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We have grown 50 cm2 mono Si ingots by the seed cast technique. The carbon and oxygen concentrations of the ingots have been significantly reduced by improving the gas flow condition and coating. The dislocation density was also reduced by eliminating the extra dislocation generation sources. Owing to these developments, the lifetime of wafers has reached 465 µs. Finally, the efficiency of 18.7% has been achieved, which is comparable to 18.9% of the reference Czochralski (CZ) Si wafer.

(1)100Kの等温圧縮により,VIII-VII-Xの転移が得られた.VIIIからXに直接転移するのではなくVIIを経由するというPruzanらの推論と一致する.また,この転移の際,Hirschらの主張とは異なり,体積は連続的に変化することがわかった.(2)シミュレーションIによって得られた氷VIIはイオン欠陥を含むのに対し,シミュレーション.IIによって得られた氷VIIは配向欠陥を含むことが明確に示された.(3)このポテンシャルは圧力が大き過ぎる結果を与える.従ってこの点についての改善が今後の課題である.最後に,水素結合をもつ多くの化合物,例えばKDPなどでは,プロトンの秩序一無秩序転移点でO…H-O距離Rcと転移温度Tcがリニアになることが市川ら(Ichikawa et al.,1987)の実験によって知られている.温度を変えた幾とおりかのMDにより調べたところ,氷VIII-VII転移においても同様な傾向があることがわかった.水素原子は低温・高圧で量子効果を考慮する必要がある.低温での零点振動と高圧でのトンネル効果である.トンネル効果を考慮すれば,VIII-VII-X転移の圧力は低く修正されるかもしれない.