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124 results on '"Fave, Alain"'

1. Down Converter Device Combining Rare-Earth Doped Thin Layer and Photonic Crystal for c-Si Based Solar Cell

Author

Deschamps, Thierry, Drouard, Emmanuel, Peretti, Romain, Lalouat, Loïc, Fourmond, Erwann, Fave, Alain, Guille, Antoine, Pereira, António, Moine, Bernard, and Seassal, Christian

Subjects
Physics - Optics
Abstract

The aim of the study is to develop ultra-compact structures enabling an efficient conversion of single high energy photon (UV) to two lower energy photons (IR). The proposed structure combines rare-earths doped thin layer allowing the down-conversion process with a photonic crystal (PhC), in order to control and enhance the down-conversion using optical resonances. On the top of the rare-earths doped layer, a silicon nitride (SiN) 2D planar PhC is synthesized. For that, SiN is first deposited by PECVD. After holographic lithography and reactive ion etching, a periodic square lattice of holes is generated on the SiN layer. The PhC topographical parameters as well as the layers thickness are optimized using Finite-Difference-Time-Domain simulations. The design and realization of such PhC-assisted down-converter structures is presented. Optical simulations demonstrate that the PhC leads to the establishment of resonant modes located in the underneath doped layer, allowing a drastic enhancement of the absorption of the rare-earth ions without disturbing the transmission in the visible and near-IR parts of the spectrum, hence demonstrating the relevance of such an approach., Comment: 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Paris : France (2013)

Published
2013
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2. Absorption enhancement in amorphous silicon photonic crystals for thin film photovoltaic solar cells

Author

Daif, Ounsi El, Drouard, Emmanuel, Park, Yeonsang, Fave, Alain, Kaminski, Anne, Lemiti, Mustapha, Letartre, Xavier, Viktorovitch, Pierre, Ahn, Sungmo, Jeon, Heonsu, and Seassal, Christian

Subjects
Condensed Matter - Materials Science, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Abstract

We report on very high enhancement of thin layer's absorption through band-engineering of a photonic crystal structure. We realized amorphous silicon (aSi) photonic crystals, where slow light modes improve absorption efficiency. We show through simulation that an increase of the absorption by a factor of 1.5 is expected for a film of aSi. The proposal is then validated by an experimental demonstration, showing an important increase of the absorption of a layer of aSi over a spectral range of 0.32-0.76 microns., Comment: 4 pages, 5 figures

Published
2009

4. Electroluminescence analysis of silicon interdigitated back contact solar cells with a front surface selective band offset barrier

Author

Ahanogbe Koffi F., Alvarez José, Jaffré Alexandre, Connolly James P., Gueunier-Farret Marie-Estelle, Fourmond Erwann, El-Whibi Seif, Fave Alain, Carroy Perrine, Djebbour Zakaria, and Kleider Jean-Paul

Subjects
electroluminescence, characterization, three-terminal, tandem solar cell, Renewable energy sources, TJ807-830
Abstract

Electroluminescence allows rapid characterization of an entire photovoltaic solar cell and visualization of defects at the micrometer scale. Here we focus on the optoelectronic properties of silicon interdigitated back contact cells characterized by electroluminescence. The spatially resolved electroluminescence helps us control the quality of interdigitated back contact structures used in silicon bottom subcells in a three-terminal tandem perovskite on silicon solar cell. Local variations in minority carrier diffusion length, surface recombination velocity and, the impact of resistive and optical losses were analyzed by electroluminescence mapping. In addition, we quantify the radiative saturation current density and the radiative open circuit voltage using the electroluminescence spectrum of the cell. This step allows us to accurately assess the performance limits induced in the device due to the non-radiative recombination.

