Search

Tato práce se zabývá výrobou a charakterizací Schottkyho solárního článku na rozhraní grafen/křemík. Schottkyho solární články byly vyrobeny s přední sběrnou elektrodou ze zlata, stříbra a uhlíku. Na rozhraní grafen/křemík Schottkyho solárního článku byla dále nadeponována mezivrstva Al2O3 resp. SiO2. Za účelem I-V charakterizace vyrobených Schottkyho solárních článků byla sestavena měřicí aparatura., This diploma thesis concerns itself with fabrication and characterization of Schottky solar cell on the graphene/silicon interface. Schottky solar cells were manufactured using a front collector electrode from gold, silver and carbon. On the graphene/silicon interface of the Schottky solar cell an interlayer of Al2O3 or SiO2. For the purpose of IV characterization of the manufactured Schottky solar cell a measuring apparatus was assembled.

Tato bakalářská práce se zabývá výrobou grafenových membrán, jenž by byly vhodné pro depozici atomů gallia. V první části charakterizujeme grafen. Druhá část je zaměřena na přípravu a zlepšení kvality procesu výroby grafenových vrstev pomocí atomárně hladkých Cu fólií. Ve třetí části jsou popsány grafenové membrány, techniky jejich výroby a specifické aplikace grafenových membrán. Ve čtvrté části je představeno rozhraní mezi galliovými a grafenovými vrstvami. Pátá část je praktická. Byl proveden růst grafenových vrstev na různých Cu fóliích, to vedlo k vyšší kvalitě grafenu rostlých na atomárně hladkých fóliích. Následně byla provedena výroba grafenových membrán a depozice atomů gallia., This bachelor’s thesis deals with the production of graphene membranes, which would be suitable for the deposition of gallium atoms. In the first part is characterized graphene. The second part is focused on preparation and improvement the production of graphene layers via atomically flat Cu foils. In the third part are described graphene membranes, techniques of their production and specific applications of graphene membranes. The fourth part introduced interface between gallium and graphene layers. The fifth part is the practical part. Graphene was grown on different Cu foils which resulted in higher quality graphene grown on smooth foils. Subsequently, the production of graphene membranes and deposition of gallium atoms were done.

Tato bakalářská práce se zabývá vlivem různých metod přenosu grafenu na jeho kvalitu. Grafen byl vyroben pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition -- CVD). Charakterizace kvality následně přeneseného grafenu je založena na měření pohyblivosti nosičů náboje, které probíhalo na polem řízených tranzistorech vyrobených přenesením grafenové vrstvy na křemíkový substrát s vrstvou SiO$_2$. Metody přenosu, které jsou v této práci porovnávány, jsou chemické leptání a elektrolytická delaminace. Výsledky měření ukázaly, že grafenové vrstvy přenesené elektrolytickou delaminací vykazují přibližně čtyřikrát vyšší pohyblivost nosičů náboje, než ty, které byly přeneseny pomocí metody chemického leptání., This bachelor thesis is focused on the influence of different graphene transfer methods on its quality. Graphene layers were grown by Chemical Vapour Deposition (CVD) method. The quality characterization of subsequently transfered graphene is based on the measurement of charge carrier mobility which has been performed on the field-effect transistors fabricated by transferring of graphene layers onto Si/SiO$_2$ surface. Chemical etching and electrolytic delamination are the transfer methods that are being compared in this thesis. Results of the measurements showed that graphene layers transferred by electrolytic delamination exhibit approximately four times higher charge carrier mobility than those transferred by the chemical etching method.

Tato bakalářská práce se zabývá vlivem různých metod přenosu grafenu na jeho kvalitu. Grafen byl vyroben pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition -- CVD). Charakterizace kvality následně přeneseného grafenu je založena na měření pohyblivosti nosičů náboje, které probíhalo na polem řízených tranzistorech vyrobených přenesením grafenové vrstvy na křemíkový substrát s vrstvou SiO$_2$. Metody přenosu, které jsou v této práci porovnávány, jsou chemické leptání a elektrolytická delaminace. Výsledky měření ukázaly, že grafenové vrstvy přenesené elektrolytickou delaminací vykazují přibližně čtyřikrát vyšší pohyblivost nosičů náboje, než ty, které byly přeneseny pomocí metody chemického leptání., This bachelor thesis is focused on the influence of different graphene transfer methods on its quality. Graphene layers were grown by Chemical Vapour Deposition (CVD) method. The quality characterization of subsequently transfered graphene is based on the measurement of charge carrier mobility which has been performed on the field-effect transistors fabricated by transferring of graphene layers onto Si/SiO$_2$ surface. Chemical etching and electrolytic delamination are the transfer methods that are being compared in this thesis. Results of the measurements showed that graphene layers transferred by electrolytic delamination exhibit approximately four times higher charge carrier mobility than those transferred by the chemical etching method.

