The magnetoresistance of avalanching semiconductor diodes is analyzed in terms of the Lorentz force acting on a Maxwellian distribution of carriers, assuming a scattering mechanism characterized by a constant mean free path. At low current levels, the magneto-resistance only arises in the generation region close to the junction interface, and is a result of the reduction in the hot carrier temperature caused by the deflection of the carriers from their original trajectories. The fractional change in the maximum field strength in the junction to maintain the carrier temperature at its original value is shown to be ΔEm/Em = 0.388 (μ(Em) H)2 where μ(Em) is the conductivity mobility corresponding to the average scattering rate of carriers in equilibrium with the maximum field in the junction. This magnetoresistance may be determined through measurement of the change in reverse bias required to maintain a constant avalanche current through the device. At high current levels a correction must be made for the magnetoresistance of the bulk semiconductor in series with the exhaustion region. From measurements on a series of diodes with different breakdown field strengths, it is possible to measure the field dependence of the scattering rate of the majority carriers on the lower doped side of the junction at field strengths of interest in device operation. The predictions of the paper are in good agreement with experimental observations. Es wird der Magnetowiderstand von Halbleiter-Avalanche-Dioden mit der Lorentzkraft, die auf eine Maxwellverteilung von Ladungstragern wirkt, analysiert, wobei ein Streumechanismus angenommen wird, der durch eine konstante mittlere freie Weglange charakterisiert ist. Bei niedrigen Stromen entsteht der Magnetowiderstandseffekt in dem Generationsbereich in der Nahe der Ubergangsgrenzflache und ist ein Ergebnis der Verringerung der Temperatur der heisen Ladungstrager, die durch die Ablenkung der Ladungstrager von ihren ursprunglichen Bahnen verursacht wird. Es wird gezeigt, das die Teilanderung der maximalen Feldstarke am Ubergang, die die Ladungstragertemperatur auf ihrem ursprunglichen Wert halt, ΔEm/Em = 0,388 (μ(Em) H)2 ist, wobei μ(Em) die Leitfahigkeitsbeweglichkeit ist, die der mittleren Streurate der Ladungstrager im Gleichgewicht mit dem Maximalfeld im Ubergang entspricht. Dieser Magnetowiderstandseffekt kann durch Messung der Anderung der Vorspannung bestimmt werden, die erforderlich ist, um einen konstanten Lawinenstrom in der Diode aufrechtzuerhalten. Bei hohen Stromen mus eine Korrektur fur den Magnetowiderstandseffekt des Halbleitervolumens in Reihe mit der Vorarmungs region angebracht werden. Aus Messungen einer Reihe von Dioden mit unterschiedlicher Durchbruchsfeldstarke ist es moglich, die Feldabhangigkeit der Streurate der Majoritatstrager an der niederdotierten Seite des Ubergangs bei Feldstarken, die fur die Arbeitsbereiche des Elements interessant sind, zu messen. Die Vorhersagen der Arbeit befinden sich in guter Ubereinstimmung mit experimentellen Beobachtungen.