Search

В данной работе впервые изучено влияние импульсного лазерного отжига (ИЛО) излучением рубинового лазера на слои монокристаллического Si, имплантированного ионами Ge+и Ag+, с целью создания кристаллического композитного плазмонного материала Ag:GeSi. Изучена трансформация структуры слоя и его оптического отражения в зависимости от режимов отжига. In this work for the first time the effect of pulsed laser annealing by ruby laser radiation to monocrystalline Si layers implanted by Ge+and Ag+ ions in order to produce crystalline composite plasmonic Ag:GeSi material is studied. The transformation of layer structure and its optical reflectance depending on annealing regimes is investigated. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ № 17-12-01176.