Published
2022
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9. ANR EPCIS: first results on High-Efficiency Epitaxial CIGSu on Silicon Tandem Solar Cell

Author

Durand, Olivier, Bertin, Eugène, Barreau, Nicolas, Jullien, Maud, Gautheron-Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Gautron, Eric, Arzel, Ludovic, Harel, Sylvie, Crossay, Alexandre, Lontchi, Jackson, Rebaï, Amelle, Bérenguier, Baptiste, Guillemoles, Jean-François, Naghavi, Negar, Fave, Alain, Tamin, Charif, Lincot, Daniel, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Nantes université - UFR des Sciences et des Techniques (Nantes univ - UFR ST), Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (Nantes Univ - EPUN), Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ), Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR) (IPVF), École polytechnique (X)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-TOTAL FINA ELF-EDF (EDF)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF)-Air Liquide [Siège Social], Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE) (IPVF), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PIA (Grant no. ANR‐IEED‐002‐01), French Contrat Plan État‐Région and the European Regional Development Fund of Pays de la Loire. The authors acknowledge RENATECH+ (French Network of MajorTechnology Centers) for technological support, and the CIMEN Electron Microscopy Center in Nantes., and ANR-20-CE05-0038,EPCIS,Cellules Tandem Epitaxiales à Haut Rendement CIGS-Silicium(2020)

Subjects
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

National audience

Published
2022

12. Influence of sputtering deposition parameters on electrical and optical properties of aluminium-doped zinc oxide thin films for photovoltaic applications

Author

Krawczak Ewelina, Agata Zdyb, Gulkowski Slawomir, Fave Alain, and Fourmond Erwann

Subjects
Environmental sciences, GE1-350
Abstract

Transparent Conductive Oxides (TCOs) characterized by high visible transmittance and low electrical resistivity play an important role in photovoltaic technology. Aluminum doped zinc oxide (AZO) is one of the TCOs that can find its application in thin film solar cells (CIGS or CdTe PV technology) as well as in other microelectronic applications. In this paper some optical and electrical properties of ZnO:Al thin films deposited by RF magnetron sputtering method have been investigated. AZO layers have been deposited on the soda lime glass substrates with use of variable technological parameters such as pressure in the deposition chamber, power applied and temperature during the process. The composition of AZO films has been investigated by EDS method. Thickness and refraction index of the deposited layers in dependence on certain technological parameters of sputtering process have been determined by spectroscopic ellipsometry. The measurements of transmittance and sheet resistance were also performed.

Published
2017
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13. Influence of patterning the TCO layer on the series resistance of thin film HIT solar cells

Author

Champory Romain, Mandorlo Fabien, Seassal Christian, and Fave Alain

Subjects
Renewable energy sources, TJ807-830
Abstract

Thin HIT solar cells combine efficient surface passivation and high open circuit voltage leading to high conversion efficiencies. They require a TCO layer in order to ease carriers transfer to the top surface fingers. This Transparent Conductive Oxide layer induces parasitic absorption in the low wavelength range of the solar spectrum that limits the maximum short circuit current. In case of thin film HIT solar cells, the front surface is patterned in order to increase the effective life time of photons in the active material, and the TCO layer is often deposited with a conformal way leading to additional material on the sidewalls of the patterns. In this article, we propose an alternative scheme with a local etching of both the TCO and the front a-Si:H layers in order to reduce the parasitic absorption. We study how the local resistivity of the TCO evolves as a function of the patterns, and demonstrate how the increase of the series resistance can be compensated in order to increase the conversion efficiency.

Published
2017
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15. Towards high efficiency tandem solar cells based on III-V nanowires on silicon

Author

Fave, Alain, Vettori, Marco, Chevalier, Céline, Chauvin, Nicolas, Regreny, Philippe, Gendry, Michel, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), and Chauvin, Nicolas

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2019

16. Electrical Properties of Monocrystalline Thin Film Si for Solar Cells Fabricated By Rapid Vapor Deposition with Nano-Surface Controlling Double Layer Porous Si in H2

Author

Shibahara, Ryotaro, Hasegawa, Kei, Fave, Alain, Fourmond, Erwann, Noda, Suguru, Ihara, Manabu, Tokyo Institute of Technology [Tokyo] (TITECH), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Fourmond, Erwann

