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Your search keyword '"Guitard, Nicolas"' showing total 23 results
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23 results on '"Guitard, Nicolas"'

7. SOI CMOS and SiGe BiCMOS Technologies for RF and mmW Applications

Author

Chevalier, Pascal, primary, Gachon, Sylvie, additional, Gianesello, Frédéric, additional, Pallotta, Andrea, additional, Planes, Nicolas, additional, Scheer, Patrick, additional, Dormieu, Benjamin, additional, Cathelin, Andreia, additional, Garcia, Patrice, additional, Villa, Nuccio, additional, Bertrand, Guillaume, additional, Brezza, Edoardo, additional, Canderle, Elodie, additional, Céli, Didier, additional, Cathelin, Philippe, additional, Albuquerque, Tulio Chaves de, additional, Crémer, Sébastien, additional, Derrier, Nicolas, additional, Dhar, Siddhartha, additional, Dirani, Houssein El, additional, Durand, Cédric, additional, Gauthier, Alexis, additional, Guitard, Nicolas, additional, Fleury, Alain, additional, Julien, Franck, additional, Gloria, Daniel, additional, Granger, Eric, additional, Paillardet, Frédéric, additional, Milon, Victor, additional, Monfray, Stéphane, additional, Monsieur, Frédéric, additional, Mourier, Yannick, additional, Sicard, Isabelle, additional, Uginet, Jacky, additional, and Vulliet, Nathalie, additional

Published
2021
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10. Characterization of Heated Ion Implantation for non Amorphizing Conditions and Correlation with Kinetic Monte Carlo Simulations

Author

Joblot, Sylvain, primary, Duru, Romain, additional, Guitard, Nicolas, additional, Lu, Vincent, additional, Nassiet, Thomas, additional, Beneyton, Remi, additional, Cristiano, Fuccio, additional, Dabertrand, Karen, additional, Borrel, Julien, additional, Juhel, Marc, additional, Arevalo, Edwin, additional, Monsieur, Frederic, additional, Borowiak, Celine, additional, Ghegin, Elodie, additional, Clement, Laurent, additional, Oudot, Evan, additional, Rideau, Denis, additional, Zou, Wei, additional, and Pinzelli, Luc, additional

Published
2018
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13. Improved ESD Protection in Advanced FDSOI by SON/Bulk Co-integration - EOS/ESD symposium 2010, september, Anaheim, CA USA

Author

Benoist, T., Fenouillet-Beranger, C., Guitard, Nicolas, Huguenin, J.-L., Monfray, S., Galy, P., Buj, C., Faynot, O., Andrieu, F., Perreau, P., Marin-Cudraz, D., Cristoloveanu, S., Gentil, P., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2010

14. Caractérisation de défauts latents dans les circuits intégrés soumis à des décharges électrostatiques

Author

Guitard, Nicolas, Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Paul Sabatier - Toulouse III, M.BAFLEUR, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)

Subjects
Protection, Simulation physique, Laser stimulation, Device simulation, SPICE modeling, Décharges électrostatiques (ESD), [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Stimulation laser, Modélisation SPICE, Electrostatic discharge (ESD)
Abstract

Electrical stresses, such as electrostatic discharges (ESD) and electric overstress (EOS), are at the origin of more than 50% of integrated circuits failures. Moreover, with the advent of wireless technologies and the development of "X-by-wire" systems for automotive and aircraft applications, robustness specifications have become more severe. Concurrently, both shrinking and increasing complexity of semiconductor technologies increase their susceptibility to EOS/ESD stresses and generation of latent defects is more likely to occur. Finally, the required reliability levels in the majority of the applications are extremely high. To meet these new requirements, latent defects detection become essential. Due to feature size shrinking, the quiescent current of microelectronics circuits is increasing. This current increase will make difficult or impossible to detect latent defects susceptible to degrade the reliability of microelectronics systems. In this thesis, we studied the impact of latent defects induced by CDM ESD stresses on the reliability of integrated circuits, and proposed a new methodology for their detection. This methodology, based on low frequency noise measurements, enables the detection of latent defects with a higher sensitivity compared to leakage current measurement. The methodology was validated for simple ESD protection structures but also for complex commercial circuits submitted to CDM discharges. Various laser stimulation techniques were carried out for the localization of the generated defects and the validation of the physical mechanisms involved in the noise increase.; Les agressions électriques, du type décharges électrostatiques (ESD) et surcharges électriques (EOS), sont à l'origine de plus de 50% des défaillances des circuits intégrés. De plus, avec l'avènement des technologies sans fil et des applications dites "plus électriques" en automobile et dans l'aviation, les spécifications de robustesse à ces agressions se sont considérablement durcies. Dans le même temps, la réduction des dimensions et la complexité croissante des technologies pose le problème de leur susceptibilité à ces contraintes EOS/ESD et de la probabilité non négligeable de génération de défauts latents. Enfin, les niveaux de fiabilité exigés maintenant dans la plupart des applications sont extrêmement élevés. Afin de répondre à ces nouvelles exigences, la détection des défauts latents est devenue indispensable, notamment pour des applications comme celles du domaine spatial. Or, la diminution des dimensions lithographiques a pour conséquence une augmentation des courants de repos des circuits microélectroniques. Cette augmentation rend difficile voire impossible la détection de défauts latents susceptibles de " dé-fiabiliser " des systèmes microélectroniques. Nous avons, dans cette thèse, étudié l'impact de défauts latents induits par stress ESD de type CDM sur la fiabilité de circuits et proposé une nouvelle méthodologie pour leur détection. Issue du domaine des radio fréquences, cette méthodologie basée sur des mesures du bruit basse fréquence nous a permis de mettre en évidence, avec une meilleure sensibilité, des défauts latents dans de simples structures de protections ESD mais aussi dans des circuits commerciaux complexes soumis à des décharges de type CDM. Différentes techniques de localisation par stimulation laser ont été mises en oeuvre pour la détection physique des défauts générés et corroborer l'analyse des mécanismes physiques à l'origine de l'augmentation du bruit.

Published
2006

15. OBIC technique for ESD defect localization : Influence of the experimental procedure

Author

Essely, F., Guitard, Nicolas, Darracq, F., Pouget, V., Bafleur, Marise, Touboul, A., Lewis, D., Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2006

16. Applications of various optical techniques for ESD defect localization

Author

Essely, Fabien, Darracq, Frédéric, Pouget, Vincent, Remmach, Mustapha, Beaudoin, Félix, Guitard, Nicolas, Bafleur, Marise, Perdu, Philippe, Touboul, Andre, Lewis, Dean, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2006

17. Different failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structure

Author

Guitard, Nicolas, Essely, Fabien, Trémouilles, David, Bafleur, Marise, Nolhier, Nicolas, Perdu, Philippe, Touboul, Andre, Pouget, Vincent, Lewis, Dean, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), and Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2005

19. Are artificial tracers conservative in argillaceous media? The Tournemire claystone case

Author

Savoye, Sébastien, De Windt, Laurent, Beaucaire, Catherine, Bruno, Gérard, Guitard, Nicolas, SERGD, Institut de Radioprotection et de Sûreté Nucléaire (IRSN), Centre de Géosciences (GEOSCIENCES), MINES ParisTech - École nationale supérieure des mines de Paris, and Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)

Subjects
[SDU.STU.GC]Sciences of the Universe [physics]/Earth Sciences/Geochemistry, [SDE.MCG]Environmental Sciences/Global Changes, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2001

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