Gamma- und Rontgendetektoren aus hochohmigem neutronendotiertem n-Silizium

Aus geeignetem p-Silizium mit kleinen Borverteilungsschwankungen konnte hochohmiges n-Silizium mittels Neutronendotierung hergestellt werden. Dieses n-Silizium diente zur Herstellung von Detektorstrukturen mit implantierten Kontakten. Diese Detektoren sind fur den Nachweis von Photonenstrahlung geeignet.An Hand der beschriebenen phyiskalischen Grundlagen der Neutronendotierung und der Detektorparameter werden die Wege zur Verbesserung der spektrometrischen Eigenschaften von Detektoren aus neutronendotiertem Silizium diskutiert.