Search

Досліджено вплив одновісної пружної деформації на зміну рухливості носіїв струму в кристалах n Si з глибоким енергетичним рівнем 0,17 c E еВ та n Ge з глибоким енергетичним рівнем 0,2 c E еВ . Показано, що при даній концентрації глибоких центрів в кристалах n Si та n Ge особливості залежностей 0 f (X ) = при різних температурах ті ж, що і у відносно чистих кристалах n Si та n Ge без глибоких рівнів в умовах переважно фононного розсіяння., Исследовано влияние одноосной упругой деформации на изменение подвижности носителей тока в кристаллах n Si с глубоким энергетическим уровнем 0,17 c E еВ та n Ge с глубоким энергетическим уровнем 0,2 c E еВ . Показано, что при данной концентрации глубоких центров в кристаллах n Si та n Ge особенности зависимостей 0 f (X ) = при разных температурах те же, что и в относительно чистых кристаллах n Si та n Ge без глубоких уровней в условиях преимущественно фононного рассеяния., An influence of uniaxial elastic deformation on change of mobility of carriers of a current in crystals n − Si with a deep level 0,17 c E − eV and n −Ge with a deep energetic level 0,2 c E − eV is investigated. During this concentration of deep centers in crystals n − Si and n −Ge features of dependences 0 f (X ) μ = μ at different temperatures those, that and in relation to clean crystals n − Si and n −Ge without deep levels in the conditions of mainly phonon dissipation is showed.