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In den vergangenen Jahren sind durch die Fortschritte in der Forschung und Entwicklung und durch die neuen Anforderungen aus dem Bereich Automotiv zunehmend neue Bauteile gefragt, welche an die physikalischen Grenzen der Silizium-Halbleiterbauelemente stoßen. Verbundhalbleiter und Bauteile aus GaAs, GaN aber auch insbesondere aus SiC zeigen ein starkes Forschungsinteresse. Siliziumcarbid (SiC) wird, insbesondere aufgrund der günstigen physikalischen Eigenschaften, für Anwendungen mit hohen Anforderungen an elektrischer Leistung und rauen Umgebungsbedingungen eingesetzt. Der zunehmende Bedarf und die Funktionalitätssteigerung dieser Bauteile, welche heutzutage vorwiegend mit 2D Technologien aufgebaut werden, wird den Bedarf an Steigerung der Integrationsdichte hervorrufen und zu 2,5D und 3D-Integrationsansätzen führen. Die technologische Entwicklung der Prozesse, die für eine 3D-Integration von SiC notwendig sind, ist bisher noch nicht erfolgt. Insbesondere ist es hierfür notwendig, Durchkontaktierungstechnologien für SiC mit ihren speziellen Anforderungen an Spannungsfestigkeit und Strombelastbarkeit zu entwickeln, um die künftigen Anforderungen an die SiC-Bauteile zu erfüllen., In recent years, advances in research and development and new requirements from the automotive sector have led to increasing demand for new components that push the physical limits of silicon semiconductor devices. Compound semiconductors and devices made of GaAs, GaN but also especially SiC show a strong research interest. Silicon cabide (SiC), especially due to its favorable physical properties, is used for applications with high electrical power requirements and harsh environmental conditions. The in-creasing demand and functionality enhancement of these devices, which are nowadays mainly built with 2D technologies, will generate the need to increase the integration density and will lead to 2.5D and 3D integration approaches. The technological devel-opment of the processes necessary for 3D integration of SiC has not yet been done. In particular, this requires the development of via technologies for SiC with its special re-quirements for dielectric strength and current-carrying capacity in order to meet the future demands on SiC devices.