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience; Introduction To reduce the Si thickness with maintaining the high quality is a promising approach to reduce the cost of monocrystalline Si solar cell. A major method to fabricate monocrystalline thin Si is epitaxy by Chemical Vapor Deposition (CVD) and Layer Transfer Process (LTP) as shown in Fig. 1. A seed layer and a sacrificial layer such as double layer porous Si (DLPS) which consist of a Low Porous Layer (LPL) and a High Porous Layer (HPL) are fabricated on the surface of a monocrystalline Si wafer, and then Si is epitaxially deposited on the seed layer. This wafer can then be reused in LTP, thus further reducing the material cost of these Si cells. There remain two challenging issues: (ⅰ) crystal defect introduced during epitaxy caused by the roughness of the seed layer 1) and (ⅱ) low deposition rate and yield of epitaxy by CVD. To solve problem (ⅰ), we proposed a Zone Heating Recrystallization (ZHR) method 2) to smoothen the DLPS surface as shown in Fig.2. The structure of the DLPS surface can be modified by using an upper lamp heater to scan the surface in one direction and a bottom heater to pre-heat Si substrate. To solve problem (ⅱ), we proposed a Rapid Vapor Deposition (RVD) method 3) as shown in Fig.3. By depositing Si under a high vapor pressure by heating the source Si to over 2000℃, the deposition rate of over 10 μm/min with a higher yield is achieved. By applying both the ZHR and RVD methods, we successfully reduced the roughness of a DLPS surface and obtained monocrystalline Si with Si wafer level. The critical effect of lowering the roughness of a DLPS surface to R ms < 0.3 nm was

Published
2019

17. Development of nanostructured FTO films as transparent and diffuse electrodes for enhanced photovoltaic performances

Author

Lakhdar Chaouche, Soraya, Bellet, Daniel, Muñoz-Rojas, David, Nguyen, Viet Huong, Lincot, Daniel, Balestrieri, Matteo, Fave, Alain, Daniele, Stéphane, Jimenez, Carmen, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), IRCELYON-C'Durable (CDURABLE), Institut de recherches sur la catalyse et l'environnement de Lyon (IRCELYON), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Lmgp, Labo

Subjects
[CHIM.MATE] Chemical Sciences/Material chemistry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2019

18. TEM and STEM Observations of a Flat Continuous Silicon-Germanium Thin Film Epitaxially Grown on Porous Silicon

Author

Yamanaka, Junji, Usami, Noritaka, Amtablian, Sevak, Fave, Alain, Lemiti, M, Yamamoto, Chiaya, Nakagawa, Kiyokazu, Lemiti, Mustapha, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE)

Subjects
010302 applied physics, Electron mobility, Materials science, business.industry, Strained silicon, 02 engineering and technology, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, 021001 nanoscience & nanotechnology, Porous silicon, Microstructure, Epitaxy, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Silicon-germanium, Crystallography, chemistry.chemical_compound, chemistry, 0103 physical sciences, Optoelectronics, Thin film, 0210 nano-technology, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Molecular beam epitaxy
Abstract

Strain-relaxed SiGe is an attractive material for use as a substrate of strained Si, in which carrier mobility is higher than that of bulk Si. The concept of this study is the use of porous Si as a sponge like substrate so that a SiGe lattice can relax without introducing dislocations. We produced porous Si specimens by electrochemical anodization and annealed them under a H2 atmosphere. Then, SiGe thin films were grown by gas-source molecular beam epitaxy. We observed the microstructure of the specimens using transmission electron microscopy. The result showed that we succeeded in producing a single-crys- tal continuous Si0.73Ge0.27 film with a 10% relaxation ratio and a low dislocation density on porous Si.

Published
2017
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19. Influence of a back side dielectric mirror on thin film silicon solar cells performance

Author

Cieslak, Krystian, Fave, Alain, Lemiti, Mustapha, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, thin film silicon solar cells, back side emitter, back side mirror, vapor phase epitaxy, Bragg mirror, IMD optical properties simulation, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

OPTICA APPLICATA; 01/2019; ISSN 1429-7507

Published
2019
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20. GaAs/AlGaAs core/shell nanowires on Si substrates for photovoltaics: toward an optimized tandem solar cell

Author

Vettori, Marco, Cattoni, Andrea, Regreny, Philippe, Penuelas, Jose, Chauvin, Nicolas, Chevallier, Céline, Scaccabarozzi, Andrea, Patriarche, Gilles, Maryasin, Vladimir, Kaminski-Cachopo, Anne, Fave, Alain, Gendry, Michel, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and Gendry, Michel

