12 results on '"Arnould, Jean-Daniel"'
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2. A compact and selective low-pass filter with reduced spurious responses, based on CPW tapered periodic structures
- Author
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Kaddour, Darine, Pistono, Emmanuel, Duchamp, Jean-Marc, Arnould, Jean-Daniel, Eusebe, Herve, Ferrari, Philippe, and Harrison, Robert G.
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Electric filters -- Design and construction ,Circuit design -- Analysis ,Waveguides -- Design and construction ,Circuit designer ,Integrated circuit design ,Business ,Computers ,Electronics ,Electronics and electrical industries - Abstract
This paper describes a new low-pass filter topology based on tapered periodic structures. These filters exhibit interesting characteristics in terms of compactness, return loss, insertion loss, selectivity, and the suppression of spurious frequency bands. Hybrid prototypes with a 1-GHz cutoff frequency, based on a coplanar-waveguide technology, and using both low-cost and high-performance substrates, have been fabricated and measured. Spurious frequency bands can be suppressed to below -22 dB at frequencies up to 20 GHz. Passband ripples are negligible, and the return loss is better than 20 dB. A two-section filter has a length of 0.2 [lambda] and exhibits a--120-dB/dec selectivity, while a six-section filter is 0.51 [lambda] long and has a -560-dB/dec selectivity. A design procedure has been established. These filters are compatible with monolithic microwave integrated circuit technologies in which the capacitors can be realized as metal-insulator-metal structures. Index Terms--Bragg cutoff frequency, low-pass filters, periodic structures, spurious frequency suppression, tapered structures.
- Published
- 2006
3. Toward a simulation of an optically controlled microwave microstrip line at 10 GHz
- Author
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Arnould, Jean-Daniel, Vilcot, Anne, and Meunier, Gerard
- Subjects
Magnetism -- Research ,Anisotropy -- Usage ,Finite element method -- Usage ,Business ,Electronics ,Electronics and electrical industries - Abstract
This paper deals with a microwave microstrip line that is terminated by a laser illumination, which alters the behavior of this microwave device. The first result is the numerical simulation of the microstrip line ended by a photoinduced load with the finite element method (FEM) and with hexahedral edge elements. The main difficulties of this kind of simulation remains in the fact that we deal with an open structure and that the photoinduced load is complex and inhomogeneous. Index Terms--Anisotropic and inhomogeneous complex medium, finite element method, optical control, photoinduced load.
- Published
- 2002
4. Dispositifs accordables en radiofréquence
- Author
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Arnould, Jean-Daniel, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Grenoble, Serge TOUTAIN(Serge.Toutain@univ-nantes.fr), and Arnould, Jean-Daniel
- Subjects
dispositifs accordables ,adaptation d'impédances ,[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ,amplificateur de puissance ,contrôle optique ,[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics - Abstract
Depuis la fin de ma thèse, mes travaux de recherche se sont orientés vers la modélisation, la conception et la caractérisation de dispositifs passifs hyperfréquences accordables. L'accordabilité pouvant être envisagée aussi bien par du contrôle optique sur substrat silicium haute résistivité, que par des varactors intégrés ou reportés, ou bien encore par des capacités MIM ferromagnétiques. Ces activités sont à la fois liées au domaine de la modélisation électrique et électromagnétique de filtres et d'adaptateurs d'impédances accordables ainsi qu'au domaine des techniques de mesures sensibles hyperfréquences sur silicium. Je résumerai donc ces recherches qui s'appuient sur les travaux des doctorants et stagiaires que j'ai encadrés depuis une dizaine d'années.
