Search

В роботі вивчено еволюцію рекомбінаційно-чутливих параметрів: часу життя та довжини дифузії нерівноважних носіїв струму у кремнієвих зразках, які піддавались термічним та гетеруючим обробкам. Запропоновано ефективну технологію гетерування рекомбінаційно-активних домішок в кремнії, що полягає в нанесенні плівки Ge на тиловий бік пластини, іонному перемішуванні і постімплантаційному відпалі. Розроблено конструкцію і технологічний маршрут виготовлення конкуренто- спроможних фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії з використанням відносно низькоякісного дешевого кремнію., Изучено эволюцию рекомбинационно-чувствительных параметров: времени жизни и длины диффузии неравновесных носителей тока в кремниевых образцах, которые подвергались термическим и геттерирующим обработкам. Предложена эффективная технология геттерирования рекомбинационно-активных примесей в кремнии, которая включает нанесение пленки германия на тыльную сторону пластины, ионное переме- шивание и постимплантационный отжиг. Разработано конструкцию и техноло- гический маршрут изготовления конкурентноспособных фотовольтаических преобра- зователей солнечной энергии с использованием относительно низкокачественного недорогого кремния., Evolution of recombination-sensitive parameters such as lifetime and diffusion length of nonequilibrium carriers in silicon wafers subjected to thermal and gettering treatments have been studied. For the first time, it was proposed new technology for gettering of recombination active impurities in silicon. The technology includes deposition of Ge film onto Si wafer back side, ionbeam mixing folowed by post-implantation annealing. Construction and technological route for competitive solar energy converters production have been developed