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, tandem solar cell, GaAs/AlGaAs NWs, patterned substrates
Abstract

International audience; Since LaPierre's first theorization of a nanowires (NWs)-based tandem solar cell (TSC) on Si substrate, 1 other theoretical studies have been carried out to investigate the high potentialities of such devices, 2 which can virtually reach an efficiency around 34 %. In spite of these very promising results, the research in this field has not yet developed that much on a practical level: to the best of our knowledge only one prototype of TSC has been realized so far by Yao et al, 3 and although not completely optimized, it reached the high conversion efficiency value of 11.4 %. Based on these considerations, we aimed to develop a fully optimized TSC capable to achieve higher efficiencies. 4 This consists in a top cell made of an ordered array of GaAs/AlGaAs core/shell NWs, with a radial p-in junction in the AlGaAs shell, directly grown on a bottom cell of Si(111), as shown in Figure 1(a). The optimization work has been carried out in different steps, i.e. theoretical simulations to identify the best set up for the array, optimization of the NW structure, composition and morphology, investigation for the most suitable passivation shell and growth on patterned substrates. The last point has notably lead to significant results, since we develop a protocol to obtain very high vertical yields (from 80 % to 90 %) of GaAs/AlGaAs core/shell NWs on large patterned areas (0.9 cm x 0.9 cm), as shown in Figure 1(b). Following these promising results, we are currently committed to using our ordered arrays of NWs for the fabrication of a TSC, now focusing our work on encapsulating and contacting the nanostructures: despite the complexity of the system, EBIC results in this respect (cf. V. Piazza's abstract) are encouraging and suggest that the realization of the TSC is at our fingertips. 5 Figure 1. (a) Scheme of the ultimate structure of the TSC. (b) Ordered array of p-GaAs core / p-in AlGaAs shell NWs on Si(111) with a high vertical yield (80-90 %); white scale bar corresponding to 2 µm.

Published
2018

22. Effect on compact-TiO2 by spray pyrolysis technique and its interface between TiO2/Si layer for tandem solar application

Author

Nukunudompanich, Methawee, Suzuki, Kazuma, Hasegawa, Kei, Fourmond, Erwann, Fave, Alain, Ihara, Manabu, Fourmond, Erwann, Tokyo Institute of Technology [Tokyo] (TITECH), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience

Published
2018

23. Nanoscale investigation of radial p-n junction in self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (111)

Author

PIAZZA, V., VETTORI, Marco, Ahmed, A., Chauvin, Nicolas, Regreny, Philippe, Patriarche, G., Fave, Alain, GENDRY, Michel, Tchernycheva, M., Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Saclay, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Photovoltaïque (INL - PV), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2017

25. Nanoscale analyses of axial and radial III-V nanowires for solar cells (Conference Presentation)

Author

Piazza, Valerio, primary, Chalermchai, Himwas, additional, Saket, Omar, additional, Vettori, Marco, additional, Ali, Ahmed, additional, Julien, François H., additional, Chauvin, Nicolas, additional, Régreny, Philippe, additional, Fave, Alain, additional, Gendry, Michel, additional, Patriarche, Gilles, additional, Rale, Pierre, additional, Oehler, Fabrice, additional, Collin, Stéphane, additional, Harmand, Jean-Chirstophe, additional, and Tchernycheva, Maria, additional

Published
2018
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26. Two-dimensional photonic crystal for absorption enhancement in hydrogenated amorphous silicon thin film solar cells.

Author

Gomard, Guillaume, Drouard, Emmanuel, Letartre, Xavier, Xianqin Meng, Kaminski, Anne, Fave, Alain, Lemiti, Mustapha, Garcia-Caurel, Enric, and Seassal, Christian

Subjects
PHOTONICS research, CRYSTALS, SILICON research, SOLAR cells, THIN film research, ABSORPTION
Abstract

