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The anodic dark current at the single crystal CdS/indifferent electrolyte interface was studied on different crystal faces of several samples as a function of applied voltage, of pretreatment of the crystal, of electrolyte composition and of temperature. The results indicate that electron tunneling from surface states located at about 0.12 eV below the conduction band edge into the crystal constitutes the rate-determining step of the electrode reaction. The observed activation energy of 0.42 eV is interpreted on the basis of an equilibrium between the surface states and the solution. The influence of preliminary etching on the current is attributed to changes in the number of surface states. Der anodische Dunkelstrom durch die Phasengrenze zwischen einem CdS-Einkristall und einem indifferenten Elektrolyten wurde auf verschiedenen Kristalloberflachen mehrerer Spezimes in Abhangigkeit von der angelegten Spannung, der Vorbehandlung des Kristalls, der Zusammensetzung des Elektrolyten und der Temperatur untersucht. Die Ergebnisse weisen darauf hin, das ein Tunnelvorgang von Elektronen aus Oberflachenzustanden lokalisiert auf etwa 0,12 eV unter der Leitungsbandkante zum Kristallinneren der geschwindigkeitsbestimmende Teilschritt der Elektrodenreaktion ist. Die gemessene Aktivierungsenergie von 0,42 eV wird auf Grund eines Gleichgewichts zwischen den Oberflachenzustanden und der Losung gedeutet. Der Einflus vorangehender Atzung auf den Strom wird Veranderungen der Zahl von Oberflachenzustanden zugeschrieben.