1. Class-A operation of an optically-pumped 1.6 µm-emitting quantum dash-based vertical-external-cavity surface-emitting laser on InP
- Author
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Salvatore, Pes, Cyril, Paranthoën, Christophe, Levallois, Nicolas, Chevalier, Cyril, Hamel, Kevin, Audo, Goulc'hen, Loas, Steve, Bouhier, Carmen, Gomez, Jean-Christophe, Harmand, Sophie, Bouchoule, Hervé, Folliot, Mehdi, Alouini, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR, DGA, Région Bretagne, ANR-14-ASTR-0007,HYPOCAMP,Lasers à cavités verticales accordables hybrides , contrôlées en polarisation et entièrement monolithiques pour la conception systèmes optiques et micro-ondes embarqués et compacts.(2014), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Subjects
Quantum dash lasers ,Semiconductor lasers ,[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics] ,Vertical External Cavity Surface-Emitting Lasers ,Phase noise ,Class-A ,VECSEL ,Single-frequency ,Linewidth ,[SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials ,RIN noise ,Semiconductor disk laser ,III V semiconductors ,[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic ,[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] ,[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics - Abstract
International audience; A continuous-wave 1.6 µm-emitting InAs Quantum Dash-based Optically-Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser on InP is demonstrated. The laser emits in the L-band with a stable linear polarization. Up to 163 mW output power has been obtained in multi-transverse mode regime. Single-frequency regime is achieved in the 1609-1622 nm range, with an estimated linewidth of 22 kHz in a 49 mm cavity, and a maximum emitted power of 7.9 mW at 1611 nm. In such conditions, the laser exhibits a Class-A behavior, with a cut-off frequency of 800 kHz and a shot-noise floor of −158 dB/Hz for 2 mA of detected photocurrent.
- Published
- 2017
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