We propose a photovoltaic solar cell design based on a 100 nm thick absorbing layer made of hydrogenated amorphous silicon and patterned as a two-dimensional planar photonic crystal (PPC). After scanning the parameters of the PPC within the patterned cell, optical simulations performed on the best configuration obtained reveal that a relative increase in the integrated absorption inside the active layer of 28% can be expected between 300 and 720 nm compared to an equivalent but nonpatterned cell under normal incidence. Besides, this integrated absorption is found to be robust toward the angle of incidence. Incident light is efficiently coupled to leaky mode resonances of the PPC provided an appropriated tuning of its parameters. The effects of the reflectance of the back contact coupled to a conductive optical spacer on the absorption are also discussed. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2010
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27. Caractérisation de couches d’Al2O3 déposées par ALD thermique pour des applications photovoltaïques

Author

Barbos, Corina, Fave, Alain, Canut, Bruno, Regreny, Philippe, Botella, Claude, Geneviève, Grenet, BLANQUET, Elisabeth, Crisci, Alexandre, Lemiti, Mustapha, Blanc, Danièle, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institute of Biometeorology, Consiglio Nazionale delle Ricerche [Roma] (CNR), and Lemiti, Mustapha

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2016

28. Fabrication of Si tunnel diodes for III-V / Si tandem solar cells

Author

Fave, Alain, Lelièvre, Jean-François, Gallet, Thibault, Su, Qiaoyu, Lemiti, Mustapha, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Lemiti, Mustapha

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2016

29. Nanoscale investigation of a radial p–n junction in self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (111)

Author

Piazza, Valerio, primary, Vettori, Marco, additional, Ahmed, Ahmed Ali, additional, Lavenus, Pierre, additional, Bayle, Fabien, additional, Chauvin, Nicolas, additional, Julien, François H., additional, Regreny, Philippe, additional, Patriarche, Gilles, additional, Fave, Alain, additional, Gendry, Michel, additional, and Tchernycheva, Maria, additional

Published
2018
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30. Self-catalyzed growth of III-V nanowires on Si for high efficiency Tandem Solar Cell

Author

VETTORI, Marco, Benali, Abdennacer, Regreny, Philippe, Chauvin, Nicolas, GENDRY, Michel, Fave, Alain, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), and INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS] Physics [physics]
Abstract

December, 15-19; International audience; no abstract

Published
2016

31. Core-shell nanowires fffor high efficiency tandem solar cells on Silicon

Author

Fave, Alain, Vettori, Marco, Benali, Abdennacer, Regreny, Philippe, Chauvin, Nicolas, Drouard, Emmanuel, Lemiti, Mustapha, Gendry, Michel, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS] Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

November 29-December 2; International audience; no abstract

Published
2016

32. Fabrication of Thin-Film Crystalline Silicon Solar Cells Reported on Sintered Silicon

Author

Gérenton, Félix, Mandorlo, Fabien, Le Coz, Martine, Cieslak, Krystian, Fave, Alain, Lemiti, Mustapha, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Lemiti, Mustapha

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2015

33. Optimisation de la face arrière des cellules en couches minces de silicium cristallin

Author

Gérenton, Félix, Mandorlo, Fabien, le Coz, martine, Cieslak, Krystian, Fave, Alain, Lemiti, Mustapha, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Lemiti, Mustapha

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2015

34. Self-catalyzed growth of GaAs nanowires on silicon for tandem solar cells

Author

Benali, Abdennacer, Michallon, J., Regreny, Philippe, Drouard, Emmanuel, Rojo Romeo, Pedro, Chauvin, Nicolas, Fave, Alain, Patriarche, G., Kaminski-Cachopo, Anne, Gendry, Michel, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], Hardware_MEMORYSTRUCTURES, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMethodologies_GENERAL, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

poster MoP.16; International audience

Published
2015

35. Nanophotonics-based low-temperature PECVD epitaxial crystalline silicon solar cells

Author

Chen, Wanghua, primary, Cariou, Romain, additional, Foldyna, Martin, additional, Depauw, Valerie, additional, Trompoukis, Christos, additional, Drouard, Emmanuel, additional, Lalouat, Loic, additional, Harouri, Abdelmounaim, additional, Liu, Jia, additional, Fave, Alain, additional, Orobtchouk, Régis, additional, Mandorlo, Fabien, additional, Seassal, Christian, additional, Massiot, Inès, additional, Dmitriev, Alexandre, additional, Lee, Ki-Dong, additional, and Cabarrocas, Pere Roca i, additional

