Back to Search
Start Over
SELF ELEKTRO-OPTİK CİHAZLARIN KUANTUM ÇUKURLU YAPILARI VE GALYUM-ARSENİT
- Source :
- Volume: 2, Issue: 2 89-96, Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi, Pamukkale University Journal of Engineering Sciences, Vol 2, Iss 2, Pp 89-96 (1996)
- Publication Year :
- 2015
- Publisher :
- Pamukkale Üniversitesi, 2015.
-
Abstract
- Multiple quantum-well (MQW) electroabsorptive self electro optic-effect devices (SEEDs) are being extensively studied for use in optical switching and computing. The self electro-optic-effect devices which has quantum-well structures is a new optoelectronic technology with capability to obtain both optical inputs and outputs for Gallium-Arsenide/Aluminum Gallium-Arsenide (GaAs/AlGaAs) electronic circuits. The optical inputs and outputs are based on quantum-well absorptive properties. These quantum-well structures consist of many thin layers of semiconductors materials of GaAs/AlGaAs which have emerged some important directions recently. The most important advance in the physics of these materials since the early days has been invention of the heterojunction structures which is based at present on GaAs technology. GaAs/AlGaAs structures present some important advantages to relevant band gap and index of refraction which allow to form the quantum-well structures and also to make semiconductor lasers, dedectors and waveguide optical switches.<br />Çoklu kuantum çukurlu elektroapsorptiv self elektro-optik cihazlar optik anahtarlama ve hesaplamalarında kullanılması için yoğun bir şekilde araştırılmaktadır. Kuantum çukurlu yapılara sahip self elektro-optik cihazlar, galyum-arsenit/aliminyum galyum-arsenit elektronik devrelerine ait giriş ve çıkış işaretlerinin her ikisinin birden optik olarak elde edildiği yeni bir optoelektronik teknolojidir. Optik giriş ve çıkışlar kuantum çukurlu emme özelliklerine dayanır. Bu kuantum çukurlu yapılar, günümüzde yeni boyutlar meydana getirmekte olan GaAs/AlGaAs'li yarıiletken malzemelerle yapılan pek çok ince katmanlardan meydana gelir. İlk günlerden beri bu malzemelerin fiziğinde bulunan en önemli ilerleme şu anda GaAs teknolojisinin dayandığı farklı jonksiyonlu yapıların keşfidir. GaAs/AlGaAs'li yapılar kuantum çukurlu yapıları oluşturmak ve keza yarıiletken laser, dedektör ve optik dalga klavuzlarına ilişkin anahtarlar yapmak için yasak bant ve kırılma indisi ile ilgili bazı önemli avantajlar sunar.
- Subjects :
- Condensed Matter::Other
yarıiletken laser
gallium-arsenide
semiconductor dedector
Gallium-Arsenide,Band gap,Index of refraction,Semiconductor laser,Semiconductor dedector
Physics::Optics
Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Condensed Matter::Materials Science
yasak bant
band gap
lcsh:TA1-2040
kırılma indisi
yarıiletken dedektör
index of refraction
semiconductor laser
lcsh:Engineering (General). Civil engineering (General)
galyum-arsenit
Galyum-Arsenit,Yasak bant,Kırılma indisi,Yarıiletken laser,Yarıiletken dedektör
Subjects
Details
- Language :
- Turkish
- ISSN :
- 13007009 and 21475881
- Database :
- OpenAIRE
- Journal :
- Volume: 2, Issue: 2 89-96, Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi, Pamukkale University Journal of Engineering Sciences, Vol 2, Iss 2, Pp 89-96 (1996)
- Accession number :
- edsair.dedup.wf.001..01f520ede8a5f67b0163d03295df5834