Search

Des nanoparticules en SiC (20 nm) synthétisées par pyrolyse laser à échelle pilote et préalablement compactées à plus de 1 GPa avec ou sans ajouts de frittage (Al2O3+ Y2O3) ont été frittées par Compression Isostatique à Chaud (CIC) et par Spark Plasma Sintering (SPS). Pour les échantillons frittés sans adjonction d'ajouts, des taux de densification de l'ordre de 95 % ont été obtenus par CIC alors que par SPS ils sont inférieurs à 80 %. En présence d'ajouts les deux méthodes ont permis de densifier les matériaux à des valeurs proches de 100 %. Les plus faibles tailles de grains après frittage ont été observées pour les échantillons frittés par CIC (sans ajouts : ~35 nm et avec ajouts : ~100–200 nm) alors que par SPS les tailles de grains se situent typiquement entre 100 nm et 1 μm. Une évaluation des propriétés mécaniques de base a permis de mettre en évidence un optimum de dureté (28 GPa) pour des tailles de domaines monocristallins de 200 nm correspondant aussi à un optimum de ténacité (6,5 MPa m1/2).

Thin PLT (Pb0.9La0.1TiO3) ferroelectric films have been deposited by a PVD process on SrTiO3(STO) substrates and on a superconducting interlayer. Cross sections of the different films were observed by TEM and it allowed to determine the thickness of the coatings and to characterise their microstructure. Vickers microindentation and nano-indentation tests were performed on the substrate, on the PLT films and on the PLT/YBa2Cu3O7/STO system. All these tests showed an anisotropy in the mechanical behaviour, with peculiar fracture distribution and cleavage. The Young's modulus and the hardness of these systems were measured using the nano-indentation, with different imposed depths. These experiments show a very interesting phenomenon with the superconducting interlayer addition : the film delamination observed without an interlayer during indentation experiments disappears for the multilayered material, due to the presence of the superconducting ceramic. This work offers the advantage to characterise for the first time peculiar mechanical properties of multilayered ceramics.

Pure or with sintering additives (Al2O3+ Y2O3) SiC nanoparticles (20?nm) synthesised by laser pyrolysis at pilot scale were first cold pressed under 1?GPa and then sintered by Hot Isostatic Pressing (HIP) and Spark Plasma Sintering (SPS). Pure SiC samples densified by HIP have a higher density (95%) than SPS ones (80%). With help of sintering additives, both HIP and SPS samples are near theoretical density. Smaller grain size were observed for HIP pellets (pure ~35?nm and with additives ~100 to 200?nm). Whereas SPS samples grain size were between 100?nm and 1 ?m. A primary mechanical properties study demonstrates a hardness (28?GPa) and a toughness (6.5?MPa?m1/2) optimum when crystallite size is around 200?nm.Des nanoparticules en SiC (20?nm) synth?tis?es par pyrolyse laser ? ?chelle pilote et pr?alablement compact?es ? plus de 1 GPa avec ou sans ajouts de frittage (Al2O3+ Y2O3) ont ?t? fritt?es par Compression Isostatique ? Chaud (CIC) et par Spark Plasma Sintering (SPS). Pour les ?chantillons fritt?s sans adjonction d'ajouts, des taux de densification de l'ordre de 95?% ont ?t? obtenus par CIC alors que par SPS ils sont inf?rieurs ? 80?%. En pr?sence d'ajouts les deux m?thodes ont permis de densifier les mat?riaux ? des valeurs proches de 100?%. Les plus faibles tailles de grains apr?s frittage ont ?t? observ?es pour les ?chantillons fritt?s par CIC (sans ajouts : ~35?nm et avec ajouts : ~100?200?nm) alors que par SPS les tailles de grains se situent typiquement entre 100 nm et 1??m. Une ?valuation des propri?t?s m?caniques de base a permis de mettre en ?vidence un optimum de duret? (28?GPa) pour des tailles de domaines monocristallins de 200 nm correspondant aussi ? un optimum de t?nacit? (6,5?MPa?m1/2).

SiO2 layers were deposited by reactive d.c ion sputtering (using 1keV Ar+ ion gun) from a high purity silicon target in an oxygen ambient. The base pressure in the deposition chamber was 4.7·10-9mbar, and the substrate temperature was held at 550 °C. The argon partial pressure during ion gun operation was 1·10-3mbar. Structural characterization of the films was performed by Rutherford backscattering spectrometry (RBS analysis), electron microprobe analysis, X-ray diffraction (XRD analysis) and Raman spectroscopy. Reactive sputtering proved to be efficient for the deposition of silica at an oxygen partial pressure of 2·10-4mbar and an electrical current on the target of 5.5mA.

Not Available

Not Available

Nous avons synthétisé par alternance de dépôts électrolytiques et de traitements thermiques des couches de Bi 2212 de $3,5~\mu\rm m$d'épaisseur sur les deux faces de rubans d'argent de $\rm 50~\mu m$d'épaisseur. Grâce à une succession de fusions partielles, la composition moyenne de nos couches s'homogénéise bien que les précurseurs soient déposés de façon séquentielle. Comme dans le procédé classique connu sous le vocable "partial melt growth", nous fondons nos précurseurs mais vue leur faible épaisseur au lieu de les refroidir très lentement, nous ne les maintenons que brièvement dans l'état fondu, puis nous les trempons jusqu'à la température ambiante. Nous synthétisons alors la phase Bi 2212 sans repasser au-dessus de son point de fusion. Afin d'optimiser le procédé, nous avons caractérisé la microstructure de nos échantillons à chacune des étapes de leur élaboration. Nous présentons dans cet article la comparaison entre le procédé classique de fusion partielle et le nôtre, ainsi que la corrélation entre les traitements thermiques et les propriétés électriques. Au stade actuel de l'optimisation, nous préparons de façon reproductible des échantillons présentant une densité de courant critique de transport d'environ 30 000 A/cm2à 77 K et 300 000 A/cm2à 4,2 K, ce qui correspond à des courants de transport de respectivement 6,3 et 63 Ampères pour des échantillons de 3 mm de large, avec un rapport substrat sur supra de 7. Nous avons de plus vérifié que le courant critique était proportionnel à la largeur de l'échantillon, conduisant à un courant critique de 42 A à 77 K et 100 A à 63 K pour les échantillons les plus larges que nous ayons testés (20 mm).

Not Available