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32 results on '"Puyal, Vincent"'

1. RF Performance of Large Germanium Telluride Switches for Power Application

Author

Charlet, Ismaël, primary, Reig, Bruno, additional, Mercier, Corentin, additional, Delprato, Julien, additional, Puyal, Vincent, additional, Héllion, Clémence, additional, Allain, Marjolaine, additional, Monfray, Stéphane, additional, Fleury, Alain, additional, Gianesello, Frédéric, additional, Cathelin, Philippe, additional, Robillard, Jean-François, additional, Dubois, Emmanuel, additional, and Lugo-Alvarez, Jose, additional

Published
2023
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3. Contributor contact details

Author

Uttamchandani, Deepak, primary, Purtova, Tatyana, additional, Schumacher, Hermann, additional, Glover, Ian A., additional, Atkinson, Robert, additional, Grenier, Katia, additional, Dubuc, David, additional, Iannacci, Jacopo, additional, Puyal, Vincent, additional, Titz, Diane, additional, Rodrigo, Daniel, additional, Jofre, Lluis, additional, Romeu, Jordi, additional, Röjsel, Peter, additional, Giacomozzi, Flavio, additional, Seok, Seonho, additional, Wolf, Ingrid De, additional, Piotr, Czarnecki, additional, Coster, Jeroen De, additional, Pasquale, Giorgio De, additional, Ko, W., additional, Feng, P. X.-L., additional, Li, Wen, additional, Blue, Robert, additional, Uttamchandani, Deepak, additional, Sheybani, R., additional, Schober, S.M., additional, Meng, Ellis, additional, Oberhammer, Joachim, additional, Somjit, Nutapong, additional, Shah, Umer, additional, Baghchehsaraei, Zargham, additional, Hautefeuille, Mathieu, additional, and Davis, Wyatt O., additional

Published
2013
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4. DC-100-GHz frequency doublers in InP DHBT Technology

Author

Puyal, Vincent, Konczykowska, Agnieszka, Nouet, Pascal, Bernard, Serge, Blayac, Sylvain, Jorge, Filipe, Riet, Muriel, and Godin, Jean

Subjects
Bipolar transistors -- Research, Business, Computers, Electronics, Electronics and electrical industries
Abstract

Broad-band monolithic integrated active frequency doublers operating in dc-100-GHz frequency range are presented. Circuits are fabricated in a self-aligned InP double heterojunction bipolar transistor process. Three integrated doubler versions have been designed. Inductive peaking and active splitting effects are quantified and compared. Circuit measurements give sinusoidal output waveform at 100 GHz with an rms timing jitter of 400 fs. Circuits have a maximum conversion gain of + 1 dB at 60 GHz. the fundamental suppression is better than 24 dB in the whole frequency range. Index Terms--Active splitter, doubler, frequency multiplier, Gilbert cell, InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT).

Published
2005

6. RF Power-Handling Performance for Direct Actuation of GeTe Switches

Author

LEON, Alexandre, Reig, Bruno, Perret, Etienne, Podevin, Florence, Saint-Patrice, Damien, Puyal, Vincent, Lugo-Alvarez, Jose, Ferrari, Philippe, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits (RFIC-Lab)

Subjects
RF switches, phase-change material, [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, power-handling, Direct heating, GeTe
Abstract

International audience; The study presented in this paper concerns Telluride Germanium Phase Change Material based switches, actuated via direct heating and arranged through two configurations: series or shunt. It is concluded that direct heating is a performing solution for amorphisation, preventing from heater ageing. Then, the switches configurations are compared in terms of RF performance, power handling and linearity. Some design rules are derived from empirical data, consolidated with thermal simulations. It is expected that either in series or shunt configuration, a large, thick and short GeTe in an optimized capacitive environment is preferable, for higher isolation in shunt configuration and for lower insertion loss in series one. The Figure-of-Merit, as cutoff frequency, is 11 and 21 THz for shunt and series configurations, respectively. In terms of power handling of amorphous GeTe, results confirm the existence of a threshold voltage leading to better handling for longer switches, in both configurations. For crystalline GeTe, design rules that link the maximum current through the switch before failure, to geometry, are derived for the very first time. Current is proportional to width, to the square root of thickness, and inversely proportional to length. The shunt configuration presented herein holds 31 dBm at ON-state and more than 35 dBm at OFF-state while the series configuration holds 27 dBm at ON-state and 32 dBm at OFF-state. For power handling, there exists a balance between series and shunt with a ratio of 4 in crystalline phase and of 0.25 in amorphous phase.

