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1. Bonding-Wire-Geometric-Profile-Dependent Model for Mutual Coupling Between Two Bonding Wires on a Glass Substrate

Author

Pierre Nicole, Dominique Lesenechal, Thanh Vinh Dinh, Philippe Descamps, Julien Pagazani, Gaelle Lissorgues, Daniel Pasquet, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (IRSEEM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES, Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (ESIGELEC), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES [France], Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other, Wire bonding, Materials science, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), Electromagnetic simulation, Industrial and Manufacturing Engineering, Kinetic inductance, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Chip scale packaging, Bonding wire (BW), Dependent model, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Bonding processes, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Electrical and Electronic Engineering, Inductance, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, glass, Coupling, Bonding, Wire (electric), Substrates, Condensed matter physics, mutual coupling, 020208 electrical & electronic engineering, 020206 networking & telecommunications, Wires, electromagnetic (EM) modeling, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, inductance formula, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Integrated circuit modeling, Mutual coupling
Abstract

International audience; The dependence of self-inductance and mutual inductance on bonding wire (BW) geometric profile has been studied in several papers. This paper will present a method using a BW-geometric-profile-dependent term to include this dependence in a simple model of BWs. The model element values will be calculated only from geometric dimensions. An experimental structure of two BWs in parallel planes has been fabricated based upon glass substrate technique for verification. A good agreement was obtained up to 8 GHz in comparison to electromagnetic simulation and measurement.

Published
2015

2. Adaptive gain and delay mismatch cancellation for LINC transmitter

Author

Jean-François Bercher, Corinne Berland, Olivier Venard, ESIEE Paris, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Laboratoire d'Informatique Gaspard-Monge (LIGM), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-ESIEE Paris-Fédération de Recherche Bézout-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Fédération de Recherche Bézout-ESIEE Paris-École des Ponts ParisTech (ENPC)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)

Subjects
Adaptive signal processing, Propagation time, Computer science, 02 engineering and technology, Radio transmitters, Signal, Nonlinear distortion, [INFO.INFO-CL]Computer Science [cs]/Computation and Language [cs.CL], 0203 mechanical engineering, Delay estimation, Control theory, Delay filters, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Adaptive algorithm, Power amplifiers, Transmitter, 020302 automobile design & engineering, 020206 networking & telecommunications, Surfaces, Coatings and Films, Adaptive filter, Hardware and Architecture, Signal Processing, Gradient descent, Degradation (telecommunications)
Abstract

Preprint; International audience; Linear amplification with Nonlinear Component (LINC) transmitter architecture is an efficient solution for high efficiency amplification of signals. Nonetheless, this solution suffers both from gain impairment and delay mismatch between the two signal paths. Indeed, a mismatch in propagation time between the paths degrades the quality of the transmit signal but also disrupts the convergence of the gain correction algorithm resulting in a degradation of its performance. In this paper, we present an adaptive algorithm based on a gradient descent formulation for the identification and correction of these delays. We also demonstrate its effectiveness when applied prior to the gain adjustment procedure. The identification approach is preferred here, to ensure monitoring facilities.

Published
2010

3. Thermoelectric properties of layered Ca3.95RE0.05Mn3O10 compounds (RE=Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy)

Author

Emmanuel Guilmeau, Jacques G. Noudem, S. Lemonnier, Ryoji Funahashi, Christophe Goupil, Laboratoire de Modélisation et Simulation Multi Echelle (MSME), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire d'Ergonomie et de Sciences Cognitives pour les Transports (INRETS/LESCOT), Institut National de Recherche sur les Transports et leur Sécurité (INRETS), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe

Subjects
Materials science, Resistivity, Analytical chemistry, Mineralogy, Sintering, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], Thermal conductivity, Electrical resistivity and conductivity, Seebeck coefficient, 0103 physical sciences, Thermoelectric effect, Materials Chemistry, Figure of merit, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Thermoelectric, [SPI.FLUID]Engineering Sciences [physics]/Reactive fluid environment, Process Chemistry and Technology, Oxides, 021001 nanoscience & nanotechnology, Thermoelectric materials, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [SDE]Environmental Sciences, Ceramics and Composites, Crystallite, Seebeck, 0210 nano-technology
Abstract

International audience; In this work, polycrystalline samples of the substituted n = 3 Ruddlesden-Popper Ca4−xRExMn3O10 phase were prepared by solid-state reaction (RE, rare earth = Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy). Single phased samples were synthesized for sintering times larger than 150 h at 1350 °C. Complete thermoelectric characterizations were performed from 5 to 390 K, in terms of electrical resistivity (ρ), Seebeck coefficient (S) and thermal conductivity (κ). As expected, the substitution of Ca by different rare earth elements leads to a significant modification of the thermoelectric properties. With substitution level as low as 1.25 at.%, a remarkable decrease of the electrical resistivity is observed. The influence of this cationic substitution on the thermal conductivity (κ), Seebeck coefficient (S), and the figure of merit ZT is also discussed. In this study, the best one reaches 5.8 × 10−3 at 300 K for the Ca3.95Eu0.05Mn3O10 composition, a value 6 times higher than the ZT exhibited by the beginning Ca4Mn3O10 sample.

