Search

A strontium atomic source is characterized in terms of flux and angular distribution in this project. Beam collimation via a microcapillary nozzle is studied and tested against theoretical models. Further improvement of the atomic beam via one-dimensional transverse cooling is demonstrated.

Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2)., This bachelor’s thesis deals with the development and optimization of an atomic source of carbon atoms with the thermal energy (0.1÷1 eV). An atomic beam in the conditions of ultrahigh vacuum is considered to be a suitable source of superior graphene layers also due to the high purity of the method. The first part of this work describes graphene as a material and the method of molecular beam epitaxy. The second part is dedicated to the description of an assembly of the carbon source and its optimization which also concludes with experimental data obtained from measurement of the deposited carbon layers on various substrates (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii., This Bachelor's work deals with the design, documentation and construction of effusion cell for deposition of ultrathin layers of various materials in conditions of ultrahigh vacuum. After fabrication and assemblage the effusion cell was placed to an ultrahigh vacuum chamber (p ~ 10-5 Pa) where the first testing deposition of a silver ultrathin film on Si (111) substrate was performed. This sample was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov., This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.

Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2)., This bachelor’s thesis deals with the development and optimization of an atomic source of carbon atoms with the thermal energy (0.1÷1 eV). An atomic beam in the conditions of ultrahigh vacuum is considered to be a suitable source of superior graphene layers also due to the high purity of the method. The first part of this work describes graphene as a material and the method of molecular beam epitaxy. The second part is dedicated to the description of an assembly of the carbon source and its optimization which also concludes with experimental data obtained from measurement of the deposited carbon layers on various substrates (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii., This Bachelor's work deals with the design, documentation and construction of effusion cell for deposition of ultrathin layers of various materials in conditions of ultrahigh vacuum. After fabrication and assemblage the effusion cell was placed to an ultrahigh vacuum chamber (p ~ 10-5 Pa) where the first testing deposition of a silver ultrathin film on Si (111) substrate was performed. This sample was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM., This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.

V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM., This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky., This bachelor's thesis deals with the design of the atomic source of carbon beams for deposition of graphene in UHV conditions. In the first part, problems on the growth of ultrathin layers, the theory of atomic beams and molecular beam epitaxy are described. The second part is aimed to graphene layers - especially the growth of graphene using molecular beam epitaxy. In the third part, the detection of carbon atomic beams is discussed. The practical part of this bachelor's thesis deals with the design and the construction of high-temperature atomic source of carbon. In the conclusion the obtained results are discussed.

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov., This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky., This bachelor's thesis deals with the design of the atomic source of carbon beams for deposition of graphene in UHV conditions. In the first part, problems on the growth of ultrathin layers, the theory of atomic beams and molecular beam epitaxy are described. The second part is aimed to graphene layers - especially the growth of graphene using molecular beam epitaxy. In the third part, the detection of carbon atomic beams is discussed. The practical part of this bachelor's thesis deals with the design and the construction of high-temperature atomic source of carbon. In the conclusion the obtained results are discussed.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii., This Bachelor's work deals with the design, documentation and construction of effusion cell for deposition of ultrathin layers of various materials in conditions of ultrahigh vacuum. After fabrication and assemblage the effusion cell was placed to an ultrahigh vacuum chamber (p ~ 10-5 Pa) where the first testing deposition of a silver ultrathin film on Si (111) substrate was performed. This sample was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2)., This bachelor’s thesis deals with the development and optimization of an atomic source of carbon atoms with the thermal energy (0.1÷1 eV). An atomic beam in the conditions of ultrahigh vacuum is considered to be a suitable source of superior graphene layers also due to the high purity of the method. The first part of this work describes graphene as a material and the method of molecular beam epitaxy. The second part is dedicated to the description of an assembly of the carbon source and its optimization which also concludes with experimental data obtained from measurement of the deposited carbon layers on various substrates (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov., This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky., This bachelor's thesis deals with the design of the atomic source of carbon beams for deposition of graphene in UHV conditions. In the first part, problems on the growth of ultrathin layers, the theory of atomic beams and molecular beam epitaxy are described. The second part is aimed to graphene layers - especially the growth of graphene using molecular beam epitaxy. In the third part, the detection of carbon atomic beams is discussed. The practical part of this bachelor's thesis deals with the design and the construction of high-temperature atomic source of carbon. In the conclusion the obtained results are discussed.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii., This Bachelor's work deals with the design, documentation and construction of effusion cell for deposition of ultrathin layers of various materials in conditions of ultrahigh vacuum. After fabrication and assemblage the effusion cell was placed to an ultrahigh vacuum chamber (p ~ 10-5 Pa) where the first testing deposition of a silver ultrathin film on Si (111) substrate was performed. This sample was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2)., This bachelor’s thesis deals with the development and optimization of an atomic source of carbon atoms with the thermal energy (0.1÷1 eV). An atomic beam in the conditions of ultrahigh vacuum is considered to be a suitable source of superior graphene layers also due to the high purity of the method. The first part of this work describes graphene as a material and the method of molecular beam epitaxy. The second part is dedicated to the description of an assembly of the carbon source and its optimization which also concludes with experimental data obtained from measurement of the deposited carbon layers on various substrates (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov., This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.