Tato dizertační práce je zaměřena na výrobu grafenových vrstev metodou chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition – CVD) a jejich využití při výrobě a charakterizaci vlastností polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce se převážně zabývá různými způsoby výroby grafenových vrstev a měřením jejich transportních vlastností. V experimentální části je nejdříve zkoumán růst polykrystalické struktury grafenu a jednotlivých grafenových zrn o velikosti až 300 m. Dále byl proveden růst grafenu na atomárně hladkých měděných substrátech, které byly vyrobeny za účelem zvýšení kvality grafenu. Následně byly z vytvořených vrstev vyrobeny polem řízené tranzistory a měřeny jejich transportní vlastnosti. Poslední dvě kapitoly se zabývají dopováním grafenu galliovými atomy a rentgenovým zářením. Zatímco během depozice galliových atomů na povrch grafenu dochází k jeho dopování vlivem přenosu náboje z gallia, ozáření grafenového polem řízeného tranzistoru rentgenovým svazkem vyvolává v dielektrické vrstvě ionizaci kladně nabitých defektů, které elektrostaticky grafenovou vrstvu dopují., This doctoral thesis is focused on the preparation of graphene layers by Chemical Vapor Deposition (CVD) and their utilization for fabrication and characterization of field effect transistors. The theoretical part of the thesis deals with different methods of graphene production and measurement of its transport properties. In the first part of the experimental section the growth of polycrystalline graphene and individual graphene crystals with sizes up to 300 m is investigated. Further, graphene layer was also grown on an atomically flat copper foils, which were fabricated in order to achieve the growth of graphene of higher quality. Subsequently, the transport properties of field effect transistors produced from the grown layers were measured. The last two chapters deal with a doping of graphene layer by gallium atoms and X-ray radiation. Whereas the deposition of gallium atoms on the graphene surface causes chemical doping of graphene layer by charge transfer, X-ray irradiation of graphene field effect transistors induces the ionization of positively charged defects in dielectrics, which electrostatically dope a graphene layer.

Tato práce se zabývá výrobou a charakterizací Schottkyho solárního článku na rozhraní grafen/křemík. Schottkyho solární články byly vyrobeny s přední sběrnou elektrodou ze zlata, stříbra a uhlíku. Na rozhraní grafen/křemík Schottkyho solárního článku byla dále nadeponována mezivrstva Al2O3 resp. SiO2. Za účelem I-V charakterizace vyrobených Schottkyho solárních článků byla sestavena měřicí aparatura., This diploma thesis concerns itself with fabrication and characterization of Schottky solar cell on the graphene/silicon interface. Schottky solar cells were manufactured using a front collector electrode from gold, silver and carbon. On the graphene/silicon interface of the Schottky solar cell an interlayer of Al2O3 or SiO2. For the purpose of IV characterization of the manufactured Schottky solar cell a measuring apparatus was assembled.

Tato bakalářská práce se zabývá výrobou grafenových membrán, jenž by byly vhodné pro depozici atomů gallia. V první části charakterizujeme grafen. Druhá část je zaměřena na přípravu a zlepšení kvality procesu výroby grafenových vrstev pomocí atomárně hladkých Cu fólií. Ve třetí části jsou popsány grafenové membrány, techniky jejich výroby a specifické aplikace grafenových membrán. Ve čtvrté části je představeno rozhraní mezi galliovými a grafenovými vrstvami. Pátá část je praktická. Byl proveden růst grafenových vrstev na různých Cu fóliích, to vedlo k vyšší kvalitě grafenu rostlých na atomárně hladkých fóliích. Následně byla provedena výroba grafenových membrán a depozice atomů gallia., This bachelor’s thesis deals with the production of graphene membranes, which would be suitable for the deposition of gallium atoms. In the first part is characterized graphene. The second part is focused on preparation and improvement the production of graphene layers via atomically flat Cu foils. In the third part are described graphene membranes, techniques of their production and specific applications of graphene membranes. The fourth part introduced interface between gallium and graphene layers. The fifth part is the practical part. Graphene was grown on different Cu foils which resulted in higher quality graphene grown on smooth foils. Subsequently, the production of graphene membranes and deposition of gallium atoms were done.

