1. Mise en évidence des mécanismes d'injection de porteurs majoritaires à l'interface semiconducteur/électrolyte
- Author
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Catherine Debiemme-Chouvy, J. Jaume, E. M. Khoumri, Michel Herlem, Arnaud Etcheberry, J. L. Sculfort, D. Le Roy, and J. Vigneron
- Subjects
Chemistry ,business.industry ,Inorganic chemistry ,General Engineering ,General Physics and Astronomy ,02 engineering and technology ,Reaction intermediate ,Crystal structure ,Electrolyte ,010402 general chemistry ,021001 nanoscience & nanotechnology ,Electrochemistry ,01 natural sciences ,0104 chemical sciences ,chemistry.chemical_compound ,Chemical species ,Semiconductor ,[PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives ,Physical chemistry ,0210 nano-technology ,Hydrogen peroxide ,business ,Surface states - Abstract
La jonction semiconducteur/électrolyte est un système permettant de détecter aisément les processus d'injection de charges associées à des espèces chimiques en liaison avec le réseau cristallin. Ces phénomènes interviennent lors de réactions électrochimiques très diverses, comme les réactions de réduction multiélectroniques (oxygène, eau oxygénée) ou d'oxydation (décomposition des matériaux). Dans cet article, une comparaison entre InP et GaAs permet de discuter, dans le processus global, du rôle des intermédiaires réactionnels et des films de surface.
- Published
- 1994
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