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ガラス基板上に銅微細回路パターンを形成することを目的として，カルボン酸を電子ドナーとする光化学還元法について検討した。銅イオンの光化学還元反応は，UV照射部全面で起こるが，それを水で洗浄するとあらかじめガラス基板上に形成した疎水性のn-octadecyl trimethoxysilaneパターン上にのみ銅析出物が残存した。親水性のガラス表面に析出した銅薄膜は，水のような極性溶媒による洗浄により，選択的にリフトオフされる。析出する銅薄膜の厚さは，UV照射の時間により容易に制御することができる。局部分極曲線の測定の結果，本研究の光化学還元法において混成電位理論が成立することが明らかとなった。

スズ-亜鉛共晶合金は, 融点が現行のスズ-鉛共晶合金のそれに近いことから, 鉛フリーはんだの候補として期待されている。ポリオキシエチレン-α-ナフトール (POEN) を添加剤とするスルホコハク酸浴から, カソード電流密度0.5～3A/dm2において, 共晶組成 (亜鉛9mass%) を有する合金皮膜が得られた。POENの添加は, スズ析出の分極を増大し, 低電流密度領域におけるスズの優先析出を抑制することにより, 亜鉛の共析を可能にした。めっき浴は極めて安定であり, 6カ月経過後においてもSn4+化合物の沈殿形成は認められなかった。スズ-亜鉛共晶合金皮膜は, β-スズ相と亜鉛相からなり, その融点は198℃であった。銅素地上のスズ-亜鉛共晶合金皮膜には, 1年間の室温経時後においてもウイスカの発生は認められなかった。

Sn-Cu-Ag合金めっきは, Sn-Pbはんだめっきの代替として有望であり, 優れた耐熱疲労特性を有している。トリスー3ーヒドロキシプロピルホスフイン (T3HPP) , ポリオキシエチレンーαーナフトール (POEN) および2, 2, -ジチオジァニリン (DTDA) を添加剤とするメタンスルホン酸浴から, 電流密度0.5～5A/dm2において, 目的組成Sn-0.7Cu-0.3Ag (組成: mass%) の合金皮膜が得られた。T3HPPの添加は, 浴の安定性を著しく改善した。この合金皮膜は, β-Sn相とCu6Sn5相およびAg3Sn相からなり, その融点はほぼ225℃の値を示した。銅素地上のSn-0.7Cu-0.3Ag合金皮膜には, 6カ月の室温経時後においてもウイスカの発生は認められなかった。

仮硬化ポリイミド樹脂表面のカルボキシル化, 銅 (II) イオンの吸着・還元および熱圧着のプロセスによる銅のDirect Metallization法について検討した。仮硬化ポリイミド樹脂は水酸化カリウム水溶液で処理することにより, イミド環の開裂に伴い樹脂表面にカチオン交換基であるカルボキシル基およびアミド結合が形成された。イオン交換反応による銅 (II) イオンの吸着および還元のプロセスにより, 樹脂表面に銅薄膜が形成した。この銅薄膜の表面電気伝導率は, 1.6×10-2S/□であり直接電気銅めっきが可能であった。300℃, 24.5MPaの熱圧着によりポリイミド樹脂と銅薄膜との間のピール強度は, 1.10kN/mに達した。