Published
2019
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7. Caractérisation de la tenue en puissance d’un commutateur RF à changement de phase

Author

Reig, Bruno, Leon, Alexandre, Saint Patrice, Damien, Puyal, Vincent, Perret, Etienne, Ferrari, Philippe, Podevin, Florence, Billard, C., Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits (RFIC-Lab), Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Arnould, Jean-Daniel

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2019

11. Intégration de guides d’onde rectangulaires dans une membrane nano-poreuse d’alumine pour les applications en bande millimétrique

Author

Matthieu, Bertrand, Rehder, Gustavo, Serrano, Ariana, Kabbani, Noureddine, Pistono, Emmanuel, Kaddour, Darine, Puyal, Vincent, Ferrari, Philippe, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratory of Microelectronics USP, Universidade de São Paulo (USP), LIA franco brésilien James Clerk Maxwell (CNRS-CNPq) (LIA817), Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS), and Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])

Subjects
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2017

12. Déphaseur compact passe-tout large-bande basé sur des lignes couplées à ondes lentes en CMOS 65nm à 28GHz

Author

Lajovic Carneiro, Marcos, Le Roy, Marc, Pérennec, André, Lababidi, Mohamad-Raafat, Ferrari, Philippe, Lugo Alvarez, Jose, Puyal, Vincent, Lab-STICC_UBO_MOM_DIM, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lab-STICC_ENSTAB_CACS_COM, École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Pôle STIC_IDM, École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Conseil Départemental du finistère, CD29, École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique)

Subjects
wide band, Lignes à ondes lentes, phase shifter, déphaseur analogique, ACTN, varactors, Déphaseur, Compact, déphaseur variable, Slow wave, CMOS 65 nm, large-bande, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

National audience; Ce papier décrit la réalisation d’un déphaseur analogique ultra-compact réglable en continu de 0 à 45° sur une bande de 25 à 30 GHz en technologie CMOS 65nm. La compacité du design final est obtenue à partir d’une topologie initiale de déphaseur présentant un rapport plage de variation de phase/compacité intéressant combinée à une technologie de lignes couplées CPW à ondes lentes, réduisant encore la longueur d’un rapport 2 à 3. De plus, l’introduction de coupure dans les rubans flottants permet d’obtenir une souplesse de conception supplémentaire exploitée ici pour élargir la gamme d’impédances paires et impaires réalisables. Finalement, une comparaison avec des approches classiques (microruban et CPW) est proposée.

Published
2017

17. Caractérisation du changement d’état du Tellure de Germanium en vue de réaliser des commutateurs RF

Author

Leon, Alexandre, Podevin, Florence, Ferrari, Philippe, Saint Patrice, D., Castellani, Niccolo, Navarro, Guillermo, Puyal, Vincent, Reig, Bruno, XAVIER, Pascal, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)

Subjects
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.ELEC] Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

National audience

Published
2017

18. Coupleur 3-dB en technologie guide d’onde intégré au substrat à onde lente

Author

Bertrand, Matthieu, Ferrari, Philippe, Puyal, Vincent, Darine, Kaddour, Pistono, Emmanuel, XAVIER, Pascal, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire Opto+, Alcatel R&I Marcoussis, ALCATEL, Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS), and Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])

Subjects
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.ELEC] Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

National audience

Published
2017

19. Modélisation électrique d’un commutateur RF à base de matériaux à changement de phase

Author

Leon, Alexandre, Reig, Bruno, Ferrari, Philippe, Podevin, Florence, Perret, Etienne, Puyal, Vincent, Billard, C., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire Opto+, Alcatel R&I Marcoussis, ALCATEL, and XAVIER, Pascal

Subjects
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.ELEC] Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

National audience

Published
2016

21. Déphaseur en technologie MEMS pour application en bande millimétrique

Author

Nasserddine, Victoria, Rehder, Gustavo, Podevin, Florence, Reig, Bruno, Puyal, Vincent, Dehos, C., Ferrari, Philippe, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratory of Microelectronics USP, Universidade de São Paulo (USP), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire Opto+, Alcatel R&I Marcoussis, ALCATEL, Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Universidade de São Paulo = University of São Paulo (USP)

