1. Charge transfers and charged defects in WSe 2 /graphene-SiC interfaces
- Author
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Benjamin Grévin, Y. Almadori, Pascal Pochet, C. Vergnaud, Bérangère Hyot, C Paillet, Timotée Journot, M.-T. Dau, Yannick J. Dappe, Matthieu Jamet, Service de physique de l'état condensé (SPEC - UMR3680), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), SYstèmes Moléculaires et nanoMatériaux pour l’Energie et la Santé (SYMMES), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Département Interfaces pour l'énergie, la Santé et l'Environnement (DIESE), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), SPINtronique et TEchnologie des Composants (SPINTEC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Synthèse, Structure et Propriétés de Matériaux Fonctionnels (STEP ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG)
- Subjects
Materials science ,Bioengineering ,02 engineering and technology ,010402 general chemistry ,Kelvin probe force microscopy ,01 natural sciences ,law.invention ,charge defect ,chemistry.chemical_compound ,non-contact atomic force microscopy ,law ,Monolayer ,Tungsten diselenide ,General Materials Science ,Schottky-Mott model ,Electrical and Electronic Engineering ,Kelvin probe force microscope ,[PHYS]Physics [physics] ,Graphene ,Mechanical Engineering ,graphene ,charge transfer ,General Chemistry ,transition metal dichalcogenide ,021001 nanoscience & nanotechnology ,Electrostatics ,0104 chemical sciences ,chemistry ,Mechanics of Materials ,Chemical physics ,Density functional theory ,van der Waals heterostructures ,0210 nano-technology ,Bilayer graphene ,Non-contact atomic force microscopy - Abstract
International audience; We report on Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) and Density Functional Theory (DFT) investigations of charge transfers in vertical heterojunctions between tungsten diselenide (WSe2) layers and graphene on silicon carbide substrates. The experimental data reveal the existence of an interface dipole, which is shown by DFT to originate from the neutralization of the graphene n-doping by an electron transfer towards the transition metal dichalcogenide (TMD) layer. The relative vacuum level shift probed by KPFM between the TMD and the substrate stays constant when passing from monolayer to bilayer graphene, which confirms that the Schottky-Mott model can be rigorously applied to these interfaces by taking into account the charge transfer from the substrate to the TMD. DFT calculations show that the first TMD layer absorbs almost all the excess charges contained in the graphene, and that the second TMD layer shall not play a significant role in the electrostatics of the system. Negatively charged defect at the TMD edges contribute however to the electrostatic landscape probed by KPFM on both TMD layers.
- Published
- 2020
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