Search

A photosensitive graphene field-effect transistor was created by depositing a reduced graphene oxide (rGO) film on the surface of the SiO2 layer on a silicon substrate, which serves as both a photosensitive medium and the field-effect transistor gate. The electrical and photoelectric properties of the field-effect transistor based on the rGO film were studied in DC and AC modes. Linear sections of the drain current on the gate voltage dependence and significant dependence of the electronic component of the rGO film conductivity on the irradiation with white light were revealed based on the analysis of the switching characteristics of the obtained field-effect transistor. A photoinduced decrease in the internal resistance and an increase in the capacitance of the conducting channel of the graphene field-effect transistor in the range of 102–105 Hz were revealed. It has been established that the photoresponse time of the obtained field-effect transistor to light pulses of IR, visible, and UV radiation is about 1.5 ms. The obtained results can be used to simplify the technology of manufacturing photodetectors based on graphene., Створено фоточутливий графеновий польовий транзистор шляхом нанесення плівки відновленого оксиду графену (rGO) на поверхню шару SiO2 на кремнієвій підкладці, яка слугує одночасно фоточутливим середовищем і затвором польового транзистора. Електричні та фотоелектричні властивості польового транзистора на основі плівки rGO досліджено в режимах постійного та змінного струму. На основі аналізу комутаційних характеристик одержаного польового транзистора виявлено лінійні ділянки залежності струму стоку від напруги затвору і суттєву залежність електронної складової провідності плівки rGO від опромінення білим світлом. Виявлено фотоіндуковане зменшення внутрішнього опору та збільшення ємності провідного каналу графенового польового транзистора у діапазоні 102–105Гц. Встановлено, що час фотовідклику одержаного польового транзистора на світлові імпульси ІЧ, видимого та УФ випромінювання становить близько 1,5 мс. Отримані результати можуть бути використані для спрощення технології виготовлення фотодетекторів на основі графену.

Об’єктом розгляду є моделювання диференційних підсилювачів та побудова частотних і шумових характеристик, температурних залежностей та топологічних креслень в середовищі CADENCE. Предмет роботи – створення математичних моделей диференційних підсилювачів в середовищі CADENCE. Метою роботи є демонстрація сучасних способів моделювання та симуляції роботи електричних схем та порівняння роботи диференційних підсилювачів на біполярних та польових транзисторах. У першому розділі дані загальні теоретичні відомості щодо підсилювальних каскадів . У розділі 2 наведено принципові схеми та топологічні креслення розроблених у середовищі CADENCE диференційних підсилювачів. Третій розділ містить аналіз вихідних характеристик розроблених схем. В четвертому розділі представлено розробку стартап-проекту. Роботу виконано згідно вимог нормативних документів КПІ ім. Ігоря Сікорського та чинних державних стандартів. The object of consideration is modeling of differential amplifiers and building of frequency and noise characteristics, temperature dependences and topological drawings in CADENCE environment. The subject of work is the creation of mathematical models of differential amplifiers in the CADENCE environment. The aim of the work is to demonstrate modern methods of modeling and simulation of electrical circuits and to compare the operation of differential amplifiers on bipolar and field-effect transistors. The first section provides general theoretical information on amplifier cascades. Section 2 presents schematic diagrams and topological drawings of differential amplifiers developed in the CADENCE environment. The third section contains an analysis of the output characteristics of the developed schemes. The fourth section presents the development of a startup project. The work was performed in accordance with the requirements of normative documents of Igor Sikorsky KPI and current state standards.

Польові транзистори – трьохелектродні напівпровідникові прилади, у яких керування електричним струмом виконується за допомогою електричного поля. Призначення такого транзистора – підсилення електромагнітних коливань.

Система протипожежної безпеки транспортного засобу, що містить автоматичний електронний вимикач акумуляторної батареї - польовий транзистор, датчики, запобіжник і акумуляторну батарею, яка відрізняється тим, що стік польового транзистора підключений до позитивного полюса акумулятора, витік польового транзистора підключений до основних силових споживачів, затвор через датчик ізотропного акселерометра, датчики контролю температури і контакт замка запалення підключений до позитивного полюса акумулятора, а бортовий комп'ютер, система охоронної сигналізації, радіоустаткування, зовнішнє габаритне освітлення і освітлення салону підключені до бортової мережі через диференціальні запобіжники The system of the vehicle`s fire safety containing the automatic electronic battery switch - field-effect transistor, sensors, fuses and the battery, wherein the FET drain that is connected to the positive pole of the battery, the source of the FET connected to the main power consumers,the gate connected to the positive pole of the battery though the isotropic accelerometer, sensor of the temperature control and ignition lock`s contacts. The on-board computer, the alarm system, the radio equipment, the external outline lighting and interior lighting connected to the onboard network though the differential fuses