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260 results on '"Zaknoune, M."'

2. Reverse-bias current hysteresis at low temperature in GaN Schottky barrier diodes.

Author

Orfao, B., Abou Daher, M., Peña, R. A., Vasallo, B. G., Pérez, S., Íñiguez-de-la-Torre, I., Paz-Martínez, G., Mateos, J., Roelens, Y., Zaknoune, M., and González, T.

Subjects
SCHOTTKY barrier diodes, LOW temperatures, GALLIUM nitride, HYSTERESIS, ELECTRIC potential measurement, ELECTRON traps, HIGH voltages
Abstract

In this paper, we report an analysis of reverse current mechanisms observed in GaN Schottky barrier diodes leading to hysteretic behavior of the I–V curves at low temperature. By means of DC measurements from 33 to 475 K, we demonstrate the presence of two leakage mechanisms when comparing the experiments with the results obtained using a unified model to predict the ideal reverse current of the diode. Poole–Frenkel emission is the dominant mechanism for temperatures above 200 K, while trap-assisted tunneling prevails for lower temperatures, where also, hysteresis cycles are revealed by means of DC dual-sweep voltage measurements. The energy of the corresponding traps has also been determined, being around 0.2 and 0.45 eV, respectively. The hysteresis phenomenon is attributed to the bias-induced occupancy of the energy states originating the leakage-current processes, which leads to the reduction of the reverse current after a high negative voltage is applied to the diode. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2024
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3. Massless Dirac fermions in III-V semiconductor quantum wells

Author

Krishtopenko, S. S., Desrat, W., Spirin, K. E., Consejo, C., Ruffenach, S., Gonzalez-Posada, F., Jouault, B., Knap, W., Maremyanin, K. V., Gavrilenko, V. I., Boissier, G., Torres, J., Zaknoune, M., Tournié, E., and Teppe, F.

Subjects
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed Matter - Materials Science
Abstract

We report on the clear evidence of massless Dirac fermions in two-dimensional system based on III-V semiconductors. Using a gated Hall bar made on a three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well, we restore the Landau levels fan chart by magnetotransport and unequivocally demonstrate a gapless state in our sample. Measurements of cyclotron resonance at different electron concentrations directly indicate a linear band crossing at the $\Gamma$ point of Brillouin zone. Analysis of experimental data within analytical Dirac-like Hamiltonian allows us not only determing velocity $v_F=1.8\cdot10^5$ m/s of massless Dirac fermions but also demonstrating significant non-linear dispersion at high energies., Comment: Main text and Supplemental Materials, 14 pages, 9 figures

Published
2018
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5. Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples.

Author

Orfao, B., Di Gioia, G., Vasallo, B. G., Pérez, S., Mateos, J., Roelens, Y., Frayssinet, E., Cordier, Y., Zaknoune, M., and González, T.

Subjects
SCHOTTKY barrier diodes, STRAY currents, THERMIONIC emission, ELECTRON tunneling
Abstract

A model to predict the ideal reverse leakage currents in Schottky barrier diodes, namely, thermionic emission and tunneling components, has been developed and tested by means of current–voltage–temperature measurements in GaN-on-SiC devices. The model addresses both current components and both forward and reverse polarities in a unified way and with the same set of parameters. The values of the main parameters (barrier height, series resistance, and ideality factor) are extracted from the fitting of the forward-bias I–V curves and then used to predict the reverse-bias behavior without any further adjustment. An excellent agreement with the I–V curves measured in the forward bias in the GaN diode under analysis has been achieved in a wide range of temperatures (275–475 K). In reverse bias, at temperatures higher than 425 K, a quasi-ideal behavior is found, but additional mechanisms (most likely trap-assisted tunneling) lead to an excess of leakage current at lower temperatures. We demonstrate the importance of the inclusion of image-charge effects in the model in order to correctly predict the values of the reverse leakage current. Relevant physical information, like the energy range at which most of the tunnel injection takes place or the distance from the interface at which tunneled electrons emerge, is also provided by the model. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2022
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7. Development Status of Millimeter Wave GaN Schottky Doublers above W-band for the Implementation of European Terahertz Sources for Astronomy and Astrophysics

