1. Detection of galvanomagnetic effects in trigonal selenium crystals
- Author
-
C. H. Champness and K. T. Chan
- Subjects
Electron mobility ,Magnetoresistance ,Condensed matter physics ,Hall effect ,Chemistry ,Analytical chemistry ,chemistry.chemical_element ,Trigonal crystal system ,Condensed Matter Physics ,Transverse magnetoresistance ,Selenium ,Electronic, Optical and Magnetic Materials ,Magnetic field - Abstract
Hall effect and transverse magnetoresistance have been detected in unilluminated monocrystalline trigonal selenium samples at room temperature with a signal-to-noise ratio of the order of ten. The magnetoresistance change increased quadratically with magnetic field strength (B). An average hole mobility (μ1μ3)1/2 of 80 cm2 V−1s−1 was obtained from magnetoresistance of 37 cm2 V−1 s−1 from magnetoconductivity assuming the existence of inhomogeneity effects. Hall mobilities were two orders of magnitude smaller. Hall voltage was found to increase linearly with B but slightly superlinearly with sample current. Halleffekt und transversaler transversaler Magnetowiderstand wurden an unbelichteten, monokristallinen, trigonalen Selenproben bei Zimmertemperatur und mit einem Rauschabstand der Grosenordnug von zehn nachgewiesen. Die Magnetowiderstandsanderung nahm mit der magnetischen Feldstarke (B) quadratisch zu. Es ergab sich ein Durchschnittswert der Locherbeweglichkeit (μ1μ3)1/2 von 80 cm2 V−1 s−1 aus dem Magnetowiderstand bzw. 37 cm2 V−1 s−1 aus der Magnetoleitfahigkeit, wobei das Vorhandensein von Inhomogenitaten angenommen wird. Die Hallbeweglichkeiten waren grosenordnungsmasig zweimal kleiner. Die Hallspannung nahm mit B linear bzw. mit dem Probenstrom geringfugig uberlinear zu.
- Published
- 1974
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