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En la actualidad, el alto costo y la baja eficiencia de conversión de las celdas solares, han propiciado la búsqueda de nuevos materiales fotovoltaicos con propiedades avanzadas para su utilización como capa absorbedora en dichos dispositivos. Los compuestos ternarios basados en Cu, Sn y S son materiales alternativos que cumplen con este requisito, debido a que presentan propiedades ópticas, morfológicas y eléctricas apropiadas para este fin. Además son económicos, abundantes en la naturaleza y no tóxicos, por lo que son materiales prometedores para el reemplazo de CIGS [Cu(In,Ga)Se2] en celdas solares. En el presente trabajo se estudió la formación de películas delgadas CuS y SnS para la posterior obtención del compuesto ternario Cu2SnS3 a partir del método de adsorción y reacción sucesiva de capas iónicas (SILAR, por sus siglas en inglés). Las películas delgadas de Cu2SnS3 se obtuvieron mediante el depósito de monocapas alternadas de (SnS/CuS)n y multicapas de (SnS)n/(CuS)m. Estas dos metodologías se propusieron con la finalidad de estudiar los procesos de difusión y estabilidad química en dicho compuesto. Mediante difracción de rayos X se determinó que las multicapas sin tratamiento térmico presentan un crecimiento cristalino hexagonal correspondiente a la fase de CuS. No obstante, después de un tratamiento térmico a 400 °C, aparecen picos de difracción adicionales demostrando la presencia de la fase cúbica perteneciente a Cu2SnS3 y una segunda fase contaminante con estructura tetragonal atribuida al SnO2. Las composiciones elementales, estados de oxidación y reacciones químicas se estudiaron por espectroscopia de fotoemisión de rayos X (XPS, por sus siglas en inglés). Los resultados de XPS para las multicapas revelaron la presencia de CuS para las películas sin tratamiento térmico, mientras que para aquellas tratadas térmicamente a 400 °C en atmósfera de N2 se presenció Cu1+ y Sn4+. Además, XPS reveló la presencia de Cd en la superficie de las estructuras con monocapas alternadas, mientras que las multicapas SnS/CuS mostraron menor cantidad de Cd. Las propiedades eléctricas se determinaron a partir de mediciones de efecto Hall, encontrando que la movilidad y la resistividad de las películas se encuentran entre valores de 0.1- 0.6 cm2 /Vs y 0.003-0.923 Ωcm, respectivamente. La densidad de portadores de las películas se encuentra en el orden de 1021 cm-3 . La alta densidad de portadores y baja movilidad está relacionada con defectos estructurales. Estas películas presentan un carácter semiconductor tipo p, lo cual es ideal para la utilización de este material como absorbedor en celdas solares.