- Published
- 2012
5. Miniaturized Semi-Lumped UWB Bandpass Filter with Improved out-of-band performances
- Author
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Kaddour, Darine, Arnould, Jean-Daniel, Ferrari, Philippe, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Arnould, Jean-Daniel
- Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ,ACL ,[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics - Abstract
International audience; A miniaturized ultra wideband (UWB) bandpass filter with improved out-of band performances is presented in this paper. Based on the combination of low-pass and high-pass filters, the UWB filter is realized in a semi-lumped technology using microstrip transmission lines and surface mounted capacitors. In this paper, the filter de-sign rules have been carried out. Furthermore, filters having a 3-dB fractional bandwidth of 142% centered at 0.77 GHz have been realized. Measurements in good agreement with simulations, show attractive properties of return loss (|S11
- Published
- 2010
6. Transfert isolé des signaux de commande dans le contexte de l'intégration pour les composants actifs d'électronique de puissance
- Author
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Rouger, Nicolas, Vafaei, Raha, To, Duc, Le, Long, Corrao, Nicolas, Arnould, Jean-Daniel, Lembeye, Yves, Crebier, Jean-Christophe, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Sciencesconf.org, CCSD
- Subjects
[SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power ,[SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power - Abstract
Cet article présente plusieurs solutions originales afin de réaliser un transfert isolé des ordres de commutation pour les semiconducteurs de puissance. Sous la contrainte de l'intégration aussi bien monolithique qu'hétérogène, trois solutions sont présentées de façons théoriques et expérimentales. Le premier mode de réalisation intégrée de l'isolation galvanique est une solution optique intégrée au composant de puissance et/ou au sein de son circuit de commande de type CMOS. Les performances statiques et dynamiques des récepteurs optiques sont tout à fait compatibles avec l'application. Enfin, plusieurs transformateurs sans noyau magnétique sont conçus, analysés et caractérisés via une réalisation CMOS, en prenant un soin particulier aux couplages hautes fréquences et éléments parasites. Ce circuit de transmission électromagnétique des ordres est intégré avec plusieurs fonctions de pilotages et le bon fonctionnement de l'ensemble du driver est démontré aussi bien pour les composants Haute Tension High Side que Low Side.
- Published
- 2014
7. Comparison of De-embedding Methods for Long Millimeter and Sub-Millimeter-Wave Integrated Circuits
- Author
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Velayudhan, Vipin, Pistono, Emmanuel, Arnould, Jean-Daniel, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Velayudhan, Vipin
- Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics] ,[SPI] Engineering Sciences [physics] - Abstract
National audience; This paper compares several de-embedding methods over millimeter and sub-millimeter wave frequen-cies in integrated technology. These methods are compared for S-CPW transmission lines considered as device under test. From these comparisons we propose an effective way to de-embed transmission lines. A method called "Half-Thru de-embedding method" is especially discussed. The SCPW transmission line model and results are obtained from Ansys HFSS Simulations in BiCMOS 55-nm integrat-ed technology.
- Published
- 2014
8. Contribution to model with the finite element method high frequency optically controlled devices
- Author
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Arnould, Jean-Daniel, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, Anne VILCOT, Gérard MEUNIER(anne.vilcot@phelma.grenoble-inp.fr), and Arnould, Jean-Daniel
- Subjects
Controle optique ,optical control ,[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ,finite element method ,éléments finis ,Hyperfréquences ,high frequency ,Modélisation numérique ,[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics - Abstract
The numerical simulation of optically controlled microwave passive components raises the double problem of the high frequency and optical behaviors of the semiconductor enlightened by a laser beam.Suggested modellings are based on the finite element method which allows a discretization of the wave equations and the taking into account of the optical injection by an equivalent permittivity area.Bi- and three-dimensional formulations of the eigenvalues problem and high frequency propagation are presented, as well as the optical coupling.The main part of the work concerns the carriers injection modelling in the semiconductor substrate subjected to a high frequency wave.The enlightened substrate behaves like a plasma having a carriers concentration variation governed by a simplified model of ambipolar diffusion.In order to avoid the nonphysical phenomena appearance called spurious modes, related to the numerical methods using the classical nodal finite element method and to obtain accurate results, we choose to use edge finite elements of a higher order.The carried out developments are applied and checked on simple high frequency structures and on the particular case of the open microstrip line enlightened by a suitable wavelength and strong power laser., La simulation numérique de composants microondes passifs contrôlés optiquement pose le double problème des comportements hyperfréquence et optique du semiconducteur éclairé par un faisceau laser. Les modélisations proposées sont basées sur la méthode des éléments finis qui permet une discrétisation des équations d'ondes et la prise en compte de l'injection optique par une zone de permittivité équivalente.Des formulations bi- et tri-dimensionnelles des problèmes aux valeurs propres et de propagation hyperfréquence sont présentées, ainsi que le couplage optique. L'essentiel des travaux porte sur la modélisation de l'injection de porteurs dans un substrat semiconducteur soumis à une onde hyperfréquence.Le substrat éclairé se comporte comme un plasma ayant une variation de la concentration des porteurs régie par un modèle simplifié de diffusion ambipolaire.Afin d'éviter l'apparition de phénomènes non physiques liés aux méthodes numériques utilisant les éléments finis nodaux et d'obtenir des résultats précis, nous avons choisi d'utiliser des éléments finis d'arêtes d'ordre supérieur.Les développements réalisés sont appliqués et vérifiés sur des structures hyperfréquences simples et sur le cas particulier de la ligne microruban ouverte éclairée par un laser de longueur d'onde appropriée et de forte puissance.
