Search

Ticks and the pathogens they transmit constitute a growing burden for human and animal health worldwide. Vector competence is a component of vectorial capacity and depends on genetic determinants affecting the ability of a vector to transmit a pathogen. These determinants affect traits such as tick-host-pathogen and susceptibility to pathogen infection. Therefore, the elucidation of the mechanisms involved in tick-pathogen interactions that affect vector competence is essential for the identification of molecular drivers for tick-borne diseases. In this review, we provide a comprehensive overview of tick-pathogen molecular interactions for bacteria, viruses, and protozoa affecting human and animal health. Additionally, the impact of tick microbiome on these interactions was considered. Results show that different pathogens evolved similar strategies such as manipulation of the immune response to infect vectors and facilitate multiplication and transmission. Furthermore, some of these strategies may be used by pathogens to infect both tick and mammalian hosts. Identification of interactions that promote tick survival, spread, and pathogen transmission provides the opportunity to disrupt these interactions and lead to a reduction in tick burden and the prevalence of tick-borne diseases. Targeting some of the similar mechanisms used by the pathogens for infection and transmission by ticks may assist in development of preventative strategies against multiple tick-borne diseases.

Сучасним лікувальним закладом, що об'єднує всі етапи надання висококваліфікованої допомоги матерям і новонародженим, виступає Перинатальний центр. Створення системи регіональних перинатальних центрів є всесвітньо визнаним шляхом зниження перинатальних втрат, частоти формування хронічної захворюваності та інвалідності в Україні. У статті розглянуто та проаналізовано досвід роботи перинатальних центрів за 2014 – 2016 роки, основні проблеми та пропозиції щодо підвищення ефективності надання медичної допомоги новонародженим в перинатальних центрах в Україні., Современным лечебным учреждением, объединяющим все этапы оказания высококвалифицированной помощи матерям и новорожденным, выступает Перинатальный центр. Создание системы региональных перинатальных центров является всемирно признанным путем снижения перинатальных потерь, частоты формирования хронической заболеваемости и инвалидности в Украине. В статье рассмотрены и проанализированы опыт работы перинатальных центров с 2014 - 2016 годы, основные проблемы и предложения по повышению эффективности оказания медицинской помощи новорожденным в перинатальных центрах в Украине., The Perinatal Center is a modern medical institution which unites all stages in performing high quality care for mothers and newborns. The development of a system of regional perinatal centers is recognized worldwide in reducing perinatal losses, frequency of chronic diseases and disability formation in Ukraine. The article reviews and analyzes the experience of perinatal centers in the period from 2014 to 2016, the main chellenges and proposals in increasing the effectiveness of rendering medical care to newborns in perinatal centers in Ukraine.

The issues related to socio-cultural and cross-cultural adaptation of foreign students have been analysed, the indicators of psychological adaptation have been identified, some aspects of their psychological adjustment have been studied, the concept of «culture shock» in the process of psychological adaptation to the cultural differences between countries has been analysed.

В роботі досліджено вплив нейтронного опромінення з енергією понад 0,1 і 2,65 МеВ на силу світла (Zn-O)-світлодів з червоним кольором світіння. Показано, що випромінювальна компонента струму, пов'язана з інжекцією електронів в оптично активну р-область з лінійним розподілом активаторів люмінесценції, при заданій напрузі була лінійною функцією безвипромінювального часу життя і, отже, флюенса нейтронного опромінення. На підставі вивчення вольт-амперних характеристик запропонована модель, згідно з якою безвипромінювальна рекомбінація переважає в високоомному компенсованому шарі, що розділяє р-і-n-області, в якій має місце режим високого рівня інжекції. Зроблено висновок, що константа пошкоджуваності світлодіодів пропорційна імпульсу нейтронів Introduction and problem statement. Research relevance of most important parameters of LEDs — resistance to ionizing radiation — for their use in civilian hardware, aerospace, nuclear and radioelectronics onboard equipment is shown. Samples and experimental technique. Samples obtaining method for studying of neutron irradiation influence on the LEDs is indicated. The neutron irradiation influence on the basic characteristics (light intensity) given current and voltage is investigated. Experimental results interpretation shows that for this model current radiative component associated with electrons injection in the optically active p-region. Radiative excitons recombination occurs at the (Zn-O)-complexes, the concentration of which is a linear function. An experimental study light intensity dependences of fluens and damage constant finding. Theoretically and experimentally investigated the light intensity dependence of neutron irradiation fluens at given current. The (IV0/IV) dependencies from fluens neutrons with energy ≥ 0,1 MeV and fixed voltage of 1,65 V is presented. It shown that light intensity reduction while irradiation at the fixed current is much faster than at the fixed voltage. The calculation formula and (IV0/IV) dependence from neutrons fluens for set of 25 LEDs at nominal current 10 mA are received. Conclusions. The neutron irradiation influence with energy above 0,1 and 2,65 MeV on the light intensity red glow (Zn-O)-LEDs is indicated. It shown that damage constant is proportional to the neutrons momentum. The calculated light intensity dependence from fluens at given current is received В работе исследовано влияние нейтронного облучения с энергией свыше 0,1 и 2,65 МэВ на силу света (Zn-O)-светодиодов с красным цветом свечения. Показано, что излучательная компонента тока, связана с инжекцией электронов в оптически активную р-область с линейным распределением активаторов люминесценции, при заданном напряжении была линейной функцией безызлучательного времени жизни и, следовательно, флуенса нейтронного облучения. На основании изучения вольт-амперных характеристик предложена модель, согласно которой безызлучательная рекомбинация преобладает в высокоомном компенсированном слое, который разделяет р-и n-области, где имеет место режим высокого уровня инжекции. Сделан вывод, что константа повреждаемости светодиодов пропорциональна импульсу нейтронов

The analysis of cathode processes on iron and steels in H2SO4-FeSO4 systems in temperature interval of 25 – 50°C has shown that total cathode process rate is determined by set of equations of independent partial reactions such as hydroxonium ion discharge, ferro-ions electric precipitation and iron ionization by chemical mechanism.