Tato dizertační práce je zaměřena na výrobu grafenových vrstev metodou chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition – CVD) a jejich využití při výrobě a charakterizaci vlastností polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce se převážně zabývá různými způsoby výroby grafenových vrstev a měřením jejich transportních vlastností. V experimentální části je nejdříve zkoumán růst polykrystalické struktury grafenu a jednotlivých grafenových zrn o velikosti až 300 m. Dále byl proveden růst grafenu na atomárně hladkých měděných substrátech, které byly vyrobeny za účelem zvýšení kvality grafenu. Následně byly z vytvořených vrstev vyrobeny polem řízené tranzistory a měřeny jejich transportní vlastnosti. Poslední dvě kapitoly se zabývají dopováním grafenu galliovými atomy a rentgenovým zářením. Zatímco během depozice galliových atomů na povrch grafenu dochází k jeho dopování vlivem přenosu náboje z gallia, ozáření grafenového polem řízeného tranzistoru rentgenovým svazkem vyvolává v dielektrické vrstvě ionizaci kladně nabitých defektů, které elektrostaticky grafenovou vrstvu dopují., This doctoral thesis is focused on the preparation of graphene layers by Chemical Vapor Deposition (CVD) and their utilization for fabrication and characterization of field effect transistors. The theoretical part of the thesis deals with different methods of graphene production and measurement of its transport properties. In the first part of the experimental section the growth of polycrystalline graphene and individual graphene crystals with sizes up to 300 m is investigated. Further, graphene layer was also grown on an atomically flat copper foils, which were fabricated in order to achieve the growth of graphene of higher quality. Subsequently, the transport properties of field effect transistors produced from the grown layers were measured. The last two chapters deal with a doping of graphene layer by gallium atoms and X-ray radiation. Whereas the deposition of gallium atoms on the graphene surface causes chemical doping of graphene layer by charge transfer, X-ray irradiation of graphene field effect transistors induces the ionization of positively charged defects in dielectrics, which electrostatically dope a graphene layer.

Tato práce se zabývá výrobou a charakterizací Schottkyho solárního článku na rozhraní grafen/křemík. Schottkyho solární články byly vyrobeny s přední sběrnou elektrodou ze zlata, stříbra a uhlíku. Na rozhraní grafen/křemík Schottkyho solárního článku byla dále nadeponována mezivrstva Al2O3 resp. SiO2. Za účelem I-V charakterizace vyrobených Schottkyho solárních článků byla sestavena měřicí aparatura., This diploma thesis concerns itself with fabrication and characterization of Schottky solar cell on the graphene/silicon interface. Schottky solar cells were manufactured using a front collector electrode from gold, silver and carbon. On the graphene/silicon interface of the Schottky solar cell an interlayer of Al2O3 or SiO2. For the purpose of IV characterization of the manufactured Schottky solar cell a measuring apparatus was assembled.

Tato dizertační práce je zaměřena na výrobu grafenových vrstev metodou chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition – CVD) a jejich využití při výrobě a charakterizaci vlastností polem řízených tranzistorů. Teoretická část práce se převážně zabývá různými způsoby výroby grafenových vrstev a měřením jejich transportních vlastností. V experimentální části je nejdříve zkoumán růst polykrystalické struktury grafenu a jednotlivých grafenových zrn o velikosti až 300 m. Dále byl proveden růst grafenu na atomárně hladkých měděných substrátech, které byly vyrobeny za účelem zvýšení kvality grafenu. Následně byly z vytvořených vrstev vyrobeny polem řízené tranzistory a měřeny jejich transportní vlastnosti. Poslední dvě kapitoly se zabývají dopováním grafenu galliovými atomy a rentgenovým zářením. Zatímco během depozice galliových atomů na povrch grafenu dochází k jeho dopování vlivem přenosu náboje z gallia, ozáření grafenového polem řízeného tranzistoru rentgenovým svazkem vyvolává v dielektrické vrstvě ionizaci kladně nabitých defektů, které elektrostaticky grafenovou vrstvu dopují., This doctoral thesis is focused on the preparation of graphene layers by Chemical Vapor Deposition (CVD) and their utilization for fabrication and characterization of field effect transistors. The theoretical part of the thesis deals with different methods of graphene production and measurement of its transport properties. In the first part of the experimental section the growth of polycrystalline graphene and individual graphene crystals with sizes up to 300 m is investigated. Further, graphene layer was also grown on an atomically flat copper foils, which were fabricated in order to achieve the growth of graphene of higher quality. Subsequently, the transport properties of field effect transistors produced from the grown layers were measured. The last two chapters deal with a doping of graphene layer by gallium atoms and X-ray radiation. Whereas the deposition of gallium atoms on the graphene surface causes chemical doping of graphene layer by charge transfer, X-ray irradiation of graphene field effect transistors induces the ionization of positively charged defects in dielectrics, which electrostatically dope a graphene layer.