Author

Mondal, P., D. Gioia, G., Bouillaud, H., Roelens, Yannick, Vacelet, T., Gatilova, L., Ducournau, Guillaume, Zegaoui, M., Zaknoune, M., Treuttel, J., Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres (LERMA), École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THZ - IEMN), This work was supported by the French Agence Nationale de la Recherche, under the CE24 ‘SchoGAN’ project.The authors are thankful to Lytid team for their participation in thoughtful discussions. We also want to thank support and discussion of Imran Mehdi, Choonsup Lee and Jose Siles at Jet Propulsion Laboratory (JPL), National Aeronautics and Space Administration for the architecture design and testing of 1 THz source developed at the JPL, as reference example to this work., ANR-17-CE24-0034,SchoGaN,Diodes Schottky GaN pour la génération de signaux THz(2017), Bouillaud, Hugo, and Diodes Schottky GaN pour la génération de signaux THz - - SchoGaN2017 - ANR-17-CE24-0034 - AAPG2017 - VALID

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Schottky, Terahertz source, Doubler, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, GaN, High power
Abstract

International audience; In this report we present the effort to develop high power handling and efficiency GaN-based frequency doublers required to build a 1 THz local oscillator source for instrumentation in astronomy and astrophysics. The design study focuses on identifying the key aspect to reach performances with simplified architecture as compared to existing solutions. Predicted performances of GaN Schottky doublers are presented and discussed. A single section doubler produces an output power of 175 mW at 114 GHz for an input power of 1 W. The reverse bias voltage is tuned to maximize its performance but remains well below the breakdown voltage of the GaN Schottky diodes developed at IEMN (-75 V). Its performance can be enhanced further with thin epilayer and high mobility sample for the diode development and the state-of-theart performance can be achieved by using power combining technique to reach the 300 mW goals.

Published
2022

13. 300 GHz link enabled by Yagi-Uda antenna

Author

Ducournau, G., primary, Pavanello, Fabio, additional, Belem-Goncalves, C., additional, Gianesello, Frederic, additional, Luxey, Cyril, additional, Peytavit, Emilien, additional, Lampin, J. F., additional, Zegaoui, M., additional, and Zaknoune, M., additional

Published
2021
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16. Stacking of metamorphic InAlAs/InGaAs heterostructures on GaAs substrate

Author

Cordier, Y., Zaknoune, M., Trassaert, S., and Chauveau, J.M.

Subjects
Gallium arsenide -- Electric properties, High-electron-mobility transistors -- Structure, Physics
Abstract

Two metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) structures, having different latticed parameters, have been stacked on a GaAs substrate by MBE. The growth of stacked metamorphic structures open a way for the vertical integration of electronic and even opto-electronic devices optimized without lattice accommodation criteria.

Published
2001

19. GaN Schottky Diode for High Power THz Generation using Multiplier Principle

Author

Giuseppe Di Gioia, Chinni, V., Zegaoui, M., Cordier, Y., Maestrini, A., Treuttel, J., Ducournau, G., Roelens, Y., Zaknoune, M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), LERMA Cergy (LERMA), Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique (LERMA (UMR_8112)), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Di Gioia, Giuseppe, Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres (LERMA), École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), and Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THz - IEMN)

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; GaN-based planar Schottky barrier diodes with potential applications in THz frequency multipliers were fabricated and characterized. GaN is a promising candidate to overcome all the physical limitations of GaAs which have been reached in the frame of high frequency power multiplier applications. Fabrication process of GaN Schottky diodes performed by e-beam is presented and DC characterizations are reported. The preliminary results showed that the behaviour in reverse bias is dominated by a leakage coming from the Schottky surface more than the periphery of the diode despite the supposed damage caused by the dry etching.

Published
2019

22. Massless Dirac fermions in III-V semiconductor quantum wells

Author

Krishtopenko, S. S., primary, Desrat, W., additional, Spirin, K. E., additional, Consejo, C., additional, Ruffenach, S., additional, Gonzalez-Posada, F., additional, Jouault, B., additional, Knap, W., additional, Maremyanin, K. V., additional, Gavrilenko, V. I., additional, Boissier, G., additional, Torres, J., additional, Zaknoune, M., additional, Tournié, E., additional, and Teppe, F., additional

Published
2019
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26. Single channel l00 Gbit/s link in the 300 GHz band

Author

Chinni, V.K., primary, Latzel, P., additional, Zegaoui, M., additional, Coinon, C., additional, Wallart, X., additional, Peytavit, E., additional, Lampin, J.F., additional, Engenhardt, K., additional, Szriftgiser, P., additional, Zaknoune, M., additional, and Ducournau, G., additional

Published
2018
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31. Synthèse optique d'ondes hyperfréquences et millimétriques à très bas bruit de phase :résultats préliminaires