Published
2010

4. A RF tunable Agile Filter: From component to system design

Author

Gaelle Lissorgues, G. Schropfer, A. Mehdaoui, T. Vinh-Dinh, D. Pasquet, Julien Pagazani, Pierre Nicole, Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Coventor, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES, Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES [France], Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Engineering, Micromechanical devices, Resonator filters, Varactors, Hardware design languages, Capacitance, 02 engineering and technology, Radiofrequency filters, law.invention, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Hardware_GENERAL, law, Radio frequency, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Insertion loss, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Microelectromechanical systems, Multi-physics modelling, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Electrical engineering, RF MEMS, 021001 nanoscience & nanotechnology, Tuneable capacitor, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Capacitor, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Filter (video), System level simulation, Systems design, Combline filters, Microfabrication, Antenna (radio), 0210 nano-technology, business, Varicap
Abstract

International audience; The work is related to an Agile Filter which is a specific RF block to be inserted between an antenna and a first stage of pre-amplification in future on board antenna systems or any future multi-purpose communications terminals. It will be able to process signals in the frequency range between 2 and 18 GHz with target insertion loss below 3dB. The basic idea of the demonstrator studied and developed in this project is to evaluate a SiP approach combining heterogeneous technologies and 3D integration and packaging. This paper presents the process flow used to design, fabricate and integrate in 3D a tunable RF filter which tunability is obtained by the use of MEMS varactors based on a copper on glass technology and stacked on micro-PCD for the electronic control functions. MEMS+ parameterized structures for RF MEMS varactor designs are presented with dimension constraints to be compatible with the space available at the end of each combline sub-filter. Indeed, the MEMS capacitors are composed of a mobile square membrane of 210μm by side and overall size of 600μm. In addition, these RF MEMS tunable capacitor models were automatically transferred into VerilogA for rapid system-level simulation usable further in ADS environment to verify the RF performances.

Published
2015

5. Analytical crossing lines modeling

Author

Pierre Nicole, Daniel Pasquet, Philippe Descamps, Thanh Vinh Dinh, Dominique Lesénéchal, Julien Pagazani, Gaelle Lissorgues, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES [France], Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, THALES, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Crossing lines, Integrated circuit interconnections, Optimization, EM simulation, Computer science, Circuit design, Capacitance, 02 engineering and technology, Discrete circuit, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Analyticals models, 010302 applied physics, business.industry, Electrical engineering, 020206 networking & telecommunications, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, EM modeling, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Integrated circuit modeling, Solid modeling, Couplings, business
Abstract

International audience; This paper presents a model for the crossover area of two crossing lines. The model was compared to 3D full wave electromagnetic simulation with good agreement up to 20 GHz.

Published
2014

6. Impact of subband quantization on DPD correction performance

Author

Patrick Loumeau, Dang-Kièn Germain Pham, Patricia Desgreys, Olivier Venard, Mazen Abi Hussein, Circuits et Systèmes de Communication (C2S), Laboratoire Traitement et Communication de l'Information (LTCI), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom Paris-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom Paris, Département Communications & Electronique (COMELEC), Télécom ParisTech, Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe

Subjects
ComputingMethodologies_IMAGEPROCESSINGANDCOMPUTERVISION, Data_CODINGANDINFORMATIONTHEORY, 02 engineering and technology, Predistortion, Bandwidth, 0203 mechanical engineering, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Linearisation techniques, Quantisation (signal), Noise band, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Mathematics, Quantization (signal), Modulation, Signal resolution, Power amplifiers, Quantization (signal processing), Amplifier, 020208 electrical & electronic engineering, Sigma-delta modulation, 020302 automobile design & engineering, Distortion, Signal to noise (ratio), [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Analog signal, [SPI.SIGNAL]Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing
Abstract

International audience; The digital predistortion (DPD) is a technique to linearize the response of power amplifiers which is the subject of an active research. In order to model accurately and properly linearize the PA, the ADC in the feedback path must digitize the distorted signal with an adequate resolution and bandwidth. The multi-stage noise band cancellation (MSNBC) ΣΔ architecture is able to provide a signal digitized by subbands and where the subbands may be digitized with different resolutions. We show that the correction performance can be maintained while different quantization for the main high power subband and for the low power subbands are used resulting in a more flexible and low power consumming solution.