Tato bakalářská práce se zabývá vlivem různých metod přenosu grafenu na jeho kvalitu. Grafen byl vyroben pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition -- CVD). Charakterizace kvality následně přeneseného grafenu je založena na měření pohyblivosti nosičů náboje, které probíhalo na polem řízených tranzistorech vyrobených přenesením grafenové vrstvy na křemíkový substrát s vrstvou SiO$_2$. Metody přenosu, které jsou v této práci porovnávány, jsou chemické leptání a elektrolytická delaminace. Výsledky měření ukázaly, že grafenové vrstvy přenesené elektrolytickou delaminací vykazují přibližně čtyřikrát vyšší pohyblivost nosičů náboje, než ty, které byly přeneseny pomocí metody chemického leptání., This bachelor thesis is focused on the influence of different graphene transfer methods on its quality. Graphene layers were grown by Chemical Vapour Deposition (CVD) method. The quality characterization of subsequently transfered graphene is based on the measurement of charge carrier mobility which has been performed on the field-effect transistors fabricated by transferring of graphene layers onto Si/SiO$_2$ surface. Chemical etching and electrolytic delamination are the transfer methods that are being compared in this thesis. Results of the measurements showed that graphene layers transferred by electrolytic delamination exhibit approximately four times higher charge carrier mobility than those transferred by the chemical etching method.

Tato bakalářská práce se zabývá výrobou grafenových membrán, jenž by byly vhodné pro depozici atomů gallia. V první části charakterizujeme grafen. Druhá část je zaměřena na přípravu a zlepšení kvality procesu výroby grafenových vrstev pomocí atomárně hladkých Cu fólií. Ve třetí části jsou popsány grafenové membrány, techniky jejich výroby a specifické aplikace grafenových membrán. Ve čtvrté části je představeno rozhraní mezi galliovými a grafenovými vrstvami. Pátá část je praktická. Byl proveden růst grafenových vrstev na různých Cu fóliích, to vedlo k vyšší kvalitě grafenu rostlých na atomárně hladkých fóliích. Následně byla provedena výroba grafenových membrán a depozice atomů gallia., This bachelor’s thesis deals with the production of graphene membranes, which would be suitable for the deposition of gallium atoms. In the first part is characterized graphene. The second part is focused on preparation and improvement the production of graphene layers via atomically flat Cu foils. In the third part are described graphene membranes, techniques of their production and specific applications of graphene membranes. The fourth part introduced interface between gallium and graphene layers. The fifth part is the practical part. Graphene was grown on different Cu foils which resulted in higher quality graphene grown on smooth foils. Subsequently, the production of graphene membranes and deposition of gallium atoms were done.

Tato práce se zabývá výrobou a charakterizací Schottkyho solárního článku na rozhraní grafen/křemík. Schottkyho solární články byly vyrobeny s přední sběrnou elektrodou ze zlata, stříbra a uhlíku. Na rozhraní grafen/křemík Schottkyho solárního článku byla dále nadeponována mezivrstva Al2O3 resp. SiO2. Za účelem I-V charakterizace vyrobených Schottkyho solárních článků byla sestavena měřicí aparatura., This diploma thesis concerns itself with fabrication and characterization of Schottky solar cell on the graphene/silicon interface. Schottky solar cells were manufactured using a front collector electrode from gold, silver and carbon. On the graphene/silicon interface of the Schottky solar cell an interlayer of Al2O3 or SiO2. For the purpose of IV characterization of the manufactured Schottky solar cell a measuring apparatus was assembled.