Published
2016
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36. The Electrical Challenges of a Patterned TCO for HIT Solar Cell

Author

Champory, Romain, Mandorlo, Fabien, Fave, Alain, Seassal, Christian, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and INL - Nanophotonique (INL - Photonique)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

december 12-16, 2014; International audience; no abstract

Published
2014

37. Design, fabrication and characterization of thin film monocrystalline-silicon solar cells with efficient light trapping

Author

Fave, Alain, Lalouat, Loic, Meng, Xianqin, Gomard, Guillaume, Trompoukis, C., El Daif, Ounsi, Depauw, V., Drouard, Emmanuel, Mandorlo, Fabien, Seassal, Christian, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), IMEC (IMEC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Departement Elektrotechniek - ESAT [leuven], and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

28-31 Juillet 2014; International audience; no abstract

Published
2014

38. A bottom-up approach for embedded silicon nanowires based solar cells

Author

Fave, Alain, Nychyporuk, Tetyana, Bastide, S., Lemiti, Mustapha, Usami, N., INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est (ICMPE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

22-24? February 2011; International audience; no abstract

Published
2014

39. Ultra-compact nanophotonic structures for down-conversion and down-shifting enhancement

Author

Deschamps, Thierry, Drouard, Emmanuel, Pereira, A., Peretti, Romain, Lalouat, Loic, GUILLE, A., Le Coz, Marine, Fourmond, Erwann, Fave, Alain, Orobtchouk, Regis, Moine, B., Seassal, Christian, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), DOSIsoft, INL - Photovoltaïque (INL - PV), Géosciences Environnement Toulouse (GET), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

26-30 mai 2014; International audience; no abstract

Published
2014

40. Nanophotonics in photovoltaic cells for solar or indoor light trapping

Author

Peretti, Romain, Deschamps, Thierry, Gomard, Guillaume, Meng, Xianqin, Lalouat, Loïc, Mandorlo, Fabien, Fave, Alain, Drouard, Emmanuel, Seassal, Christian, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Photovoltaïque (INL - PV), This work was supported by Orange Labs Networks contract 0050012310-A09221, by the European Union (EU) PhotoNVoltaics project (Grant Agreement No. 309127), by the ANR 'Sparcs' and 'Nathisol' project and by the 'Repcop' IMUST project, European Project, Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Peretti, Romain, and PhotoNVoltaics project (Grant Agreement No. 309127) - INCOMING

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], photovoltaics, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], holographic lithography, FDTD, time domain couple mode theory, reactiv ion etching, Physics::Optics, photonic crystal
Abstract

International audience; We first introduce selected approaches, concepts and technological strategies to control light collection and absorption in photovoltaic ultrathin film cells for both solar and indoor light harvesting. We then illustrate light trapping into photonic crystal structures with examples of structures and devices, including 100nm thick hydrogenated amorphous silicon and 1µm thick crystalline layer solar cells. Finally, we discuss on the interest of photonic crystal structures to enhance non linear optical processes like down conversion for 3rd generation solar cells.

Published
2013

41. Le modèle International de l'INSA de Lyon : au-delà de l’échange académique

Author

Dupuy, Jérôme, Darnanville, Thalia, Valois, Fabrice, Arnesen, Nina, Favre, Marie-Pierre, Fave, Alain, Cavaillé, Jean-Yves, Grenier, Thomas, Dumitrescu, Emil, Niel, Eric, Odet, Christophe, Ingénierie des Matériaux Polymères (IMP), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Smart Wireless Networking (SWING), Inria Grenoble - Rhône-Alpes, Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-CITI Centre of Innovation in Telecommunications and Integration of services (CITI), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Images et Modèles, Centre de Recherche en Acquisition et Traitement de l'Image pour la Santé (CREATIS), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ampère, Département Méthodes pour l'Ingénierie des Systèmes (MIS), Ampère (AMPERE), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Centre de Recherche et d'Application en Traitement de l'Image et du Signal (CREATIS), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon, Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Hospices Civils de Lyon (HCL)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Hospices Civils de Lyon (HCL)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Supérieure Chimie Physique Électronique de Lyon-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
immersion, Japon, Amerinsa, Asinsa, synergie formation-recherche, écoles scientifiques de courte durée, Eurinsa, projets collaboratifs, IMESI, synergie enseignement-recherche, cours techniques et humanités, Medical Image Engineering, ELyT Lab, Chine, Scan, IMS, IMIS, télécommunications, laboratoire international associé (LIA), Premier cycle, Université de Shanghai Jiao Tong, filière, Université de Tohoku, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Embedded Systems, Information Systems
Abstract

