1. Ge content optimization in Ge(SbSe)$_{1-x}$N OTS materials for selector applications
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Laguna, Camille, Bernard, Mathieu, Fillot, Frederic, Rouchon, Denis, Rochat, Nevine, Garrione, Julien, Prazakova, Lucie, Nolot, Emmanuel, Meli, Valentina, Castellani, Niccolo, Martin, Simon, Sabbione, Chiara, Bourgeois, Guillaume, Cyrille, Marie-Claire, Militaru, Liviu, Souifi, Abdelkader, Andrieu, Francois, Navarro, Gabriele, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ampère, Département Bioingénierie (BioIng), Ampère (AMPERE), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), and European Project: 101007321,StorAlge
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[SPI]Engineering Sciences [physics] ,GeSbSeN ,Ovonic Threshold Switching selector GeSbSeN Thermal stability Electrical parameter variability ,Electrical parameter variability ,Thermal stability ,Ovonic Threshold Switching selector - Abstract
International audience; In this paper, we investigate the influence of germanium content in GeSbSeN based Ovonic Threshold Selector (OTS) devices. We performed physico-chemical analyses on five different Ge x (SbSe) 1-x N alloys in order to understand how the germanium content influences the material structure and its integrity once submitted to temperatures up to 400° C. Thanks to electrical characterization of Ge x (SbSe)$_{1-x}$N OTS devices, we analyze the evolution of the electrical parameters along cycling up to 10$^8$ cycles and before and after annealing at 400° C. Cycle-to-cycle variability and drift phenomenon are also investigated. Finally, we demonstrate how Ge content should be properly tuned in order to improve the thermal stability of the alloy without affecting the leakage current and the electrical parameters variability.
- Published
- 2022