A theoretical research of the indium phosphide impulse properties has been carried out. The effect of the "overshoot" of the charge carriers drift velocity is analyzed. The influence of the electric field impulse parameters on the time and space distribution of the drift velocity was analyzed numerically. It is shown that the effect of the high electric field rectangular impulse on indium phosphide causes a short-term "overshoot" of the drift velocity. If the electric field is becoming stronger, the peak value of the drift velocity is getting higher but the duration of the "overshoot" is reducing. It is showing that the impulse duration does not affect the magnitude of the "overshoot" and the rate of relaxation processes. With increasing of the rectangular Impulse front duration peak values of high field "overshoot" are reducing. The impulse properties of indium phosphide and gallium arsenide were compared., Проведено теоретическое исследование импульсных свойств фосфида индия. Дан анализ эффекта «всплеска» дрейфовой скорости носителей заряда. Проведен численный эксперимент влияния параметров импульса электрического поля на временное и пространственное распределение дрейфовой скорости. Показано, что действие прямоугольного импульса сильного электрического поля в InP приводит к кратковременному «всплеску» скорости дрейфа. Получено, что с усилением поля пиковые значения скорости возрастают, а длительности «всплеска» сокращаются. Показано, что длительность импульса не влияет на величину «всплеска» и скорость релаксационных процессов. С увеличением длительности фронта прямоугольного импульса сильного поля пиковые значения «всплеска» уменьшаются. Проведено сравнение импульсных свойств фосфида индия и арсенида галлия, Проведено теоретичне дослідження імпульсних властивостей фосфіду індію. Дан аналіз ефекту «сплеску» дрейфової швидкості носіїв заряду. Проведено чисельний експеримент впливу параметрів імпульсу електричного поля на тимчасовий та просторовий розподіл дрейфової швидкості. Показано, що дія прямокутного імпульсу сильного електричного поля в InP призводить до короткочасного «сплеску» швидкості дрейфу. Отримано, що з посиленням поля пікові значення швидкості зростають, а тривалості «сплеску» скорочуються. Показано, що тривалість імпульсу не впливає на величину «сплеску» і швидкість релаксаційних процесів. Зі збільшенням тривалості фронту прямокутного імпульсу сильного поля пікові значення «сплеску» зменшуються. Проведено порівняння імпульсних властивостей фосфіду індію та арсеніду галію.