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14 results on '"Bourgeat, Johan"'

5. Study of Inter-Power Domain Failures during a CDM Event

Author

Troussier, Chloé, Bourgeat, Johan, Simeu, Emmanuel, Arnould, Jean-Daniel, Jimenez, J., Jacquier, B., STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Reliable RF and Mixed-signal Systems (RMS ), Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés (TIMA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits (RFIC-Lab ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), and Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
PACS 85.42, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2020

11. Local ESD protection structure based on Silicon Controlled Rectifier achieving very low overshoot voltage

Author

Bourgeat, Johan, Entringer, Christophe, Galy, Philippe, Fonteneau, Pascal, Bafleur, Marise, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), convention CIFRE STMicrolectronics, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées

Subjects
Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, ESD, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, SCR, 45nm CMOS technology, overshoot
Abstract

International audience; This paper presents a new local ESD protection structure. This structure is based on static triggered SCR and realized in a 45nm CMOS technology node. This protection achieves very low static triggering voltage, low on-resistance, low DC leakage current for off configurations. This new structure is latch-up free and fail safe.

Published
2009

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