Author

Danion, G. (Gwennaël), Bondu, F. (François), Loas, G. (Goulc'Hen), Frein, L. (Ludovic), Hamel, C. (Cyril), Carré, A. (Anthony), Bouhier, S. (Steve), Vallet, M. (Marc), Brunel, M. (Marc), Rolland, A. (Antoine), Alouini, M. (Mehdi), Brillet, A. (Alain), Coulon, J-P. (Jean-Pierre), Cleva, F. (Frédéric), Merzougui, M. (Mourad), Beck, A. (Alexandre), Ducournau, G. (Guillaume), Lampin, J-F. (Jean-Francois), Zaknoune, M. (Mohamed), Coinon, C. (Christophe), Wallart, X. (Xavier), Peytavit, E. (Emilien), Akalin, T. (Tahsin), Pillet, G. (Gregoire), Morvan, L. (Loic), Baili, G. (Ghaya), Bourderionnet, J. (Jerome), Institut de Physique de Rennes [IPR], Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux [ARTEMIS], Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN], and Thales Research and Technology [Palaiseau]

Subjects
Térahertz, ondes submillimétriques, ondes continues, très bas bruit de phase
Abstract

Nous avons conçu et construit un système optique de synthèse d’ondes hyperfréquences, millimétriques et submillimétriques à très bas bruit de phase. Les résultats préliminaires montrent une densité spectrale de bruit de phase à 10 kHz de la porteuse d’une onde à 9 GHz limitée par l’appareil de mesure. Pour les bruits plus près de la porteuse, le bruit de phase est limité par une modulation d’amplitude résiduelle : le système est en cours de modifications.

Published
2015

32. Oscillateur Micro-Onde à THz Ultra-Stable: Résultats Préliminaires

Author

Danion , Gwennaël, Bondu , François, Loas , Goulc'Hen, Frein , Ludovic, Hamel , Cyril, Carré , Anthony, Bouhier , Steve, Vallet , Marc, Brunel , Marc, Rolland , Alain, Alouini , Mehdi, Cleva , F, Brillet , A, Coulon , J.-P, Merzougi , M, Beck , Alexandre, Ducournau , G, Lampin , J.-F, Zaknoune , M, Coinon , C, Wallart , X, Peytavit , E, Tahsin , A, Pillet , G, Morvan , L, Baili , G, Bourderionnet , J, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technology [Palaiseau], THALES [France], SFO, ANR-11-BS03-0010,OSMOTUS,OScillateur Micro-onde à THz Ultra-Stable(2011), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), THALES, Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and ANR-2011-BS0301001,OSMOTUS,OScillateur Micro-onde à THz Ultra-Stable

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Abstract

National audience; Résultats Préliminaires : Oscillateur Micro-Onde à THz Ultra-Stable

Published
2014

33. MILLIPRISM : millimeter wave passive radiometric imaging system

Author

Lampin, Jean-Francois, Zaknoune, M., Wallart, X., Desplanque, L., Peytavit, Emilien, Ducournau, Guillaume, Thirault, M., Werquin, M., Jonniau, S., Thouvenin, N., Gaquière, Christophe, Vellas, N., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), and MC2-Technologies

Published
2014

34. Sub-THz zero-bias detector with high performances based on Heterostructure low barrier diode (HLBD)

Author

Nadar, S., primary, Zaknoune, M., additional, Wallart, X., additional, Coinon, C., additional, Peytavit, E., additional, Ducournau, G., additional, Gamand, F., additional, Thirault, M., additional, Werquin, M., additional, Jonniau, S., additional, Thouvenin, N., additional, Gaquiere, C., additional, Vellas, N., additional, and Lampin, J.-F., additional

Published
2016
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36. Oscillateur micro-onde à térahertz ultra-stable

Author

Danion, Gwennaël, Bondu, François, Loas, Goulc'Hen, Frein, Ludovic, Hamel, Cyril, Carré, Anthony, Bouhier, Steve, Vallet, Marc, Brunel, Marc, Rolland, Antoine, Alouini, Mehdi, Brillet, A., Coulon, J.P., Cleva, F., Merzougi, M., Beck, A., Ducournau, G., Lampin, J.F., Zaknoune, M., Coinon, C., Wallart, X., Peytavit, E., Tahsin, A., Pillet, Guillaume, Morvan, L., Baili, G., Bourderionnet, J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), and COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2013

37. Microwave to terahertz ultra-stable oscillator

Author

Danion, Gwennaël, Bondu, François, Loas, Goulc'Hen, Frein, Ludovic, Hamel, Cyril, Carré, Anthony, Bouhier, Steve, Vallet, Marc, Brunel, Marc, Rolland, Antoine, Alouini, Mehdi, Brillet, A., Coulon, J.P., Cleva, F., Merzougi, M., Beck, A., Ducournau, G., Peytavit, E., Lampin, J.F., Zaknoune, M., Coinon, C., Wallart, X., Tahsin, A., Pillet, Guillaume, Morvan, L., Baïli, G., Bourderionnet, J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), TRT Thales Reasearch & Technology, Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES [France], Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 (IEMN), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), and Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