Published
2013

7. Model of mutual coupling between two bonding wires on glass substrate

Author

Gaelle Lissorgues, Julien Pagazani, Daniel Pasquet, Dominique Lesenechal, Philippe Descamps, Thanh Vinh Dinh, Pierre Nicole, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes (ESYCOM), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES [France], Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-ESIEE Paris, and THALES

Subjects
Materials science, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), Electromagnetic simulation, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Lead bonding, Full wave, Mathematical model, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electromagnetic coupling, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Inductance, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Coupling, Bonding, Condensed matter physics, Substrates, Electromagnetic modeling, 020206 networking & telecommunications, 021001 nanoscience & nanotechnology, Wires, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Anodic bonding, Bonding wire, Solid modeling, Mutual coupling, Glass, 0210 nano-technology
Abstract

International audience; This paper presents a simple model of mutual coupling between 2 bonding wires. The model has been compared to 3D full wave electromagnetic simulation up to 20 GHz. A good accordance was obtained.

Published
2013

8. Gain and Delay Mismatches Cancellation in LINC and Polar Transmitters

Author

Corinne Berland, Jean-Frangois Bercher, Olivier Venard, Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], ESIEE Paris, Laboratoire d'Informatique Gaspard-Monge (LIGM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Fédération de Recherche Bézout-ESIEE Paris-École des Ponts ParisTech (ENPC)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-ESIEE Paris-Fédération de Recherche Bézout-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe

Subjects
polar transmitters, gradient algorithm, gain mismatches cancellation, Computer science, LINC transmitters, 020208 electrical & electronic engineering, Transmitter, TheoryofComputation_GENERAL, 020206 networking & telecommunications, radio transmitters, 02 engineering and technology, linear amplification with non linear component, [INFO.INFO-CL]Computer Science [cs]/Computation and Language [cs.CL], Nonlinear system, Modulation, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Polar, delay mismatches cancellation, Radio frequency, gradient methods, Computer Science::Information Theory
Abstract

International audience; This article presents the application of a gradient algorithm on impairments correction for polar and LINC transmitters (LInear amplification with Non linear Component). The two aspects of the approach are presented: identification and correction. The large improvements obtained using such solutions are demonstrated for both transmitters.

Published
2010

9. Thermoelectric ceramics for generators

Author

M. Prevel, S. Lemonnier, Jacques G. Noudem, Christophe Goupil, Emmanuel Guilmeau, E. S. Reddy, Laboratoire de Modélisation et Simulation Multi Echelle (MSME), Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d’Optique Atmosphérique - UMR 8518 (LOA), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microélectronique et de Physique des Semiconducteurs (LaMIPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France], Laboratoire d'Ergonomie et de Sciences Cognitives pour les Transports (INRETS/LESCOT), Institut National de Recherche sur les Transports et leur Sécurité (INRETS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Université Paris-Est Marne-la-Vallée (UPEM), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Lille, Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-NXP Semiconductors [France]-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe, Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-NXP Semiconductors [France]-Presto Engineering Europe

Subjects
Ceramics, Fabrication, Materials science, Mineralogy, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], Thermal conductivity, Sintering, Waste heat, 0103 physical sciences, Thermoelectric effect, Materials Chemistry, Ceramic, 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], [SPI.FLUID]Engineering Sciences [physics]/Reactive fluid environment, 021001 nanoscience & nanotechnology, Thermoelectric materials, Engineering physics, Thermoelectric generator, visual_art, [SDE]Environmental Sciences, Ceramics and Composites, visual_art.visual_art_medium, Electric power, 0210 nano-technology
Abstract

International audience; The manufacturing of thermoelectric modules from conventional materials is well established and widely commercially available. However, fabrication of modules based on oxide materials has been recently emerging and there exist very few reports on their performance. The oxide nature of the thermoelectric elements and the processing specifications involving very high temperatures make the fabrication a difficult task and different from that of conventional thermoelectric modules. In this work we describe (i) the fabrication of thermoelectric modules based on oxide bulk and foam materials of Ca3Co4O9 and Ca0.95Sm0.05MnO3 and (ii) the metal to ceramic contact preparation. The open porous foam structures of thermoelectric materials make it possible to design efficient thermoelectric modules for waste heat sources involving gaseous and liquid media. The possibility of direct large area physical contact of thermoelectric foam elements with hot media will make them efficient electric power generators. The open porous thermoelectric materials with introduced porosities can be good candidates to confine phonons (lattice vibrations) in order to reduce the thermal conductivity if the pores can be made sufficiently small. The performances of the modules were evaluated and possible factors limiting their theoretical performance are discussed. A parameter representing the quality of the modules termed the manufacturing factor (MF) representing the cumulative effect of various factors involved in the fabrication process is introduced and evaluated for the modules and compared to other reported modules.

Published
2008

Catalog

Books, media, physical & digital resources
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