1. PEDOT: PSS Kompozit Elektrot Kullanarak Polistiren Yalıtkanlı Organik Alan Etkili Transistörde Kanal Uzunluğu Modülasyonu
- Author
-
Demir, Ahmet
- Subjects
Taşınım ,Teori ve Metotlar ,Ekoloji ,Enerji ve Yakıtlar ,Mühendislik ,İnşaat Mühendisliği ,Kimya ,Gıda Bilimi ve Teknolojisi ,Engineering ,Yapay Zeka ,Makine ,Tıbbi ,Telekomünikasyon ,İnorganik ve Nükleer ,Polimer kapı elektrodu,Şeffaf OFETler,Yalıtkanlar,PEDOT: PSS,Polistiren,P3HT ,Partiküller ve Alanlar ,Matematik ,Bilgi Sistemleri ,Paleontoloji ,Temel Bilimler ,Sibernitik ,Spektroskopi ,Fizik, Uygulamalı ,Entomoloji ,Fizikokimya ,Nükleer ,Organik ,Yeşil ,Biyoloji Çeşitliliğinin Korunması ,Genetik ve Kalıtım ,Su Kaynakları ,Termodinamik ,Malzeme Bilimleri, Ortak Disiplinler ,Analitik ,Biyoloji ,Katı Hal ,Elektrik ve Elektronik ,Materials Science, Multidisciplinary ,Fizik ,Jeoloji ,İmalat Mühendisliği ,Physics, Applied ,Kuş Bilimi ,Donanım ve Mimari ,Denizcilik ,Nanobilim ve Nanoteknoloji ,Uygulamalı ,Robotik ,Sürdürülebilir Bilim ve Teknoloji ,İstatistik ve Olasılık ,Bilgisayar Bilimleri ,P3HT,Polymer gate electrode,Transparent OFETs,Insulators,PEDOT:PSS,Polystyrene,P3HT ,Metalürji Mühendisliği ,Endüstri Mühendisliği ,İnşaat ve Yapı Teknolojisi ,Basic Sciences ,Parazitoloji ,Savunma Bilimleri ,Akışkanlar ve Plazma ,Optik ,Çevre Bilimleri ,Yazılım Mühendisliği ,Çevre Mühendisliği ,Görüntüleme Bilimi ve Fotoğraf Teknolojisi ,Atomik ve Moleküler Kimya - Abstract
The Organic Field EffectTransistor (OFET) with channel length modulation was fabricated by spin coatingmethod using a Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and the Polystyrene (PS) insulatoron a prepatterned as source-drain Indium thin oxide (ITO) substrate. Thepoly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) was usedas gate electrode. So, the structure ofOFET device is obtained as ITO/P3HT/PS/PEDOT:PSS. The ITO/PS/PEDOT:PSSstructure was prepared using same method for capacitance measurements of apolymer insulator. Electrical characterization of OFET devices were held intotal darkness and in air ambient for the purpose of achieving output andtransfer current-voltage (I-V)characteristics. The main parameters such as the threshold voltage (VTh), field effect mobility (mFET)and current on/off ratio (Ion/off)of the OFET devices were extracted from capacitance-frequency (C-f) plot of the ITO/PS/PEDOT:PSSstructure. It was found that fabricatedPS-OFETs exhibit good device performance such as low VTh, remarkable mobility, and Ion/offvalues., Kanal uzunluğu modülasyonluOrganik Alan Etkili Transistör (OFET), önceden oluşturulmuş indiyum kalayoksitli (ITO) kaynak-savak alt-tabaka üzerinde Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) vePolystyrene (PS) yalıtkan kullanarak spin kaplama yöntemi ile üretildi. Kapı Elektrodu olarak poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate(PEDOT:PSS) kullanılmıştır.Böylece, OFET cihazının yapısı ITO/P3HT/PS/ PEDOT:PSS olarak elde edilmiştir.ITO/PS/PEDOT:PSS yapısı polimer yalıtkanının kapasitans ölçümleri için aynıyöntem kullanılarak hazırlanmıştır. OFET cihazlarının elektrikselkarakterizasyonu çıkış ve transfer akım voltaj (I-V) karakteristikleri eldeetmek amacıyla tam karanlıkta ve hava ortamında yapılmıştır. OFET cihazlarınıneşik voltajı (VTh), alan etkili mobilite (mFET) ve akımaçma/kapama oranı (Ion/off) gibi ana parametreler, ITO/PS/PEDOT:PSS yapısınınkapasitans frekansı (C-f) ölçümlerinden elde edildi. Üretilen PS-OFET'lerin düşükVTh, kaydadeğer mobilite ve akım açık/kapama değerleri gibiiyi cihaz performansı sergilediği gözlenmiştir.
- Published
- 2017