Structural transformations of silicon carbide in aluminosilicate media were studied by high temperature X-ray analysis on the Simens D-500 diffractometer (Germany). Medium compositions were chosen as follows: cordierite and enstatite (20 wt %) + anorthite (80 wt %) within the temperature range from 298 to 1520 K. Before heating the substance was subjected to 20-min isothermic holding.

Generalized problem of optimization of acid etching technology is formulated and mathematical formulation in the form of conditional task of mathematical programming is given. Empirical dependence equations of corrosion rate and scale removal time on etchant temperature and strength are given.

Розглянуто декілька конструкцій різних світлодіодів: на сапфірової підкладці та на карбіді кремнію. Виведені їх покращені характеристики. В результаті для першого кристала була отримана розсіяна потужність 0,16 Вт, а для другого кристала – 1,12 Вт. Продемонстровано розрахунок теплового режиму за допомогою методу теплових опорів, який може використовуватися для оцінки надійності світлодіодів і поліпшення їх характеристик застосуванням спеціальних технологій відведення тепла від кристала за допомогою спеціальної технології монтажу та управління робочим струмом. Some designs of various LEDs are considered: on a sapphire lining and on silicon carbide lining. Deduced their best characteristics. As the result, received the data on the first crystal – scattering power 0,16 W, and on the other, power was 1,12 W. Calculations of a thermal mode by means of a method of thermal resistance are shown, which can be used to assess and improve performance LED that is designed, by increasing the heat removal from the crystal by using special technology installation and managing operating current. Рассмотрено несколько конструкций различных светодиодов: на сапфировой подкладке и на карбиде кремния. Выведенные их лучшие характеристики. В результате для первого кристалла была получена рассеянная мощность 0,16 Вт, а для второго кристалла – 1,12 Вт. Продемонстрирован расчет теплового режима с помощью метода тепловых сопротивлений, который может использоваться для оценки надежности светодиодов и улучшения их характеристик за счет применения специальных технологий отвода тепла от кристалла с помощью специальной технологии монтажа и управления рабочим током.

Виконано дослідження впливу нейтронного випромінювання на параметри гетероструктур (AIxGa1-x)0.5In0.5P. Представлені результати експериментів, які дозволяють прогнозувати деградацію характеристик напівпровідникових структур під впливом нейтронного опромінювання та зміни електричних, випромінюваних характеристик світлодіодів. A research of influence of neutron radiation on the characteristics of heterostructures (AIxGa1-x)0.5In0.5P was carried out. The received results of experiment that allow us to predict the degradation of characteristics of semiconductor structure under the neutron radiation influence and to predict the changes of electric and light-emitting characteristics of the LED had shown Выполнено исследование влияния нейтронного облучения на параметры гетероструктур (AIxGa1-x)0.5In0.5P. Представлены полученные результаты эксперимента, которые позволяют прогнозировать деградацию характеристик полупроводниковых структур под влиянием нейтронного облучения и изменения электрических, излучательных характеристик светодиодов

В огляді розглянута історія розвитку напівпровідникових світлодіодів, проведено аналіз стану сучасного ринку світлодіодів, нових матеріалів та технологій, світових тенденцій та перспектив. In review are considered history development of semiconductor lumileds, done analysis up-to-date market lumileds, a new material and technology,are showed world tendencies and perspectives. В обзоре рассмотрена история развития полупроводниковых светодиодов, проведен анализ состояния современного рынка светодиодов, новых материалов и технологий, тенденций и перспектив.

Запропоновано метод визначення констант зниження сили світла напівпровідникових світловипромінюючих структур та пристроїв на їх основі. Метод відрізняється від традиційного суттєвим зменшенням часу аналізу та підвищеною точністю. The method determining of constant degradation light in light-emitting conductor and devices are proposed. The method is difference more short time and increase precision. Предложен метод определения констант снижения силы света полупроводниковых светоизлучающих структур и устройств на их основе. Метод отличается от традиционного значительным сокращением времени и повышенной точностью.

Проведено порівняльний аналіз традиційної методології оцінювання результатів вимірювання та методології, що базується на поняттях "невизначеність" та "оцінене значення" вимірювальної величини. The comparative analysis of traditional methodology of an estimation of results of measurement and methodology, which is based on concepts "uncertainty" and "the appreciated meaning" of the measurement value. Проведен сравнительный анализ традиционной методологии оценки результатов измерения и методологии, которая базируется на понятиях "неопределенность" и "оцененное значение" измеряемой величины.

В огляді розглянута історія розвитку напівпровідникових світлодіодів, проведено аналіз стану сучасного ринку світлодіодів, нових матеріалів та технологій, світових тенденцій та перспектив In review are considered history development of semiconductor lumileds, done analysis up-to-date market lumileds, a new material and technology, are showed world tendencies and perspectives В обзоре рассмотрена история развития полупроводниковых светодиодов, проведен анализ состояния современного рынка светодиодов, новых материалов и технологий, тенденций и перспектив

Надані розрахункові співвідношення, що визначають зміни часу життя носіїв в напівпровідникових матеріалах під впливом радіаційного опромінення. The ratio determining change of the carrier life time in semi-conductor materials under influence of radiation are received. Получены расчетные соотношения, определяющие изменение времени жизни носителей в полупроводниковых материалах под воздействием радиации.