Search

Elektronlar, yarıiletken lazerlerin aktif bölgelerinde elektromanyetik dalga ile etkileşerek enerji seviyelerini değiştirirler. Elektronlar, elektromanyetik alandan aldıkları enerjiyi optik enerjiye dönüştürürler. Bu dönüşüm esnasında elektronların enerji durumları değişir. Yarıiletken lazerlerde enerji durumlarının değişimi, eşik akımını etkilemesi sebebiyle, yarıiletken enerji bant mühendisliğinde önemli bir yer tutar. Bu çalışmada heterojonksiyon yarıiletken lazerlerde elektronların enerji davranışı ve onların öz enerjileri dolayısıyla atomik enerji seviyeleri incelenmektedir.

GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formundaki yapılar, kafes sabitleri hemen hemen denk olan yapıları oluşturmakta, enerji-bant yapısında yasak bantı artırmakta, kırılma indisini azaltmaktadır. Bu özellikler, GaAs ve AlxGa1-xAs malzemelerle gerçekleştirilen heterojonksiyon yapıların elde edilmesine, yarıiletken laserlerde olduğu gibi, elektromanyetik enerjinin, özellikle, optik enerjinin kuvvetlendirilmesine, klavuzlanarak fiberoptik hatlarla nakledilmelerine imkan sağlamaktadır. GaAs - bazlı yarıiletken yapılar, özellikle, laserler, ince film katmanlarından (? 40-100 A o ), oluşur. Bu kuantum boyutları, kullanılan dalga boyu ile kıyaslanabilecek derecede küçüktür ve özel etkiler doğurmaktadır. Kuantum - çukurlu yapılar, bu tür etkilerin bir sonucudur. Bu çalışmada yarıiletken katmanlarda tuzaklanan elektromanyetik dalganın şekli ve propagasyon sabitinin davranışı incelenmiştir.

GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formundaki yapılar, kafes sabitleri hemen hemen denk olan yapıları oluşturmakta, enerji-bant yapısında yasak bantı artırmakta, kırılma indisini azaltmaktadır. Bu özellikler, GaAs ve AlxGa1-xAs malzemelerle gerçekleştirilen heterojonksiyon yapıların elde edilmesine, yarıiletken laserlerde olduğu gibi, elektromanyetik enerjinin, özellikle, optik enerjinin kuvvetlendirilmesine, klavuzlanarak fiberoptik hatlarla nakledilmelerine imkan sağlamaktadır. GaAs - bazlı yarıiletken yapılar, özellikle, laserler, ince film katmanlarından (? 40-100 A o ), oluşur. Bu kuantum boyutları, kullanılan dalga boyu ile kıyaslanabilecek derecede küçüktür ve özel etkiler doğurmaktadır. Kuantum - çukurlu yapılar, bu tür etkilerin bir sonucudur. Bu çalışmada yarıiletken katmanlarda tuzaklanan elektromanyetik dalganın şekli ve propagasyon sabitinin davranışı incelenmiştir.

Çoklu kuantum çukurlu elektroapsorptiv self elektro-optik cihazlar optik anahtarlama ve hesaplamalarında kullanılması için yoğun bir şekilde araştırılmaktadır. Kuantum çukurlu yapılara sahip self elektro-optik cihazlar, galyum-arsenit/aliminyum galyum-arsenit elektronik devrelerine ait giriş ve çıkış işaretlerinin her ikisinin birden optik olarak elde edildiği yeni bir optoelektronik teknolojidir. Optik giriş ve çıkışlar kuantum çukurlu emme özelliklerine dayanır. Bu kuantum çukurlu yapılar, günümüzde yeni boyutlar meydana getirmekte olan GaAs/AlGaAs'li yarıiletken malzemelerle yapılan pek çok ince katmanlardan meydana gelir. İlk günlerden beri bu malzemelerin fiziğinde bulunan en önemli ilerleme şu anda GaAs teknolojisinin dayandığı farklı jonksiyonlu yapıların keşfidir. GaAs/AlGaAs'li yapılar kuantum çukurlu yapıları oluşturmak ve keza yarıiletken laser, dedektör ve optik dalga klavuzlarına ilişkin anahtarlar yapmak için yasak bant ve kırılma indisi ile ilgili bazı önemli avantajlar sunar.