Revealing Interface-Assisted Charge-Transfer Mechanisms by Using Silicon Nanowires as Local Probes.

An einer Schnittstelle zwischen Halbleiter und Umgebung sind freihängende Siliciumnanodrähte (SiNWs) in direktem Kontakt mit TiO2 ‐ Quantenpunkten, deren Photoaktivität mit der intrinsischen Photoempfindlichkeit der p ‐ Siliciumnanodrähte überlagert. Durch Ausbalancieren der konkurrierenden Mechanismen können bemerkenswerte Photoschaltungs ‐ und starke Gleichrichtungseffekte in einer einzigen Funktionseinheit auf SiNW ‐ Basis realisiert werden. [ABSTRACT FROM AUTHOR]