Search

В работе рассмотрено новое физическое явление потенциальная яма на сверхпроводящих кольцах. Это явление указывает на то, что два сверхпроводящих кольца разного диаметра, в которых заморожены потоки, могут находиться друг по отношению к другу в потенциальной яме, когда их сближение или удаление приводит к возникновению возвращающей силы. Расстояние между кольцами, которое определяет такую яму, соответствует минимуму потенциальной энергии системы связанных колец. Это явление может найти практическое применение для создания эталонов силы и высокочувствительных приборов для ее измерения, таких как гравиметры и акселерометры., A new physical phenomenon is considered in the work of a potential well on superconducting rings. This phenomenon indicates that two superconducting rings of different diameters, in which the fl ows are frozen, can be located relative to each other in the potential well, when their approach or removal leads to the appearance of a restoring force. The distance between the rings that determines such a pit corresponds to the minimum potential energy of the system of coupled rings. This phenomenon can fi nd practical application for creating power standards and highly sensitive instruments for measuring it, such as gravimeters and accelerometers., №5 (2018)

This paper describes the concept of bandwidth, characteristic of a quantum data channel in the presence of external noise. Also, a computer simulation of a system with a particle in one-dimensional and two-dimensional space at the quantum level was made with the appropriate soft-ware implementation and visualization of the results. Within the framework of the carried out im-plementation, the behavior of the particle (electron) is graphically reflected. Also analyzed and described such concepts of quantum mechanics as the wave function, and the capacity of a quantum channel with noise, as a result of which the formula for calculating the capacity of a depolarizing channel was derived. The relevance of these studies lies in the numerical implementation of the capacity of a quantum channel, taking into account the various types of noise that arise in quantum computing devices. It will become one more step forward the research of the elementary theoretical base of a quantum computing device and, as a consequence, the practical, physical realization of this device. The urgency of the work is also explained by the large number of both experimental and theoretical works devoted to these issues. The scientific novelty of this direction is first of all expressed in the constant updating and supplementation of the field of quantum research in a number of directions, and computer simulation of quantum physical phenomena and features, such as quantum bandwidth features, is poorly illuminated in the world. The purpose of this paper is a computer simulation of the particle"s behavior at the quantum level, which will allow us to analyze its operation within the computational process of the quantum computer model. And the universal formula for finding bandwidth, derived in the framework of this paper, will allow us to calculate the rate of transmission of quantum information embedded in a particle.

В монокристаллических пленках и нитях висмута происходит переход полуметалл-полупроводник (ПМПП) благодаря эффекту размерного квантования (ЭРК), который модифицирует фононный спектр, что может представлять практический интерес. Эффект в большей степени может проявляться в наноструктурах на основе сплавов Bi1-xSbx в полуметаллической фазе (x < 0,04), где имеет место минимальное перекрытие L и Т зон. В данной статье представлены экспериментальные результаты исследований электронного транспорта, термоэлектрических свойств, осцилляций Шубникова де Гааза (ШдГ) пленок Bi-Sb (0 < x < 0,04) выращенных термическим напылением в вакууме и нанонитей в стеклянной оболочке, изготовленных усовершенствованным методом Улитовского-Тейлора. Результаты рентгеноструктурного анализа показали, что у монокристаллических пленок тригональная ось ориентирована перпендикулярно плоскости подложки, а одиночные нити Bi-2ат.%Sb с диаметрами 100–1000 нм представляют собой монокристаллы с ориентацией (1011) вдоль оси нити. Исследования ШдГ осцилляций нитей Bi-2ат.%Sb с диаметрами d > 600 нм показали, что перекрытие L и Т зон в 2 раза меньше, чем в чистом Bi. Температурные зависимости сопротивления R(T) тонких полуметаллических пленок Bi-3ат.%Sb и нитей Bi-2ат.%Sb показывают полупроводниковую зависимость с уменьшением диаметра. Переход (ПМПП), индуцированный размерным квантованием наблюдался при диаметрах почти в 5 раз больших, чем в аналогичных образцах чистого висмута. Этот экспериментальных факт позволяет с одной стороны продвинуться в область более высоких температур (для наблюдения КРЭ), а с другой стороны разделить эффекты, связанные с размерным квантованием и поверхностными состояниями. В полуметаллических пленках Bi1-xSbx обнаружено сжимающее действие подложки из слюды, и растягивающее подложки из полиимида в направлении перпендикулярном плоскости пленки, что может служить дополнительным фактором управления переходом (ПМПП). Также обсуждается вопрос термоэлектрических свойств нитей для оптимизации и использования их в термоэлектричестве., In this paper we present the experimental results of an investigation of the electrical transport, thermoelectrical properties, the Shubnikov de Haas oscillations of Bi1-xSbx films (0 < x < 0.04) grown by the vacuum thermal evaporation and nanowires prepared by a modified Ulitovsky – Teilor technique. The results of the X-ray diffraction indicate that the trigonal axes were perpendicular to the film plane and the single Bi-2at%Sb nanowires with the diameter 100–1000 nm were represented by single crystals in a glass capillary with (1011) orientation along the wire axis. The investigations of the Shubnikov de Haas oscillations on Bi-2at%Sb wires with d > 600 nm show that overlapping of L and T bands was twice smaller than that in pure Bi. The temperature dependences of thin semimetalic Bi-3at%Sb films and Bi-2at%Sb wires show a semiconducting behavior. The semimetalsemiconductor transition induced by the quantum confinement effect is observed in semimetal Bi1-xSbx films and nanowires at the diameters up to five times greater than those in the pure Bi. That experimental fact, on the one hand, will allow observing the display quantum confinement effect at higher temperatures on nanowires of the same diameters, and, on the other hand, will allows separating effects connected with the surface state and the quantum size effects. In addition, the thermoelectric properties and thermoelectric efficiency of bismuth-antimony wires are considered and a possibility to use them in thermoelectric converters of energy is discussed.