Subjects
[SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

National audience

Published
2015

26. Frequency Scalable Model for MEMS Capacitive Shunt Switches at Millimeter Wave Frequencies

Author

Puyal, Vincent, Dragomirescu, Daniela, Villeneuve-Faure, Christina, Ruan, Jinyu Jason, Pons, Patrick, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)

Subjects
Shunt Switches, Capacitive, Hardware_GENERAL, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Modeling, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Phase Shifters, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, RF-MEMS
Abstract

International audience; This paper presents an approach to RF MEMS capacitive shunt switch design from K band up to W-band, based on the scalability of the RF MEMS switch with frequency. The parameters of the switch's equivalent circuit model also follow scaling rules. The measurement results of the fabricated switches show an excellent agreement with simulations which allow to validate the MEMS model in the entire band from 20 GHz up to 94 GHz. This model is going to be used in phase shifter circuit design for antenna array applications. First 60 GHz phase shifter results are also reported here.

Published
2009

27. Capacitive and resistive RF-MEMS switches 2.5D & 3D Electromagnetic and Circuit modelling

Author

Giacomozzi, Flavio, Colpo, S., Plana, Robert, Llamas Morote, Marco Antonio, Girbau Sala, David, Pausas, Esther, Pradell i Cara, Lluís, Aouba, Stephane, Villneuve, C., Puyal, Vincent, Pons, Patrick, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions, and Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones

Subjects
Senyal, Teoria del (Telecomunicació), Signal theory (Telecommunication), Enginyeria de la telecomunicació [Àrees temàtiques de la UPC], Microwaves, RF MEMS (Radio frequency microelectromechanical systems)
Abstract

this paper proposes different strategies for the electrical modelling of capacitive and resistive RF-MEMS switches which take into account the dependence of the electrical performance on the mechanical properties and technological processes. The EM modelling of MEMS switches is addressed with 2.5D and 3D full wave EM softwares. More specifically, ADS-MomentumTM (2.5D) and EMDSTM (3D) from Agilent Technologies are used. Capacitive RF-MEMS switches were fabricated with the LAAS-CNRS 6-mask RF-MEMS process in Toulouse, France, and resistive RF-MEMS switches were fabricated with the FBK-irst 8-mask RF-MEMS process in Trento, Italy. It is shown that, by applying the proposed strategies, 2.5D and 3D simulations are in good agreement with characterization results.

Published
2009
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28. Capacitive and resistive RF-MEMS switches 2.5D & 3D Electromagnetic and Circuit modelling

Author

Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions, Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones, Giacomozzi, Flavio, Colpo, S., Plana, Robert, Llamas Morote, Marco Antonio, Girbau Sala, David, Pausas, Esther, Pradell i Cara, Lluís, Aouba, Stephane, Villneuve, C., Puyal, Vincent, Pons, Patrick, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions, Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones, Giacomozzi, Flavio, Colpo, S., Plana, Robert, Llamas Morote, Marco Antonio, Girbau Sala, David, Pausas, Esther, Pradell i Cara, Lluís, Aouba, Stephane, Villneuve, C., Puyal, Vincent, and Pons, Patrick

Abstract

this paper proposes different strategies for the electrical modelling of capacitive and resistive RF-MEMS switches which take into account the dependence of the electrical performance on the mechanical properties and technological processes. The EM modelling of MEMS switches is addressed with 2.5D and 3D full wave EM softwares. More specifically, ADS-MomentumTM (2.5D) and EMDSTM (3D) from Agilent Technologies are used. Capacitive RF-MEMS switches were fabricated with the LAAS-CNRS 6-mask RF-MEMS process in Toulouse, France, and resistive RF-MEMS switches were fabricated with the FBK-irst 8-mask RF-MEMS process in Trento, Italy. It is shown that, by applying the proposed strategies, 2.5D and 3D simulations are in good agreement with characterization results., Postprint (published version)

Published
2009

32. RF MEMS status and perspectives

Author

Coccetti, Fabio, primary, Peyrou, David, additional, Al Ahmad, Mahmoud, additional, Puyal, Vincent, additional, Pons, Patrick, additional, Aubert, Hervé, additional, Muller, Alex, additional, Dragoman, Mircea, additional, and Plana, Robert, additional

Published
2008
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