1. Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
- Author
-
B.A. Najafov, V.V. Dadashova, and Khalilov Str., Az Baku, Azerbaijan
- Subjects
Amorphous silicon ,films of nanocrystalline silicon ,Materials science ,пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода ,business.industry ,кристаллит ,к.п.д. солнечного элемента ,Nanocrystalline silicon ,General Physics and Astronomy ,chemistry.chemical_element ,плазмохимический метод ,films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy ,plasma-chemical technique ,пленки нанокристаллического кремния ,chemistry.chemical_compound ,chemistry ,Optoelectronics ,Thin film ,business ,crystallites ,Carbon ,efficiency of solar cells - Abstract
Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered. In double p–i–n heterojunctions, a-SiC/a-Si/nc-Si, the p-layer was made from a-SiC:H and used as a “window”, and the n-layer was made from nc-Si. The current-voltage characteristics of solar cells of each type at their illumination are studied. The highest efficiency of 11.5% was found for solar cells with the double p–i–n heterojunctions in the case where a cell 1 cm2 in area was illuminated with light of a 100-mW/cm2 intensity., В работе рассмотрены некоторые параметры тонких пленок гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода (a-Si1 xСx:Н) (x = 0; 0,5) и нанокристаллического кремния (нк-Si). На основе этих пленок разработаны солнечные элементы с барьерами Шоттки, n–i–p- и двойным n–i–p-гетеропереходом. Элементы двойных гетеропереходов a-SiС/a-Si/нк-Si, в которых p-слой изготавливался из a-SiС:Н и использовался в качестве “окна”, и n-слой изготавливался из нк-Si. Исследованы вольт-амперные характеристики при освещении для каждого типа солнечных элементов. Установлено, что наибольшее значение коэффициента полезного действия солнечных элементов с двойным n–i–p-гетеропереходом в случае освещения с интенсивностью 100 мВт/см2 площади элементов 1 см2 составляет 11,5%.
- Published
- 2018
- Full Text
- View/download PDF