Search

Дана бакалаврьска робота присвячена ефективності фотоелектричних перетворювачів на матеріалах АIIIBV. Метою роботи є дослідження характеристик АIIIBV ФЕП та порівняння з аналогами. В роботі пояснено будову фотоелектричного перетворювача на матеріалах АIIIBV, принцип роботи, перспективи розвитку, переваги та недоліки таких ФЕП. Загальний обсяг роботи: 56 сторінок, 16 ілюстрацій, 1 таблиця, 18 посилань. This thesis is devoted to the efficiency of photovoltaic cells based on AIIIBV. The aim of the work is to research the characteristics of AIIIBV cells and to compare with analogues. The paper explains the structure of the photoelectric cell based on AIIIBV, the principle of operation, prospects for development, advantages and disadvantages of such cells. Total volume of work: 56 pages, 16 illustrations, 1 table, 18 references.

In the article presents the following results: firstly, the numerical experiments on the generation of oscillations by means of Gunn diodes based on graded-gap AlGaInAs has been carried out, secondly, the parameters has been optimized and, thirdly, diodes output characteristics has been obtained., В статье проведены числовые эксперименты по генерации электромагнитных колебаний с помощью диодов Ганна на основе варизонного соединения AlGaInAs, оптимизированы параметры и получены выходные характеристики диодов., У статті проведено числові експерименти по генерації електромагнітних коливань за допомогою діодів Ганна на основі варізонних з'єднання AlGaInAs, оптимізовані параметри і отримані вихідні характеристики діодів

У роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та показано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней. В работе представлен метод формирования нитевидных оксидных нанокристаллитов на поверхности монокрсталлического арсенида галлия. Нанопровода были сформированы методом электрохимического травления в растворе соляной и бромистой кислот. Оценены морфологические свойства полученных структур и показана возможность применения их в качестве газовых сенсоров. Стабильность свойств нанопроводов обеспечивается наличием оксидной фазы на их пиках и по поверхности. Наклон нанопроводов объясняется исходя из устойчивости кристаллографических плоскостей их граней. The method of forming filamentary oxide nanocrystals on a surface of monocrystalline gallium arsenide. Nanowires were formed by electrochemical etching in hydrochloric acid and methyl. Reviewed morphological properties of the structures and the possibility of their use as gas sensors. The stability properties of nanowires is ensured by the oxide phase at their tops and on the surface. The slope of the nanowires is explained on the basis of the stability of crystallographic planes of their faces.

Advanced integrated logic circuits on GaAs are mainly based on the using of n-channel field-effect transistors with gate Schottky (MESFET). To create the complementary MESFET integrated circuits the main problem is quite small Schottky barrier height (< 0,5 eV) on p-type gallium arsenide. One way to solve this problem is to use a nitride or silicide tungsten compounds to form gates given the thickness and composition. This paper highlights the features of the formation of complementary high-speed logic circuits on the pGaAs with self-aligned gate based on nitride or silicide of tungsten obtained by reduced pressure horizontal reactor "Izotron 4" and of RF magnetron sputtering equipment "Oratorio-5." This technology can also be used to form a Schottky contact to n- channel MESFET. Since the manufacturing process of MESFET self-aligned gate provides using refractory gate material as a mask for the multiply ion implantation, the Schottky contact must withstand subsequent high-temperature heat treatment required to activate implanted impurities. In this connection, the action of high-temperature photonic and resistive heating on the barrier height of Schottky contact formed by nitride (silicide) tungsten (WNx, WSix) GaAs was also studied., Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.

The paper describes the development of technology of multicharged ion implantation for GaAs. This technology is essential to creating high-performance VLSI structures. The main advantage of ion implantation of GaAs is optimizing the doping profile for the active impact on the characteristics of Schottky field-effect transistors, namely reducing the surface influence on the stability of Schottky transistors and enhancing their performance by reducing the resistance of the source and drain regions. The first section of this paper presents the results of developing the GaAs-based structures with steep Schottky barrier. Next, the technology of multicharged ion implantation of P and B used to create doped pockets and security zones was described. This technology excludes thermal annealing and allows to create pockets and security zones simultaneously, which decreases the number of operations to ten and reduces the distance between the n and p transistors to 5.6 microns. Further, the characteristics of GaAs-based p+-n junctions were given, which allow to form complex structures with minimal defects, which in turn allows to create high-performance GaAs-based C-MOS transistors. Also, the paper considers the use of GaAs technology in solar cells, in which the charge carrier collection rate is increased by reducing the generation-recombination processes in the p-n junction, which greatly increases the efficiency of solar cells compared to monosilicon., Разработана технология изготовления ионно-легированных структур GaAs. Имплантация ионов кремния, бериллия, цинка проводилась в подложку с полуизолирующего арсенида галлия марки АГЧП-2а. Имплантация примеси через капсулирующее покрытие позволило получить достаточно высокие значения подвижности носителей тока в каналах полевого транзистора Шоттки (ПТШ), что позволяет формировать на них КМОП-структуры. Применение многозарядной имплантации и импульсного фотонного отжига для активации n+-области истока и стока обеспечило уровень ретроградного легирования сток-истоковых контактов на уровне (2–5)·1018 см-3., Розроблена технологія виготовлення іонно-легованих структур GaAs. Імплантація іонів кремнію, берилію, цинку проводилась в підкладку із напівізолюючого арсеніду галію марки АГЧП-2а. Імплантація домішки через капсулююче покриття дозволило отримати досить високі значення рухливості носіїв струму в каналах польового транзистора Шотткі (ПТШ), що дозволяє формувати на них КМОН-структури. Застосування багатозарядної імплантації та імпульсного фотонного відпалу для активації n+-областей витоку і стоку забезпечило рівень ретроградного легування стік-витокових контактів на рівні (2–5)·1018 см-3.

Проведено аналіз швидкодії гетероструктурних польових транзисторів із селективним легуванням (ПТГСЛ), багатоканальних ПТГСЛ та ПТГСЛ з оберненою структурою, а також польових транзисторів з гетерозатвором високої щільності. На практиці отримані ПТГСЛ із значенням часу затримки в кільцевому генераторі τD = 12,5-25 пс при Т= 300 К потужністю PD= 0,9-4,0 мВт. Використання таких транзисторів в комплементарних вентилях, дозволяє збільшити їх швидкодію в 2,5-3 раз, в порівнянні з кремнієвими. This paper analyzes performance of heterojunction FETs for LSI/VLSI structures, namely heterojunction field-effect transistors with selective doping (MODFET), multichannel MODFET and MODFET with reverse structure, as well as field-effect transistors with high density heterogate. Main feature of MODFET is a very high conductivity and quantum states in a fairly narrow channel, and also close proximity of metal gate to the channel with a large dielectric constant of GaAs layer compared to SiO₂. Thanks to these excellent features of MODFET slopein current saturation exceeds the slope MOSFET, which ensures its high performance. Use of MODFET can increase the speed of the VLSI structures in 2,5-3 times.