V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM., This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.

V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM., This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.

V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM., This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2)., This bachelor’s thesis deals with the development and optimization of an atomic source of carbon atoms with the thermal energy (0.1÷1 eV). An atomic beam in the conditions of ultrahigh vacuum is considered to be a suitable source of superior graphene layers also due to the high purity of the method. The first part of this work describes graphene as a material and the method of molecular beam epitaxy. The second part is dedicated to the description of an assembly of the carbon source and its optimization which also concludes with experimental data obtained from measurement of the deposited carbon layers on various substrates (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky., This bachelor's thesis deals with the design of the atomic source of carbon beams for deposition of graphene in UHV conditions. In the first part, problems on the growth of ultrathin layers, the theory of atomic beams and molecular beam epitaxy are described. The second part is aimed to graphene layers - especially the growth of graphene using molecular beam epitaxy. In the third part, the detection of carbon atomic beams is discussed. The practical part of this bachelor's thesis deals with the design and the construction of high-temperature atomic source of carbon. In the conclusion the obtained results are discussed.

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov., This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii., This Bachelor's work deals with the design, documentation and construction of effusion cell for deposition of ultrathin layers of various materials in conditions of ultrahigh vacuum. After fabrication and assemblage the effusion cell was placed to an ultrahigh vacuum chamber (p ~ 10-5 Pa) where the first testing deposition of a silver ultrathin film on Si (111) substrate was performed. This sample was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty., In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky., This bachelor's thesis deals with the design of the atomic source of carbon beams for deposition of graphene in UHV conditions. In the first part, problems on the growth of ultrathin layers, the theory of atomic beams and molecular beam epitaxy are described. The second part is aimed to graphene layers - especially the growth of graphene using molecular beam epitaxy. In the third part, the detection of carbon atomic beams is discussed. The practical part of this bachelor's thesis deals with the design and the construction of high-temperature atomic source of carbon. In the conclusion the obtained results are discussed.

V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM., This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM.

Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii., This Bachelor's work deals with the design, documentation and construction of effusion cell for deposition of ultrathin layers of various materials in conditions of ultrahigh vacuum. After fabrication and assemblage the effusion cell was placed to an ultrahigh vacuum chamber (p ~ 10-5 Pa) where the first testing deposition of a silver ultrathin film on Si (111) substrate was performed. This sample was studied by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov., This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.

Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2)., This bachelor’s thesis deals with the development and optimization of an atomic source of carbon atoms with the thermal energy (0.1÷1 eV). An atomic beam in the conditions of ultrahigh vacuum is considered to be a suitable source of superior graphene layers also due to the high purity of the method. The first part of this work describes graphene as a material and the method of molecular beam epitaxy. The second part is dedicated to the description of an assembly of the carbon source and its optimization which also concludes with experimental data obtained from measurement of the deposited carbon layers on various substrates (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).