Institute of Electrical and Electronics Engineers-Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control Society; International audience

Published
2013

38. Laser bi-fréquences accordables pour la génération d'onde millimétrique et submillimétrique à haute cohérence

Author

Danion, Gwennaël, Bondu, François, Loas, Goulc'Hen, Frein, Ludovic, Hamel, Cyril, Carré, Anthony, Vallet, Marc, Brunel, Marc, Rolland, Antoine, Alouini, Mehdi, Brillet, A., Coulon, J.P., Cleva, F., Merzougi, M., Beck, A., Ducournau, G., Lampin, J.F., Zaknoune, M., Coinon, C., Wallart, X., Peytavit, E., Tahsin, A., Pillet, Guillaume, Morvan, L., Baïli, G., Bourderionnet, J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), and COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2012

39. OSMOTUS : oscillateur millimétrique/submillimétrique à très haute pureté spectrale

Author

Bondu , François, Danion , Gwennaël, Loas , Goulc'Hen, Frein , Ludovic, Hamel , Cyril, Carré , Anthony, Bouhier , Steve, Vallet , Marc, Brunel , Marc, Rolland , Antoine, Alouini , Mehdi, Brillet , A., Coulon , J.P., Cleva , F., Merzougi , M., Beck , A., Ducournau , G., Lampin , J.F., Zaknoune , M., Coinon , C., Wallart , X., Peytavit , E., Tahsin , A., Pillet , G., Morvan , L., Baïli , G., Bourderionnet , J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), and COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2012

40. RF operation of InAs quantum hot electron transistors

Author

Nguyen Van, H., Baranov, A. N., Zaknoune, M., Teissier, R., Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[PHYS]Physics [physics]
Published
2012

41. InAs hot electron transistors with cutoff frequency above 200 GHz

Author

Nguyen Van, H., Baranov, A. N., Teissier, R., Zaknoune, M., Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[PHYS]Physics [physics]
Published
2012

42. Lattice matched and pseudomorphic InGaAs MOSHEMT with fT of 200GHz

Author

Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Zaknoune, M., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012
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43. A 300 GHz InP/GaAsSb/InP HBT for high data rate applications

Author

Maher, H., Delmouly, V., Rouchy, U., Renvoise, M., Frijlink, P., Smith, D., Zaknoune, M., Ducatteau, D., Avramovic, V., Scavennec, A., Godin, J., Riet, M., cristell maneux, Ardouin, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES-ALCATEL, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CPU, THALES [France]-ALCATEL, and Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
GaAsSb, Semiconductors, InP, Type II hetero-junction, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, DHBT, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience; In this paper, a fully passivated InP/GaAsSb/InP DHBT on InP substrate with excellent DC and RF performance is developed. The epi-layers are grown by the MOCVD technique, with a base layer of 25nm and a collector layer of 130nm. The emitter width of the transistor is 0.35μm and the base contact is 0.3μm wide. The base and emitter contacts present an excellent contact resistivity. The current gain of the 0.35×5μm2 transistor is equal to 21 and the breakdown voltage is equal to 4V. The current gain cut-off frequency and the unilateral gain cut-off frequency are over 300 GHz and 380 GHz respectively. The transistor is fabricated in an industrial environment at OMMIC foundry.

Published
2011

44. 50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz

Author

Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Zaknoune, M., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

45. Active layers bonding of InP/GaAsSb/InP DHBTs in order to enhance thermal dissipation of InP-based devices

Author

Thiam, N.A., Coinon, C., Wallart, X., Zaknoune, M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

46. Quantum cascade transistor

Author

Nguyen Van, H., Zaknoune, M., Moreno, J.C., Baranov, A. N., Teissier, R., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), and Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics]
Published
2011

47. Gbit/s wireless transmission at 200 GHz carrier using optoelectronic THz technologies

Author

Ducournau, G., Beck, A., Akalin, T., Peytavit, E., Szriftgiser, P., Bacquet, D., Zaknoune, M., Lampin, J.F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 (PhLAM), and Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2011

48. 100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation

Author

Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Zaknoune, M., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

49. Sub-micron quantum cascadetransistors

Author

Van, H. Nguen, Moreno, J.-C., Baranov, A. N., Zaknoune, M., Teissier, R., Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2011

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Books, media, physical & digital resources
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