Back to Search
Start Over
Single‐Layer Semiconducting Nanosheets: High‐Yield Preparation and Device Fabrication
- Source :
- Angewandte Chemie; November 2011, Vol. 123 Issue: 47 p11289-11293, 5p
- Publication Year :
- 2011
-
Abstract
- Ordentlich gestapelt: 2D‐halbleitende Nanomaterialien aus einzelnen MoS2‐, WS2‐, TiS2‐, TaS2‐, ZrS2‐ und Graphenschichten wurden durch elektrochemische Lithiierung hergestellt (siehe Bild). Eine Ausbeute von 92 % wurde bei der Produktion einzelner MoS2‐Schichten erreicht. Aus den MoS2‐Schichten wurde ein Dünnschichttransistor hergestellt, der zum Nachweis von NO bis zu einer Detektionsgrenze von 190 ppt verwendet wurde.
Details
- Language :
- English
- ISSN :
- 00448249 and 15213757
- Volume :
- 123
- Issue :
- 47
- Database :
- Supplemental Index
- Journal :
- Angewandte Chemie
- Publication Type :
- Periodical
- Accession number :
- ejs26129429
- Full Text :
- https://doi.org/10.1002/ange.201106004