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Zusammenfassung Die endovaskulare Brachytherapie mit Hilfe eines mit Re-188-Losung gefullten Ballonkatheters ist eine Erfolg versprechende Methode zur Restenoseprophylaxe nach perkutaner transluminaler Angioplastie (PTA) im peripheren Stromgebiet. Dabei wird Re-188 mit einer Aktivitat von ca. 20 GBq mit einer spezifischen Aktivitatskonzentration von ca. 5 GBq/ml zur Therapie verwendet. Die grose Ionisationsdichte hochenergetischer Betastrahlung dient in unmittelbarer Nahe der Ballonoberflache zur selektiven Bestrahlung der Gefaswand bei weitgehender Schonung des umgebenden Gewebes. Das Personal hat jedoch sowohl bei der Vorbereitung als auch bei der Therapie einige Arbeitsschritte in unmittelbarer Nahe der hohen Aktivitaten auszufuhren. Dabei kann es zu relativ hohen Expositionen der Haut kommen, insbesondere an den Handen des Personals. Bei Abschatzungen der maximalen lokalen Hautdosis und deren Messung mit Dunnschicht-Thermolumineszenzdosimetern wurde festgestellt, dass bei der geplanten jahrlichen Zahl von 75 Anwendungen bei konventioneller Durchfuhrung der Therapie der Jahresgrenzwert fur die Haut von 500 mSv deutlich uberschritten werden kann. Der Einsatz des neu entwickelten Applikationsgerates “FlowMedical Application System” fuhrte zur drastischen Senkung des Expositionsrisikos des Personals. Die maximale lokale Hautdosis konnte sowohl fur den Radiologen als auch fur den Medizinphysiker von 76 mSv bzw. 50 mSv auf jeweils ca. 2 mSv pro Anwendung reduziert werden. Infolgedessen ist die in dieser Klinik praktizierte itm Rhenium-PTA® aus strahlenhygienischer Sicht eine sichere Methode. Grenzwertuberschreitungen konnen dabei vermieden werden.

Zusammenfassung Durch die Entwicklung des Sentinel-Lymphknotenkonzeptes bei Malignem Melanom [11] ist eine rasch zunehmende Anwendung der Sentinel-Lymphadeneklomie zu verzeichnen. Hierbei werden Gamma-Messonden zur intraoperativen Lokalisation radioaktiv markierter Lymphknoten eingesetzt. Die Anzahl kommerziell erhaltlicher Messysteme hierfur steigt stetig. Fur deren Beurteilung haben wir Qualitatskriterien erarbeitet. Drei Gerate verschiedener Hersteller wurden in der Praxis getestet und deren Qualitatsmerkmale bestimmt. Fur die verschiedenen Sondensysteme zeigten sich wesentliche Qualitatsunterschiede.

A newly developed ion beam assisted deposition system is introduced which includes a facility to illuminate samples by UV light during the deposition process in order to enhance motion of deposited atoms, interfacial reactions between substrate and coating as well as reactions between growing layer and environmental gas. This PHIBAD system was used to produce thin δ-TiN by deposition of titanium on Si(001) under low-energy argon ion irradiation and simultaneous illumination with UV light in a defined nitrogen environment at room temperature. The composition of the TiN films was investigated by elastic recoil detection and the structure by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. The impurity content (oxygen, carbon) of TiN films formed by Ar + ion assisted deposition is significatly lower than in films produced without ion irradiation. The orientation of the TiN crystallites changes from 〈111〉 without ion irradiation to 〈001〉 under ion impingement. The uniform alignment becomes stronger with increasing ion energy. The UV-light illumination during deposition in a gas environment without ion irradiation leads to stronger (111) and with ion assisted deposition to stronger (001) oriented TiN films.

A newly developed facility for photon and ion beam assisted deposition was built and successfully tested for simultaneous deposition, ion bombardment and UV-light irradiation of thin films in a defined gas environment. This system was used to produce thin films of the cubic δ-TiN phase on Si(001) by the deposition of titanium in a nitrogen gas atmosphere and irradiation by Ar + ions. The effect of an additional UV-light irradiation during TiN deposition with and without ion bombardment was studied by X-ray diffraction pole figure measurements using synchrotron radiation. The results demonstrate that the UV-light irradiation during deposition without ion bombardment leads to stronger {111} oriented TiN films and the ion assisted deposition with simultaneous UV-light irradiation results in a distinct emphasis of the [001] orientation of the TiN crystallites. The irradiation with UV-light increases drastically the preferential alignment of the titanium nitride crystallites. As an important consequence, photon irradiation in combination with the well known ion beam assisted deposition is expected to have an advantageous influence on the structure of thin films.