National audience; Former des ingénieurs, des scientifiques et des cadres : a) généralistes, de haut niveau scientifique et technologiques, b)experts dans la gestion de projets innovants, c) « ouverts » sur le monde, et d) aptes à répondre aux enjeux de la complexité, - telleest l’une des ambitions de l’INSA de Lyon dans un contexte où la plupart des fonctions occupées dans l’entreprise par l’ingénieuraujourd’hui sont marquées du sceau de la globalisation et soulignent par là-même le caractère mondial des marchés. La mobilitéinternationale demeure au cœur de la stratégie de l’INSA de Lyon, d’autant que l’intégration d’un séjour à l’étranger dans son plande formation équivaut à une plus-value appréciée par les futurs employeurs. Avec 250 universités partenaires, 30 % d’étudiantsétrangers sur le campus et 75 % des élèves ingénieurs effectuant un séjour à l’étranger au cours de leurs études, le rayonnement international de l’INSA de Lyon est tout à fait exemplaire. En d’autres termes, l’originalité du développement international de l’INSAde Lyon réside dans une politique de parcours novateurs et de partenariat rapproché. Cet article présente quatre exemples de cettepolitique : 1) les Filières Internationales du Premier Cycle, 2) la filière Télécommunications R&D en Chine : SPE-T (Special Program of Engineering in Telecommunications), 3) l’ELyT School et 4) les Masters Internationaux.

Published
2011
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44. Interdigitated Back Contacts Solar Cells on Transferred Si-Thin Film Epitaxially Grown on Porous Silicon

Author

Kraiem, Jed, Nichiporuk, O., Papet, Pierre, Lelièvre, J.-F., Fave, Alain, Kaminski, Anne, Fourmond, Erwann, Boyeaux, J-P, Ribeyron, P-J, Laugier, A, Lemiti, Mustapha, Laboratoire de physique de la matière (LPM), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CEA Grenoble (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), and Fourmond, Erwann

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Layer Transfer Process, Silicon Thin Film, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Rear Contacts Cell, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience; In this paper we propose a novel approach to thin-film silicon solar cells technology developed at INSA-LYON, named ELIT process (Epitaxial Layer for Interdigitated back contacts solar cell Transferred using porous silicon as a weakened layer). High crystal quality Si film is grown on porous silicon (PS) by Vapor Phase Epitaxy. This single crystal silicon epitaxial layer was processed into solar cells by realizing all contacts on the back side. Then, thin film solar cell is transferred onto a low-cost substrate before texturation and deposition of antireflective coating on the front side. Preliminary experiments of transferred IBC thin-film solar cell lead to 7.7% efficiency with a 70 µm thick active layer.

Published
2005

46. Absorption in photonic crystals: from order to disorder

Author

Seassal, Christian, additional, Lalouat, Loїc, additional, Ding, He, additional, Drouard, Emmanuel, additional, Gomard, Guillaume, additional, Peretti, Romain, additional, Deschamp, Thierry, additional, Mandorlo, Fabien, additional, Orobtchouk, Régis, additional, and Fave, Alain, additional

Published
2014
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48. Nanostructured down-converter module for photovoltaic application

Author

Deschamps, Thierry, primary, Guille, Antoine, additional, Drouard, Emmanuel, additional, Mazurczyk, Radoslaw, additional, Orobtchouk, Régis, additional, Jamois, Cecile, additional, Fave, Alain, additional, Peretti, Romain, additional, Fourmond, Erwann, additional, Pereira, Antonio, additional, Moine, Bernard, additional, and Seassal, Christian, additional

Published
2013
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Catalog

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