- Published
- 2002
9. Design and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chip
- Author
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Simonot Timothe, Arnould Jean-Daniel, Rouger Nicolas, Crebier Jean-Christophe, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Garcia, Sylvie
- Subjects
010302 applied physics ,Engineering ,business.industry ,[SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power ,020208 electrical & electronic engineering ,Electrical engineering ,Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY ,02 engineering and technology ,Converters ,Chip ,01 natural sciences ,law.invention ,CMOS ,Electromagnetic coil ,law ,Logic gate ,0103 physical sciences ,Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS ,0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering ,Electronic engineering ,Gate driver ,Power semiconductor device ,Transformer ,business ,[SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power - Abstract
International audience; With the development of multi-level, multiphase or network converters requiring the implementation of numerous distinct power transistor gate drivers, the control signal insulation is becoming more and more important in power converters. This paper presents an isolation technique based on a coreless transformer integrated in a CMOS silicon die together with the gate driver and other required functions. The associated demodulation circuit will also be presented, as the control signal must be modulated at a high frequency through the coreless transformer. The chosen design methodology will be explained and experimental results will be shown in order to validate the functionality.
- Published
- 2011
10. Complete Design and Measurement Methodology for a RF Tunable Impedance Matching Network
- Author
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Hoarau, C., Corrao, N., Arnould, Jean-Daniel, Ferrari, P., Xavier, P., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Subjects
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism ,ComputingMilieux_MISCELLANEOUS - Abstract
International audience
- Published
- 2008
11. Design and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chip
- Author
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Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Simonot, Timothé, Rouger, Nicolas, Crébier, Jean-Christophe, Arnould, Jean-Daniel, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Simonot, Timothé, Rouger, Nicolas, Crébier, Jean-Christophe, and Arnould, Jean-Daniel
- Abstract
International audience, With the development of multi-level, multiphase or network converters requiring the implementation of numerous distinct power transistor gate drivers, the control signal insulation is becoming more and more important in power converters. This paper presents an isolation technique based on a coreless transformer integrated in a CMOS silicon die together with the gate driver and other required functions. The associated demodulation circuit will also be presented, as the control signal must be modulated at a high frequency through the coreless transformer. The chosen design methodology will be explained and experimental results will be shown in order to validate the functionality.
12. Transfert isolé des signaux de commande dans le contexte de l'intégration pour les composants actifs d'électronique de puissance
- Author
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Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Rouger, Nicolas, Vafaei, Raha, To, Duc Ngoc, Le Thanh, Long, Corrao, N., Arnould, Jean-Daniel, Lembeye, Yves, Crébier, Jean-Christophe, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Rouger, Nicolas, Vafaei, Raha, To, Duc Ngoc, Le Thanh, Long, Corrao, N., Arnould, Jean-Daniel, Lembeye, Yves, and Crébier, Jean-Christophe
- Abstract
International audience
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