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Wide bandgap semiconductors, such as GaN and ZnO, are materials with a wide range of applications in several important technological areas including lighting, transparent electronics, sensors, catalysis or photovoltaics. This thesis focuses on the study of GaN and ZnO, including related compounds. In the first case, the emphasis is given to the incorporation of rare-earth (RE) ions (4fn) into the nitride hosts envisaging to contribute for the development of “all-nitride” solid state lighting devices. GaN and related III-nitrides ternary alloys appear as excellent hosts for the incorporation of these ions. The use of RE ions is motivated by the electromagnetic widespread spectral range (from the ultraviolet to the near infrared) covered by the intraionic radiative relaxation of the trivalent charged ions. Ion implantation appears as an alternative approach to doping since it allows the introduction of impurities in a controlled way and without solubility limits. GaN samples with different dimensionalities were analysed and their influence in the luminescence properties of the RE3+ was investigated. Photoluminescence (PL) measurements revealed that after thermal annealing a successful optical activation of the RE3+ was achieved for the samples implanted with the different RE3+. A detailed spectroscopic analysis of RE3+ luminescent tarnsitions is presented by using temperature dependent steady-state PL, room temperature PL excitation and time resolved PL. This thesis also aims to the growth and characterization of ZnO micro and nanostructures, through a new growth technique designated by laser assisted flow deposition (LAFD). LAFD is a very high yield method based on a vapour-solid mechanism that enables the growth of ZnO crystals in a very short timescale. LAFD was used in the growth of wurtzite micro/nanocrystalline ZnO with different morphologies (nanoparticles, tetrapods and microrods) as revealed by the extensive morphological characterization. Moreover, structural analysis evidenced the high crystalline quality of the produced crystals. The optical properties of the as-grown ZnO crystals were fully investigated by luminescence techniques, which revealed a high optical quality of the LAFD produced ZnO. In addition to the unintentionally doped micro/nanocrystals, ZnO/Ag and ZnO/carbon nanotubes (CNT) composite structures were also synthesized by LAFD. Silver-related spherical particles were found to be inhomogeneously distributed at the microrods surface, accumulating at the rods tips and promoting the ZnO nanorods re-nucleation. For the case of the ZnO/CNT composites two main approaches were adopted: i) a direct deposition of ZnO particles on the surface of vertically aligned multi-walled carbon nanotubes (VACNTs) forests without employing any additional catalyst and ii) ZnO/CNT buckypaper nanocomposites. It was found that the use of the LAFD technique carried out in framework of the first approach preserves the CNTs structure, their alignment, and avoids the collapse of the VACNTs array, which is a major advantage of this method. Additionally, taking into account that a crucial step in designing modern optoelectronic devices is to accomplish bandgap engineering, the optical properties of CdxZn1-xO alloy were also evaluated. A tuning of the ZnO bandgap towards the visible spectral region was accomplished by alloying this semiconductor with CdO. Finally, the potential application of the LAFD produced ZnO structures in the photocatalysis and photovoltaic fields was tested. Os semicondutores de elevado hiato energético, como é o caso do GaN e do ZnO, são materiais com aplicações em diversas áreas tecnológicas, que incluem, por exemplo, iluminação, eletrónica transparente, sensores, catalisadores ou fotovoltaicos. Esta tese é dedicada ao estudo de materiais baseados em GaN e ZnO, sendo dada ênfase à incorporação de iões terras-raras (RE) nas matrizes de nitretos, com a finalidade de contribuir para o desenvolvimento de dispositivos de iluminação de estado sólido. O uso dos iões RE é motivado pelas suas emissões intraiónicas abrangendo uma ampla gama espectral (do ultravioleta ao infravermelho próximo), quando estão no seu estado de carga trivalente. A implantação iónica surge como uma alternativa para a dopagem destes materiais, uma vez que permite a introdução de dopantes de uma forma controlada e independente dos limites de solubilidade dos iões nas matrizes. Amostras de GaN com diferentes dimensionalidades foram analisadas e a sua influência nas propriedades luminescentes dos RE3+ foi investigada. Medidas de fotoluminescência (PL) revelaram que, depois de um tratamento térmico, a ativação ótica dos iões foi bem-sucedida para as amostras implantadas com os diferentes iões. Uma análise espectroscópica detalhada das transições luminescentes dos RE3+ foi realizada usando técnicas como a PL em estado estacionário e transiente e excitação da fotoluminescência. Outro objetivo desta tese foi o crescimento e caracterização de micro e nanoestruturas de ZnO, recorrendo a uma nova técnica de crescimento designada por deposição de fluxo assistida por laser (LAFD). Este é um método com elevado rendimento, baseado num mecanismo sólido-vapor, que permite o crescimento de ZnO com diferentes morfologias (nanopartíclulas, tetrapodes e microfios). A sua análise estrutural pôs em evidência a excelente qualidade cristalina do ZnO produzido por esta técnica. As propriedades óticas foram também investigadas através de fotoluminescência, revelando a sua elevada qualidade ótica. Para além dos cristais não dopados intencionalmente, foram ainda preparados compósitos com prata e nanotubos de carbono (CNTs). No primeiro caso, foram observadas partículas esféricas de prata distribuídas de uma forma não uniforme na superfície dos microfios, mostrando uma tendência para se acumularem no topo destes e promovendo a sua renucleação. No caso dos compósitos ZnO/CNTs, foram usadas duas abordagens: i) deposição de partículas de ZnO diretamente no topo dos CNTs alinhados verticalmente, sem a utilização de nenhum catalisador adicional, e ii) produção de ZnO/CNTs buckypapers. No primeiro caso, a técnica de LAFD provou manter o alinhamento dos CNTs, evitando o seu colapso, sendo esta uma vantagem do método usado. Adicionalmente, tendo em consideração a importância do controlo do hiato energético dos materiais a ser aplicados em dispositivos optoelectrónicos, foram também estudadas as propriedades óticas da liga CdxZn1-xO. Devido ao aumento da fração molar de CdO na liga ternária observou-se um desvio do hiato do ZnO para a região visível do espetro eletromagnético. Finalmente, as estruturas de ZnO crescidas por LAFD foram testadas em dispositivos fotovoltaicos e em estudos de fotocatálise Programa Doutoral em Nanociências e Nanotecnologia

