Search

In order to apply the vacuum deposited polyaniline (PAN) films as sensitive to pH level elements of fibril — optic sensors (FOS) a technology of polymer deposition has been developed. It gives a possibility to obtaining the conducting emeraldine form of PAN by means of the known methods of proton doping. Effect of vacuum deposition temperature on the refractive index and spectral characteristics of the films has been established. Based on the PAN films optical response on the hydrogen index of medium the FOS of the pH level has been worked out., С целью использования пленок полианилина (ПАН), полученных методом вакуумного напыления, в качестве чувствительных к уровню рН элементов волоконно-оптических сенсоров (ВОС) разработана технология осаждения полимера, позволяющая путем использования стандартных методов протонирования получать проводящую эмеральдиновую форму ПАН. Установлено влияние температуры осаждения на показатель преломления и спектральные характеристики пленок. На основе изменения оптического отклика пленок ПАН в зависимости от значения водородного показателя среды разработан ВОС уровня рН., З метою застосування вакуумно напилених плівок поліаніліну (ПАН) як чутливих до рівня рН елементів волоконно-оптичних сенсорів (ВОС) розроблена технологія осадження полімеру, яка дала змогу шляхом використання стандартних методів протонування отримати провідну емеральдинову форму ПАН. Встановлено вплив температури осадження на показник заломлення і спектральні характеристики плівок. На основі результатів досліджень зміни оптичного відгуку плівок ПАН від рівня водневого покажчика середовища розроблено ВОС рівня рН.

The technique of GaAs ionic sputtering in the ammonia environment using crossed electrical and magnetic fields for gallium nitride structures formation on the GaSe substrates, with an aim to create sensors of ultraviolet radiation, is proposed. The optimization of reactor linear dimensions resulting in homogenous gallium nitride films production have been performed. The results of X-ray phase analysis of GaSe GaN heterostructures revealed polycrystalline hexagonal gallium nitride film on the samples surface. In particular the (110) plane peak is present at the patterns which corresponds to hexagonal GaN. The cathodoluminescent properties of GaSe GaN heterostructures have been studied., Предложен метод ионного распыления GaAs в атмосфере аммиака, осуществляющийся в скрещенных электрическом и магнитном полях для формирования нитридо- галлиевых структур на подложке GaSe, с целью формирования сенсоров ультрафіолетового излучения. Проведена оптимизация линейных размеров реактора с целью получения однородных пленок нитрида галлия. Результаты рентгенофазового анализа гетероструктуры GaSe GaN указывают на присутствие поликристаллической пленки гексагонального нитрида галлия на поверхности образцов. В частности, на дифрактограммах присутствует линия (110), соответствующая гексагональному GaN. Изучены катодолюминесцентные свойства гетероструктуры GaSe GaN., Запропонований метод іонного розпилення GaAs а аміачній атмосфері, що відбувається в схрещених електричному і магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур на підкладці GaSe, з метою створення сенсорів ультрафіолетового випромінювання. Проведено оптимізацію лінійних розмірів реактора з метою отримання однорідних плівок нітриду галію. Результати рентгенофазового аналізу гетероструктури GaSe-GaN вказують на присутність полікристалічної плівки гексагонального нітриду галію на поверхні зразків. Зокрема, на дифрактограмах присутня лінія (110), що відповідає гексагональному GaN. Вивчено катодолюмінесцентні властивості гетероструктури GaSe-GaN.