1. Horizontal buried channels in monocrystalline silicon
- Author
-
B. Le Pioufle, P. Guil, D. Gaudin, Olivier Bonnaud, Matthieu Denoual, O. De Sagazan, Kervella, Katell, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), electronique, Laboratory for Integrated Micro Mechatronics Systems (LIMMS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-The University of Tokyo (UTokyo)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-The University of Tokyo (UTokyo), Laboratoire de mécanique des fluides (LMF), École Centrale de Nantes (ECN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), and The University of Tokyo (UTokyo)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-The University of Tokyo (UTokyo)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Subjects
Fabrication ,Materials science ,Silicon ,Annealing (metallurgy) ,Microfluidics ,chemistry.chemical_element ,Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY ,02 engineering and technology ,Integrated circuit ,Epitaxy ,01 natural sciences ,law.invention ,Application-specific integrated circuit ,law ,0103 physical sciences ,Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS ,Electronic engineering ,Electrical and Electronic Engineering ,ComputingMilieux_MISCELLANEOUS ,010302 applied physics ,Microelectromechanical systems ,business.industry ,021001 nanoscience & nanotechnology ,Condensed Matter Physics ,Electronic, Optical and Magnetic Materials ,chemistry ,Hardware and Architecture ,Optoelectronics ,0210 nano-technology ,business - Abstract
This paper reports horizontal buried channels in monocristalline silicon. Those channels are a few microns in width and height and several hundred microns long. The main applications for those buried channels are microfluidic networks for MEMS devices and cooling systems for integrated circuits. Their fabrication is based on integrated circuit standard processes such as selective monocristalline epitaxial growth and high temperature annealing. The major interest of the method is its compatibility with integrated circuit manufacturing technology.
- Published
- 2006
- Full Text
- View/download PDF