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Presently, quantum technologies based on diamond are being widely studied, especially in the quantum information and sensors areas. The nitrogen defects (in a substitutional position) adjacent to a vacancy (NV° and NV¯) are among the most studied optical centres in diamond, with particular interest in quantum information processing applications. This happens because it is possible to study the properties of single NV¯ centres, assessing each state of the quantum bit (qubit) by optical excitation and readout the final state by optical spectroscopy. There are several methods to generate these centres that can be summarised in three main steps that account for: 1) the presence of N impurities; 2) lattice vacancies and 3) thermal treatments. Nonetheless, the charge state stabilisation and the strong electron-phonon coupling are two aspects that limit the utilisation of the NV¯ centre. Alternatively, the trivalent rare earth ions (REuᶟ⁺) exhibit very narrow absorption/emission lines, high quantum efficiencies, among other features, which makes them promising tools for quantum information processing, as well as to optical biosensing. So, in this work, commercial single-crystalline diamond samples grown by chemical vapour deposition were subjected to two different approaches to modify/generate new optical centres: (i) room temperature ion implantation with trivalent europium ions (Euᶟ⁺), using fluences of 1×10¹³ and 1×10¹⁴ Eu ions.cmˉ² with an energy of 300 keV, followed by thermal annealing treatments and (ii) laser irradiation, focusing a laser beam and varying the power and the exposure time on a sample immersed in a liquid medium. The latter were conducted with and without the presence of an Eu precursor (europium nitrate) in an aqueous solution. All samples were analysed by absorption (ultraviolet, visible and infrared), Raman and photoluminescence (PL) spectroscopies. On the samples implanted with Eu, the PL spectra show no significant differences in the optically active centres present. In particular, the optical activation of Eu ions was not achieved. However, the Raman data revealed new bands peaked at 1145.1 and 1404.4 cmˉ¹ near the 1330.4 cmˉ¹ vibrational mode, arising from the introduction of new defects in the diamond lattice during the implantation process, namely vacancy clusters and surface layer damage. The samples subjected to laser irradiation show a meaningful increase in the PL intensity of the H3 and NV° centres (both already present in the as-grown sample). This can be related to the annealing process promoted by the laser, suggesting the potential of performing rapid thermal treatments on diamond, without the danger of graphitisation, through laser irradiation in a liquid medium, which could be a technological advantage. Atualmente, as tecnologias quânticas baseadas em diamante têm sido amplamente estudadas, especialmente nas áreas de informação quântica e sensores. Os defeitos de azoto (em posição substitucional) adjacentes a uma lacuna (NV° e NV¯) são dos centros óticos mais estudados neste material, com particular interesse para aplicações no processamento de informaçao quântica. Isto acontece, pois é possível estudar as propriedades de apenas um único centro NV¯ acedendo a cada estado do quantum bit (qubit) por excitação ótica e ler o seu estado final por espetroscopia ótica. Existem vários métodos para gerar estes centros, podendo ser resumidos em três etapas principais que incluem: 1) a presença de impurezas de azoto; 2) lacunas de rede e 3) tratamentos térmicos. No entanto, a estabilização do estado de carga e o forte acoplamento eletrão-fonão, são dois aspetos que limitam a utilização do centro NV¯. Alternativamente, os iões terras raras trivalentes (REᶟ⁺) possuem linhas de absorção/emissão muito estreitas, elevada eficiência quântica, entre outras características, tornando-se promissores na utilização, quer no processamento quântico de informação, quer em biossensores óticos. Assim, neste trabalho, amostras comerciais de diamante crescido por deposição química em fase de vapor foram submetidas a duas abordagens diferentes de forma a modificar/gerar novos centros óticos: (i) implantação iónica à temperatura ambiente com iões európio trivalentes (Euᶟ⁺) usando fluências de 1 × 10¹³ e 1 × 10¹⁴ Eu iões.cmˉ² e com energia de 300 keV, seguido de tratamentos térmicos a diferentes temperaturas e (ii) irradiação laser, focando um feixe laser e variando a sua potência e o tempo de exposição, numa amostra submersa em meio líquido. Estes testes foram realizados com e sem a presença de um precursor de Eu (nitrato de európio) na solução aquosa. Todas as amostras foram analisadas por absorção (ultravioleta, visível e infravermelho), Raman e fotoluminescência (PL). Nas amostras implantadas com Eu, os espetros de PL não mostram diferenças significativas nos centros oticamente ativos presentes. Em particular, a activação ótica dos iões de Eu não foi alcançada. No entanto, os dados de Raman revelaram novas bandas com máximos a 1145.1 e 1404.4 cmˉ¹ perto do modo vibracional principal a 1330.4 cmˉ¹, provenientes da introdução de novos defeitos na rede do diamante durante o processo de implantação, nomeadamente aglomerados de lacunas e defeitos na superfície. As amostras submetidas a irradiação por laser apresentam um aumento significativo na intensidade de PL dos centros H3 e NV° (ambos já presentes na amostra as-grown). Este aumento pode estar relacionado com o processo de recozimento promovido pelo laser, sugerindo a potencialidade de realizar tratamentos térmicos rápidos no diamante, sem perigo de grafitização, através de irradiação. Mestrado em Engenharia Física