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Infrared measurements are made on ZnTe doped with Ag, Cu, and Au acceptor impurities. Observed transitions are discussed in the framework of the theory of Baldereschi. The binding energies Ea are (123.8 ± 0.5), (150.3 ± 0.5), and (271.6 ± 0.5) meV for Ag, Cu, and Au impurity, respectively, These results are in good agreement with that deduced from luminescence experiments. The average number of emitted phonons N is deduced for all known acceptors in ZnTe (Li, P, As, Ag, Cu, and Au) using luminescence and IR measurements. An empirical relation N equals; 62E2a is found. The cross-section for Au in ZnTe is found to be (3.5 ± 0.7) × 10−16 cm2 with an effective field ratio which ranges between 2.3 and 4. Des mesures de transmission infrarouge ont ete effectuees sur des echantillons de ZnTe dopes avec les accepteurs Ag, Cu et Au. La discussion, a partir de la theorie de Baldereschi, a permis de definir les energies d'ionisation Ea. Les valeurs de Ea sont (123,8 ± 0,5); (150,3 ± 0,5) et (271,6 ± ± 0,5) me V pour Ag, Cu et Au respectivement, en excellent accord avec celles deduites des experiences de luminescence. Les mesures de transmission IR et de luminescence ont aussi permis de determiner le nombre moyen de phonons emis N, pour tous les accepteurs connus dans ZnTe (Li, P, As, Ag, Cu, Au), et la relation empirique N equals; 62E2a a pu ětre deduite. Enfin, la section de capture optique de l'accepteur Au dans ZnTe a ete deduite des mesures de transmission IR. On a trouve σ equals; (3,5 ± 0,7) × 10−16 cm2 avec un coefficient de champ effectif se situant entre 2, 3 et 4.

A systematic study of acceptors incorporated by diffusion is carried out on refined melt-grown ZnTe. The properties of five substitutional acceptors are investigated by low-temperature photoluminescence. Since the binding energy of excitons on neutral acceptors is almost unaffected by the central cell potential, the neutral acceptors are identified by the two-hole transitions which give accurate values of acceptor ionization energies. The two dominant acceptors “b” at 61 meV and “a” at 149 meV are identified as LiZn and CuZn, respectively, while the hole binding energies on NaZn, AgZn, and AuZn are established as 62.8, 123, and 272 meV, respectively. These experiments show that all the relatively shallow acceptors involve impurities and not stoichiometric defects. Une etude systematique des accepteurs introduits par diffusion a ete faite sur ZnTe. Les proprietes de cinq accepteurs sont etudiees en photoluminescence. Comme l'energie de liaison des excitons sur les accepteurs neutres n'est pas affectee par le potentiel de cellule centrale, les accepteurs sont identifies grǎce aux transitions deux-trous qui donnent une valeur tres precise de la profondeur de chaque niveau. Les deux accepteurs dominants: “a” a 149 meV et “b” a 61 meV sont attribues au lithium et au cuivre en site zinc alors que les niveaux accepteurs introduits par Na, Ag et Au sont respectivement a 62.8, 123 et 272 meV. L'ensemble de ces experiences montre que tous les accepteurs peu profonds mettent en jeu des impuretes et non des defauts de stoechiometrie.