans leur cœur pour minimiser leur énergie. Ainsi nous avons pu apporter les bases théoriques qui montrent que la lacune d’azote participe à la dégradation spontanée des couches d’InAlN et que les dislocations traversantes sont amenées à y participer en attirant les atomes d’indium et donc en renforçant la séparation de phase en leur voisinage.