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Within the quest for direct band-gap group IV materials, strain engineering in germanium is one promising route. We present a study of the strain distribution in single, suspended germanium nanowires using nanofocused synchrotron radiation. Evaluating the probed Bragg reflection for different illumination positions along the nanowire length results in corresponding strain components as well as the nanowire's tilting and bending. By using these findings we determined the complete strain state with the help of finite element modelling. The resulting information provides us with the possibility of evaluating the validity of the strain investigations following from Raman scattering experiments which are based on the assumption of purely uniaxial strain.

Within the quest for direct band-gap group IV materials, strain engineering in germanium is one promising route. We present a study of the strain distribution in single, suspended germanium nanowires using nanofocused synchrotron radiation. Evaluating the probed Bragg reflection for different illumination positions along the nanowire length results in corresponding strain components as well as the nanowire's tilting and bending. By using these findings we determined the complete strain state with the help of finite element modelling. The resulting information provides us with the possibility of evaluating the validity of the strain investigations following from Raman scattering experiments which are based on the assumption of purely uniaxial strain.

Películas delgadas de Dióxido de Titanio (TiO2) fueron crecidas usando deposición física de vapor asistida por plasma (DFVAP) en un sistema de arco catódico a partir de un blanco de Ti. Para la producción de las películas, dentro de la cámara de reacción se ubicaron dos electrodos enfrentados (blanco y sustrato) a una distancia inter-electródica de 4 mm, la cámara de reacción se llenó con una mezcla de gases de argón y oxigeno hasta alcanzar la presión óptima de trabajo (2 mbar). Las descargas se realizaron a partir de un circuito RLC, el cual permite hacer variaciones de voltaje inter electródico de 0 a 300 voltios, con una corriente máxima de 300 amperios. Con GIXRD (Difracción de Rayos X a Incidencia Rasante) se evaluaron las fases cristalinas, el coeficiente de textura, tamaño del cristalito, micro deformación y el parámetro de red de las películas. Usando la ecuación de Scherrer se determino el tamaño del cristalito y la micro deformación teniendo en cuanta el ensanchamiento instrumental del equipo de XRD, además, para el refinamiento Rietveld se empleo una función pseudo voigt. El análisis de GIXRD muestra la formación de las fases rutilo y anatasa del TiO2, con estructura cristalina tetragonal y orientación en los planos (210) y (004), (204) respectivamente. Por medio del análisis de Microscopia Electrónica de Barrido (MEB) y espectroscopia de Energía Dispersiva de Rayos-X (EDX), micrografías y la composición elemental de los recubrimientos fueron obtenidas. Usando µ-RAMAN se corroboro la presencia de las fases correspondientes al TiO2.

Películas delgadas de Dióxido de Titanio (TiO2) fueron crecidas usando deposición física de vapor asistida por plasma (DFVAP) en un sistema de arco catódico a partir de un blanco de Ti. Para la producción de las películas, dentro de la cámara de reacción se ubicaron dos electrodos enfrentados (blanco y sustrato) a una distancia inter-electródica de 4 mm, la cámara de reacción se llenó con una mezcla de gases de argón y oxigeno hasta alcanzar la presión óptima de trabajo (2 mbar). Las descargas se realizaron a partir de un circuito RLC, el cual permite hacer variaciones de voltaje inter electródico de 0 a 300 voltios, con una corriente máxima de 300 amperios. Con GIXRD (Difracción de Rayos X a Incidencia Rasante) se evaluaron las fases cristalinas, el coeficiente de textura, tamaño del cristalito, micro deformación y el parámetro de red de las películas. Usando la ecuación de Scherrer se determino el tamaño del cristalito y la micro deformación teniendo en cuanta el ensanchamiento instrumental del equipo de XRD, además, para el refinamiento Rietveld se empleo una función pseudo voigt. El análisis de GIXRD muestra la formación de las fases rutilo y anatasa del TiO2, con estructura cristalina tetragonal y orientación en los planos (210) y (004), (204) respectivamente. Por medio del análisis de Microscopia Electrónica de Barrido (MEB) y espectroscopia de Energía Dispersiva de Rayos-X (EDX), micrografías y la composición elemental de los recubrimientos fueron obtenidas. Usando µ-RAMAN se corroboro la presencia de las fases correspondientes al TiO2.