17 results on '"Ushioda, Ryota"'
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2. Growth-rate dependence of the structural transition of bismuth islands on Si(111) substrates
3. 二段階成長における平坦な黒燐構造Bi(110)超薄膜の成長過程
4. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性
5. Structure of Bi(111) terraces nucleated on the Bi(110) island
6. Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態
7. Nucleation of ultrathin Bi(110) film on the Si(111)√3×√3-B substrate in the two step growth
8. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates
9. Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造
10. Si基板上における低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の室温アニールによる成長過程
11. n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態
12. 表面X線散乱による低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の成長過程観察
13. 黒燐構造Bi 超薄膜の成長過程と構造相転移の蒸着レート制御
14. 変形黒鱗構造Bi超薄膜の原子スケール成長機構解析
15. Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)√3 × √3-B substrate
16. Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現
17. Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)?3 × ?3-B substrate
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